“苏州瑞铬优电子科技有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于抽头变压器的原边开关控制电路-CN202310958174.8有效
发明人：黄胜明;刘俊超 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于抽头变压器的原边开关控制电路，与现有技术相比，该控制电路能够有效解决源边和副边电压不稳定的问题。当副边电压不稳定时，变化的电压会体现在源边线圈上，从而引起电阻网络R4‑R6上电压的变化，变化的电压经过电压检测电路进行提取，在电阻R2产生的电压和误差放大器COMP上的基准电压进行比较，最后把信号传递到PWM/PFM控制模块，从而控制S1和S2开关管的导通时间，此电路能有效保护副边上的负载和源边上的功率管，使开关电源系统更安全、更稳定。
一种基于抽头变压器开关控制电路

[实用新型]一种可实现模拟电路无静态功耗的电路装置-CN202223533292.4有效
发明人：黄鑫;冯多力 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及电源系统技术领域，具体公开了一种可实现模拟电路无静态功耗的电路装置，包括一种可实现模拟电路无静态功耗的电路装置，包括高压Vdd、低压Vss、输入Vin和输出Vout；PMOS晶体管PM1、PM2、PM3、PM4、PM5、PM6，NMOS晶体管NM1、NM2和反相器INV1、INV2、INV3、INV4；INV1的电源连接PM2的漏极；INV2的电源连接到电阻R1的另一端；INV2的输出端连接到NM1的栅极和PM1的漏极，本实用新型的电路装置在睡眠待机状态下，输入Vin仅仅通过电阻R1，也就是说在睡眠待机状态下的使能电路仅在电阻R1产生损耗，在电阻R1阻值较大的情况下，这个损耗可以忽略不计，达到无静态功耗的目的。
一种实现模拟电路静态功耗装置

[实用新型]一种具有低功耗的电压调节器-CN202223519468.0有效
发明人：黄鑫;冯多力 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及电源系统技术领域，具体公开了一种具有低功耗的电压调节器，包括脉冲产生器、电压生成电路、电压检测电路、电流检测电路、误差放大电路和输出功率器件，电压生成电路、电压检测电路和电流检测电路的输出端连接误差放大电路的输入端，电流检测电路的输入端连接误差放大电路的输出端，误差放大电路的输出端和电压检测电路的输入端与输出功率器件连接，本实用新型通过脉冲产生器所产生的控制信号Vsw来控制电压生成电路和电压检测电路的静态电流大小，由电流检测电路检测输出电流的大小，并由此返回控制信号Vc，此控制信号Vc控制误差放大电路的静态电流的大小，可大幅度降低电压调节器的等待功耗。
一种具有功耗电压调节器

[发明专利]一种无静态电流的电平转换电路-CN202211523619.1有效
发明人：黄胜明;范嘉琪 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开了一种无静态电流的电平转换电路，包括电源端VDD、接地端VSS、输入端VIN、输出端VOUT；P型MOSFET：PM0、PM1、PM2、PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8；N型MOSFET：NM0、NM1、NM2；电容：C0、C1；电阻：R0；当输入控制信号的高低电平介于0.8~0V之间、模拟开关电路的电源电压介于1.8~3.6V时，无论控制信号是处于逻辑低（模拟开关通道关断）还是逻辑高（模拟开关通道开通），稳定状态下模拟开关芯片没有功耗（静态电流），同时保证较高的转换速度。
一种静态电流电平转换电路

[发明专利]一种用于功率开关MOSFET导通电流采样电路-CN202010206174.9有效
发明人：黄胜明;李卫东 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种用于功率开关MOSFET导通电流采样电路，涉及电机驱动保护的技术领域。本发明实施例提供了一种用于功率开关MOSFET导通电流采样电路，电路由控制器控制第一驱动器和/或第二驱动器，包括：正转采样电路，正转驱动MOS管组，反转驱动MOS管组以及第一电容C1以及检测电阻Rsen；正转采样电路包括第五MOS管M5、第六MOS管M6以及第一监视MOS管Msen1、第一开关SW1以及第一比较器；通过上述器件及其连接方式，可以将通过检测电阻Rsen电流大幅度减小，从而减少通过检测电阻Rsen的热耗，降低了散热系统的设计难度。
一种用于功率开关 mosfet 通电采样电路

[发明专利]一种单一输入端实现三种逻辑组合的控制电路-CN202111542112.6在审
发明人：黄胜明;范嘉琪;韦天桐 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：一种单一输入端实现三种逻辑组合的控制电路。其包括P沟场效应管PM0、第一P沟场效应管PM1、第二P沟场效应管PM2、第三P沟场效应管PM3、第四P沟场效应管PM4、第一N沟场效应管NM1、第二N沟场效应管NM2、第三N沟场效应管NM3、第四N沟场效应管NM4和电阻器R1；本发明提供的单一输入端实现三种逻辑组合的控制电路具有如下有益效果：利用简单的电流源和电阻有效组合的设计，实现三种逻辑组合可以节省两个比较器的应用，因此可显著降低芯片面积，同时有利于降低功耗。
一种单一输入实现逻辑组合控制电路

[发明专利]一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路-CN202010665380.6有效
发明人：黄胜明;李卫东;郭天 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2020-07-11 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路，涉及双向DC/DC控制的技术领域，包括：NLDMOS组，PLDMOS组，NMOS组，误差放大器EA，比较器COMP，反相器INV以及禁带参考源和偏置电流产生器VbgIbias Generator；NLDMOS组包括第一NLDMOS M1，第二NLDMOS M5，第三NLDMOS M10；PLDMOS组包括第一PLDMOS M6，第二PLDMOS M7，第三PLDMOS M8，第四PLDMOS M9；NMOS组包括第一NMOS M0，第二NMOS M2，第三NMOS M3，第四NMOS M4，第五NMOS M11，第六NMOS M12，第七NMOS M13。通过本发明提供的电路，可以将控制端和UVLO控制端合并成一个控制端，在保证控制端的控制能力同时简化控制电路，提高控制的稳定性。
一种用于 dc 转换电路电压控制电路

[发明专利]一种用于高功率因数LED的照明驱动电路-CN201811071542.2有效
发明人：黄胜明;冯多力;黄涛;郭天;任宇涛 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H05B45/355 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高功率因数LED照明的驱动电源电路，包括启动电路、控制芯片、变压器T1、第一电流开关和第二电流开关；所述变压器T1包括原边主绕组Np1、原边绕组Np2、原边绕组Na和副边绕组Ns；原边主绕组Np1和原边绕组Np2同相位，原边绕组Na和副边绕组Ns同相位，原边主绕组Np1和副边绕组Ns反相位；所述启动电路和变压器T1均连接到输入端Vin；所述启动电路与第一电流开关和第二电流开关均连接到控制芯片；控制芯片通过控制第一电流开关和第二电流开关的导通和关断控制变压器T1副边绕组Ns的输出电流；该用于高功率因数LED照明的驱动电源电路输出电流的纹波显著减小，使得LED照明同时具有高功率因数、无频闪和成本低等优点。
一种用于功率因数 led 照明驱动电路

[发明专利]一种双向电流检测电路-CN201810117497.3有效
发明人：黄胜明;郭天;冯多力;黄鑫 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向电流检测电路，包括第一放大电路、第二放大电路、第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜、第一开关电路、第二开关电路、比较器Comp1、放大器Amp1、反相器INV1、电阻R1～R4；测试接入端Vin1与测试接入端Vin2之间设有电阻Rsen；测试接入端Vin1通过电阻R1接比较器Comp1的反向输入端，测试接入端Vin2通过电阻R2接到比较器Comp1的正向输入端；比较器Comp1的输出端接第二开关电路；第二开关电路用来控制第一开关电路的关断；该双向电流检测电路可以检测电流的大小，同时也可以检测电流的流向。
开关电路比较器接入端电阻双向电流检测电路电流镜测试放大电路放大器反向输入端正向输入端反相器输出端检测关断

[发明专利]一种双向电流检测放大器-CN201810116854.4有效
发明人：黄胜明;郭天;黄涛 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G01R1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向电流检测放大器，包括第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第一电流镜、第二电流镜、电三电流镜、第一比较器Comp1、第二比较器Comp2、第一放大器Amp1、第二放大器Amp2、第三放大器Amp3、第一反相器INV1、第二反相器INV2、电阻R0～R4、晶体管NM0；该双向电流检测电路可以检测电流的大小，在不改动应用连接线路的情况下，可用于正电压和负电压之间的电流检测，同时也可以用于正负相反方向电流流动的检测并确定电流流向。
放大器电流镜检测开关单元双向电流比较器反相器双向电流检测电路第一开关电流检测电流流向方向电流应用连接负电压晶体管正电压电阻可用流动

[发明专利]一种用于无线传感器结点的两级能源存储系统-CN201611142973.4有效
发明人：黄胜明;黄鑫;冯多力 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H02J15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于无线传感器结点的两级能源存储系统包括第一级储能单元和第二级储能单元；第二级储能单元并联在第一级储能单元的两端；该用于无线传感器结点的两级能源存储系统根据传感器所处环境能源的可获得性，实时选择连接第二级储能元件的大小、数量和连接方式，达到最佳的有效能量存储和再利用率。
一种用于无线传感器结点两级能源存储系统

[发明专利]一种自适应电压调节器-CN201710191524.7有效
发明人：黄胜明;黄鑫;冯多力 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本发明公开了一种自适应电压调节器，包括第一级降压拓扑单元和第二级升降压拓扑单元，第一级降压单元包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第一电感L1和第一电容Cs1，第二级升降压拓扑单元；所述的第二级升降压拓扑单元包括第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第二电感L2、第二电容Cs2；该自适应电压调节器根据接收到的数字负载电路端口发出的指令，实时选择第二级升压或降压的连接方式，有效地把第二级存储的能量转移到输出端再利用，同时还可以提高输出电压转换效率。
一种自适应电压调节器

[发明专利]一种无静态功耗的电平转换电路-CN201610181913.7有效
发明人：黄胜明;黄鑫;冯多力 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开了一种无静态功耗的电平转换电路，包括反相器电路、转换电路、开关电路和输出电路；本发明提供的无静态功耗的电平转换电路可以实现不同的电平之间的转换，在转换完成后，整个电路中无直流通路，因此该电路在电平转换完成后不产生静态功耗。
一种静态功耗电平转换电路

[实用新型]一种基于变压器的负反馈调制能量收集电路-CN201721845948.2有效
发明人：黄胜明;杨雪;郭天 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种包括正反馈电路和负反馈电路；正反馈电路包括由线圈L0和线圈L1组成的变压器、电容C1、MOS管M1和电阻R1；线圈L0一端接输入端VIN，另一端接MOS管M1的漏极；MOS管M1的源极接地；线圈L1的一端接地，另一端通过电容C1和电阻R1接地；MOS管M1的栅极接到电容C1与电阻R1之间的线路上；该基于变压器的负反馈调制能量收集电路的负反馈电路调制结构避免了输出端出现的过剩能量损失的情况，进而提高能量的转换效率。
电容电阻变压器调制能量收集电路负反馈电路正反馈电路接地负反馈本实用新型过剩能量源极接地转换效率输出端输入端漏极

[发明专利]一种提高DC/DC升压变换器转换效率的方法-CN201510961076.5在审
发明人：黄胜明;黄鑫;冯多力 -专利权人： 苏州瑞铬优电子科技有限公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开了一种不会发生闩锁效应的提高DC/DC升压变换器转换效率的方法，除了原有的HS-LDMOS器件外，再增加一个面积很小的HS-LDMOS1器件，HS-LDMOS1的源极S1及栅极G1分别和HS-LDMOS的源极S及栅极G相连接；HS-LDMOS1的漏极D1则和N型深阱的欧姆接触区N+相连接，在这两个器件的体区(P-Body)到D1之间形成寄生二极管Diso；在HS-LDMOS的漏极D一侧N型外延层里紧靠N型深阱N+接触区的地方添加一个P+区，使之和N+接触区组成一个高压二极管HV-Diode。本发明主要应用于DC/DC升压变换器。
一种提高 dc 升压变换器转换效率方法

1
共 15 条