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[发明专利]一种搅拌罐螺旋叶片的优化设计方法及成型方法-CN202111201922.5有效
发明人：白传辉;程晓东;胡顺帆;郝振旺;王文;刘景真 -专利权人：中国重汽集团青岛重工有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B28C5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种搅拌罐螺旋叶片的优化设计方法及成型方法，通过确定搅拌物料实验模拟参数、建立模拟罐体以及模拟螺旋叶片、制定罐体进出料性能的评判标准、制定罐体强度性能的评判标准、确定叶片最终优化方案进行模拟分析，优化搅拌罐参数，提升罐体性能，可以有效降低罐体开发的时间以及成本；搅拌罐螺旋叶片的成型方法，解决了高强耐磨板压型困难的问题，并实现一套模具压制多套叶片的效果，减少了螺旋叶片模具数量，降低了成型成本，并且减少了模具更换次数，提高了工作效率。
一种搅拌螺旋叶片优化设计方法成型

[发明专利]处理废水并生产营养物质的方法及设备-CN201810107439.2有效
发明人：卢海凤;徐虹;韩挺;李保明;张源辉;胡顺帆 -专利权人：中国农业大学
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C12P23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种处理废水并生产营养物质的方法及设备，所述方法包括步骤：1)调整废水的浓度，至其中COD为6000‑8000mg/L；加入氮源和磷源调节废水中的碳氮磷比；2)接种处于对数生长期的光合细菌于废水中；3)用波长为365nm的紫外线为激发光连续照射石墨烯量子点溶液，用流动的石墨烯量子点溶液照射废水；4)待光合细菌生长到达平台期，利用滤膜进行菌水分离。本发明提出了一种生产高价值光合细菌的污水资源化利用方法，是将处理啤酒废水与产出高价值营养物相结合的废水处理与资源化的方法，既可以实现废水中污染物的脱除，产生的生物量又可以提取高价值营养物，起到了环境保护、节约成本、回收资源的多重功效。
处理废水生产营养物质方法设备

[发明专利]一种高效合成三氟甲基化合物的方法、三氟甲基化合物及应用-CN202010047437.6在审
发明人：刘振华;陈莞姣;陈慧敏;胡顺帆;俞开心;高雯 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C07C67/343 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效合成三氟甲基化合物的方法、三氟甲基化合物及应用，所述方法为以卤素取代的的烯酮和Togni试剂为原料，在催化剂的作用下，一步直接合成α‑三氟甲基羰基化物；其中，X独立地选自卤素、O、S、N元素；R1独立地选自芳基、给电子或吸电子的取代芳基、C1‑C6直链或支链的烷基；R2独立地选自芳基、给电子或吸电子的取代芳基。合成方法具有原料转化率高，得到的产物产率高的明显优势，此类转化在生物活性分子中有不可替代的价值，在药物化学中发挥着重要作用。
一种高效合成甲基化合物方法应用

[其他]台面型半导体器件的制造方法-CN101985000000501在审
发明人：何德湛;陈益清;胡顺帆;何启丁;严光华;徐元森;朱菊珍;朱菊珍 -专利权人：中国科学院上海冶金研究所
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1989-04-05 - 主分类号：文献下载
摘要：本发明是台面形半导体器件的制造方法。采用金刚砂轮刀在已形成半导体器件图形的基片上的管芯二边开槽形成井字形的台面。所开的槽与ｐ－ｎ结界面接近垂直。用这种台面制造方法特别适用于制造高压大功率晶体管，可提高制得器件的击穿电压，减少二次击穿，烧结时又不易引起焊料造成的短路，提高了器件的成品率。
台面半导体器件制造方法

[发明专利]台面型半导体器件的制造方法-CN85100501.2无效
发明人：何德湛;陈益清;胡顺帆;何启丁;严光华;徐元森;朱菊珍 -专利权人：中国科学院上海冶金研究所
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1989-04-05 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明是台面形半导体器件的制造方法。采用金刚砂轮刀在已形成半导体器件图形的基片上的管芯二边开槽形成井字形的台面。所开的槽与p-n结界面接近垂直。用这种台面制造方法特别适用于制造高压大功率晶体管，可提高制得器件的击穿电压，减少二次击穿，烧结时又不易引起焊料造成的短路，提高了器件的成品率。
台面半导体器件制造方法

[其他]台面型半导体器件的制造方法-CN85100501无效
发明人：何德湛;陈益清;胡顺帆;何启丁;严光华;徐元森 -专利权人：中国科学院上海冶金研究所;上海无线电29厂
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1986-08-13 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明是台面型半导体器件的制造方法。采用金刚砂轮刀在已形成半导体器件图形的基片上的管芯二边开槽形成井字形的台面。所开的槽与p-n结界面接近垂直。用这种台面制造方法特别适用于制造高压大功率晶体管，可提高制得器件的击穿电压，减少二次击穿，烧结时又不易引起焊料造成的短路，提高了器件的成品率。
台面半导体器件制造方法