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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]外腔窄线宽激光器-CN201510999578.7有效
发明人：刘建国;于丽娟;苏亚嫚;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种外腔窄线宽激光器，该激光器包括：半导体光放大器、平面波导光栅和衬底，其中：所述半导体光放大器和平面波导光栅键合到所述衬底上；所述半导体光放大器的一端镀有高反射膜，另一端镀有高透膜；所述平面波导光栅的两侧均镀有高透膜；所述半导体光放大器镀有高透膜一端的端面与所述平面波导光栅的一侧端面相耦合。本发明提供的外腔窄线宽激光器，具有窄线宽，高功率，低噪声及高的频率稳定性等特点，可应用于高阶调制格式及相干探测系统中，为下一代光纤通信系统提供发射源和本征源激光器。
外腔窄线宽激光器

[发明专利]少模面发射激光器-CN201511006107.8有效
发明人：刘建国;于丽娟;苏亚嫚;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了少模面发射激光器结构，其中包括：一衬底，该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料；一n型分布布拉格反射器(DBR)，该n型DBR制作在衬底上；一n型限制层，该n型限制层制作在n型DBR上；一有源层，该有源层制作在n型限制层上；一p型限制层，该p型限制层制作在有源区上；一p型DBR，该p型DBR制作在p型限制层上；一离子注入区，该离子注入区注入在p型DBR以及p型限制层特定的区域中，并与有源区保持一定的距离，对注入载流子进行限制作用；一p面电极，该p面电极制作在p型DBR上，包含三个透明电极，不同电极用来调制不同的横模模式；一n面电极，该n面电极制作在衬底的下面。
少模面发射激光器

[发明专利]基于arm9嵌入式平台的激光器线宽测量仪-CN201610494506.1在审
发明人： 苏亚嫚;祝宁华;刘建国;于丽娟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：一种基于arm9嵌入式平台的线宽测量仪，包括：一第一光纤耦合器；一光纤延时线，其输入端与光纤耦合器的第一输出端连接；一声光调制器，其输入端与光纤耦合器的第二输出端连接；一第二光纤耦合器，其第一输入端与光纤延时线的输出端连接，其第二输入端与声光调制器的输出端连接；一光电探测器，其输入端与光纤耦合器的输出端连接；一频谱分析模块，其输入端与光电探测器的输出端连接；一嵌入式平台，其输入端与频谱分析模块的输出端连接，用于对频谱分析模块进行数据分析。本发明具有操作方便，设备便携等特点，可对窄线宽激光器线宽进行测量。
基于 arm9 嵌入式平台激光器测量仪

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