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[发明专利]一种电热驱动双稳态MEMS开关-CN201710881433.6在审
发明人：赵玉龙;张雪婷;胡腾江;房旷 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01H61/00 文献下载
摘要：一种电热驱动双稳态MEMS开关，包括正方形基底，正方形基底上垂直分布有V型电热执行器I和V型电热执行器II，V型电热执行器I在一路驱动电路控制下驱动第一钩型触头，V型电热执行器II在另一路驱动电路控制下驱动第二钩型触头，第一钩型触头和第二钩型触头接触即导通电路，第一钩型触头和第二钩型触头不接触即断开电路，两个驱动电路为脉冲电压且有相位差；利用V型梁的热电效应与热膨胀效应，通过加电压使其产生热变形，从而驱动钩型触头运动；本发明具有稳定性高、驱动力大、输出线性、低功耗、成本低的优点。
一种电热驱动双稳态 mems 开关

[发明专利]一种基于电热效应的直线驱动MEMS引信安保装置-CN201610069338.1有效
发明人：赵玉龙;李秀源;胡腾江;白颖伟;任炜 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： F42C15/00 文献下载
摘要：一种基于电热效应的直线驱动MEMS引信安保装置，包括单晶硅衬底，在单晶硅衬底依次制作二氧化硅绝缘层以及单晶硅结构层，单晶硅衬底制作有矩形加速膛孔，在单晶硅结构层中制作两个锁死电热执行器、四个推动电热执行器以及一个隔断机构，其中隔断机构中的隔板将加速膛孔遮挡，在对两个锁死电热执行器施加电压解锁的状态下，先后分别对四个推动电热执行器施加电压，在相应的工作电压下杠杆放大机构将电热执行器产生的热变形放大并以此推动隔断机构中的驱动块完成相应的位移动作，经过先后四次的位移累加，最终使隔板与加速膛孔完全错开，完成引信的解除保险动作，本发明具有低成本、高智能、易集成的特点。
一种基于电热效应直线驱动 mems 引信安保装置

[发明专利]一种隔断式MEMS引信-CN201510790210.X有效
发明人：赵玉龙;胡腾江;李秀源;白颖伟 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： F42C15/00 文献下载
摘要：一种隔断式MEMS引信，包括药剂层，药剂层上部和药剂盖板层通过键合的方式连接，药剂层下部和安保装置层上部通过键合的方式连接，安保装置层下部和加速膛层黏贴，安保装置层包括硅衬底层，二氧化硅层以及可动硅结构层依次制作在硅衬底层上，在可动硅层中制作有四组驱动器，每组驱动器的右、左金属电极分别制作在右、左锚点上，呈阵列的V型热电执行器的两端分别与左、右锚点相连，杠杆的首端通过右柔性梁与中间臂相连，下锚点通过左柔性梁与杠杆的首端相连，隔板位于杠杆的末端并且制作有互锁槽与互锁齿，与相邻隔板对应的互锁齿及互锁槽形成互锁，本发明将MEMS技术应用到引信，具有低成本、高智能、易集成的特点。
一种隔断 mems 引信

[发明专利]一种基于非晶态碳膜的加速度传感器芯片-CN201610606289.0在审
发明人：赵玉龙;马鑫;张琪;胡腾江;王鹏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：一种基于非晶态碳膜的加速度传感器芯片，包括硅质敏感结构，硅质敏感结构的背面与硼玻璃键合，硅质敏感结构包括质量块以及与质量块相连的悬臂梁，在硅质敏感结构上采用物理气相沉积或化学气相沉积方法镀有四个非晶碳膜电阻，其中第一非晶态碳膜电阻位于硅质敏感结构的悬臂梁上，并靠近边框一端；第二、第三、第四非晶态碳膜电阻位于硅质敏感结构的边框处，四个非晶碳膜电阻连接成惠斯通半桥检测电路，并通过金属导线和焊盘连接，由于本发明采用的非晶态碳膜电阻具有低摩擦系数、耐腐蚀，耐磨等优良特性，彻底解决传统MEMS硅微传感器测量灵敏度和固有频率之间的制约关系，使传感器兼具高固有频率以及高测量灵敏度等特点。
一种基于晶态加速度传感器芯片

[发明专利]一种MEMS武器安保装置-CN201410475841.8有效
发明人：赵玉龙;胡腾江;白颖伟;解瑞珍 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： F42C15/40 文献下载
摘要：一种MEMS武器安保装置，包括单晶硅衬底，在单晶硅衬底依次制作二氧化硅绝缘层以及单晶硅结构层，单晶硅衬底制作有圆形加速膛孔，在单晶硅结构层中制作卡销机构、棘爪机构以及隔断机构，其中卡销机构中的可动卡销、棘爪机构中的棘爪以及隔断机构中的防爆隔板通过齿状结构相啮合，防爆隔板将加速膛膛孔遮挡，并通过S型硅弹簧与单晶硅结构层连接，飞片孔与加速膛膛孔错位放置，卡销机构与棘爪机构均利用热电效应驱动，在相应的工作电压下V型热电执行器会产生一定的热变形量，通过杠杆放大装置将热变形放大并以此驱动卡销与棘爪完成相应的动作，本发明具有低成本、高智能、易集成的特点。
一种 mems 武器安保装置

[发明专利]一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器-CN201410369768.6有效
发明人：赵玉龙;李秀源;胡腾江;徐文举;白颖伟;任炜 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： F42C15/00 文献下载
摘要：一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底上制作有加速膛孔，二氧化硅绝缘层在单晶硅衬底上生长，将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层的单晶硅衬底键合，金属电极层沉积在单晶硅结构层的锚点上，MEMS执行器在单晶硅结构层中制作，利用刻蚀技术制作可动结构层，利用热电效应来产生相应的输出，利用MEMS相关工艺制作的器件体积小，具有低成本、高智能、易集成的特点。
一种基于放大引信安保装置 mems 执行

[发明专利]一种基于二级压曲放大的引信用MEMS执行器-CN201410369770.3有效
发明人：赵玉龙;李秀源;胡腾江;徐文举;白颖伟;任炜 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种基于二级级联压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底上制作有加速膛孔，二氧化硅绝缘层在单晶硅衬底上生长，将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层2的单晶硅衬底键合，金属电极层沉积在单晶硅结构层的电极锚点上；MEMS执行器在单晶硅结构层中制作，MEMS执行器是除去与电极锚点键合的部分，其余的二氧化硅绝缘层将被腐蚀掉，使V型梁热电执行器、中间臂、一级放大梁、连接臂、二级放大梁以及隔板悬空，形成最终的可动结构，利用刻蚀技术制作可动结构层，利用热电效应来产生相应的输出，利用MEMS相关工艺制作的器件体积小，具有低成本、高智能、易集成的特点。
一种基于二级放大引信 mems 执行

[发明专利]一种起爆序列用V型结构MEMS执行器-CN201310176131.0有效
发明人：赵玉龙;胡腾江;李波;白颖伟 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种起爆序列用V型结构MEMS执行器，包括单晶硅衬底，将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层的单晶硅衬底键合，金属电极层沉积在单晶硅结构层上，MEMS执行器在单晶硅结构层中制作，MEMS执行器包括锚点，成阵列结构的V型梁热电驱动单元的两端与锚点连接，中间臂位于V型梁热电驱动单元的中间并相互固定，柔性梁的两端分别与中间臂和杠杆的首端相连接，隔板制作在杠杆的末端，将加速膛孔挡住，本发明利用了硅材料的热电效应与热膨胀效应，具有低成本、高智能、易集成的特点。
一种起爆序列结构 mems 执行

[发明专利]一种起爆序列用冷热臂结构MEMS执行器-CN201310176133.X有效
发明人：赵玉龙;胡腾江;李波;白颖伟 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：一种起爆序列用冷热臂结构MEMS执行器，将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层的单晶硅衬底键合，金属电极层沉积在单晶硅结构层中锚点上，MEMS执行器在单晶硅结构层中制作，包括两个以上成阵列的锚点，相应成阵列的热臂、叉架臂、冷臂以及弯曲臂的首端依次首尾相连并组成阵列的半环型冷热臂结构，热臂与弯曲臂的末端分别与锚点相连，中间臂与阵列的冷臂相连，柔性梁的两端分别与中间臂以及杠杆的首端相连接，隔板制作在杠杆的末端，将加速膛孔挡住，本发明利用了硅材料的热电效应与热膨胀效应，具有低成本、高智能、易集成的特点。
一种起爆序列冷热结构 mems 执行

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