专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器-CN201610810350.3有效
  • 林雨;王钦华;胡敬佩;徐铖 - 苏州大学
  • 2016-09-08 - 2018-07-31 - G02B5/30
  • 本发明公开了基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器,包括基底、过渡层以及像素层;像素层由超像素结构单元阵列组成;超像素结构单元包括0°趋向的双层纳米光栅、45°趋向的双层纳米光栅、135°趋向的双层纳米光栅以及90°趋向的双层纳米光栅;双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成;介质光栅的周期为260nm‑300nm,占空比为0.5‑0.7,厚度为90nm‑110nm;金属层的厚度为70nm‑90nm;在双层金属纳米光栅像素块的基底表面引入一层低折射率的过渡层,过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀,使得制作工艺更为方便快捷。
  • 基于等离子像素取向双层纳米光栅偏振
  • [发明专利]基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器-CN201610560622.9有效
  • 胡敬佩;王钦华;赵效楠;王长江;林雨;朱爱娇;曹冰 - 苏州大学
  • 2016-07-17 - 2018-07-31 - G02B5/30
  • 本发明提供了一种基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器及其制备方法,包括透光基底以及位于基底上的金属层;金属层由晶胞单元阵列组成;晶胞单元包括0°趋向的金属线栅结构、90°趋向的金属线栅结构、45°趋向的金属线栅结构和一个手性结构;手性结构由Z型结构单元阵列构成;其中,线偏振片的透过率为85%以上,消光比50dB以上;右旋圆偏振光在1.6μm波长处透过率为60%,左旋圆偏振光的透过率为4%,圆二向色性可以达到56%,可以实现实时全偏振成像。本发明具有波段较宽,结构简单,易于制作的特点,在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。
  • 基于表面等离子斯托矢量偏振及其制备方法
  • [发明专利]全介质像素式全斯托克斯成像偏振器件-CN201610746267.4有效
  • 胡敬佩;王钦华;赵效楠;林雨;朱爱娇;徐铖;曹冰 - 苏州大学
  • 2016-08-29 - 2018-07-20 - G02B5/30
  • 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器及其制备方法,包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层;介质层由超像素单元阵列组成;超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成;其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%,消光比20dB以上,最高可到70dB;其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上,在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽,结构简单,易于制作的特点,在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。
  • 介质像素斯托成像偏振器件及其制备方法
  • [实用新型]全介质像素式全斯托克斯成像偏振器件-CN201620966488.8有效
  • 胡敬佩;王钦华;赵效楠;林雨;朱爱娇;徐铖;曹冰 - 苏州大学
  • 2016-08-29 - 2017-05-10 - G02B5/30
  • 本实用新型提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器,包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层;介质层由超像素单元阵列组成;超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成;其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%,消光比20dB以上,最高可到70dB;其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上,在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本实用新型具有波段较宽,结构简单,易于制作的特点,在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。
  • 介质像素斯托成像偏振器件
  • [实用新型]基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器-CN201620748008.0有效
  • 胡敬佩;王钦华;赵效楠;王长江;林雨;朱爱娇;曹冰 - 苏州大学
  • 2016-07-17 - 2017-03-29 - G02B5/30
  • 本实用新型提供了一种基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器,包括透光基底以及位于基底上的金属层;金属层由晶胞单元阵列组成;晶胞单元包括0°趋向的金属线栅结构、90°趋向的金属线栅结构、45°趋向的金属线栅结构和一个手性结构;手性结构由Z型结构单元阵列构成;其中,线偏振片的透过率为85%以上,消光比50dB以上;右旋圆偏振光在1.6μm波长处透过率为60%,左旋圆偏振光的透过率为4%,圆二向色性可以达到56%,可以实现实时全偏振成像。本实用新型具有波段较宽,结构简单,易于制作的特点,在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。
  • 基于表面等离子斯托矢量偏振
  • [实用新型]一种亚波长超宽带透射式二维金属波片-CN201620899636.9有效
  • 王钦华;朱爱娇;胡敬佩;赵效楠;刘亚彬 - 苏州大学
  • 2016-08-18 - 2017-03-29 - G02B5/30
  • 本实用新型公开了一种亚波长超宽带透射式二维金属波片,由若干周期性的波片单元构成,波片单元包括SiO2基片和位于所述基片上的正交十字银纳米棒结构,基片为正方形基片,其边长P为800~1000nm,正交十字银纳米棒结构的高度H为100~150nm,所述正交十字银纳米棒结构的第一宽度W为200~300nm,正交十字银纳米棒结构的第二长度Lx为550~650nm,正交十字银纳米棒结构的第二宽度Ly为150~170nm。本实用新型大大拓宽了工作带宽,而且对于参数变化的容忍度较高,由于现在微纳结构制作精度的限制,该结构合理、易于制作,在光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。
  • 一种波长宽带透射二维金属
  • [实用新型]基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器-CN201621044134.4有效
  • 林雨;王钦华;胡敬佩;徐铖 - 苏州大学
  • 2016-09-08 - 2017-03-29 - G02B5/30
  • 本实用新型公开了基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器,包括基底、过渡层以及像素层;像素层由超像素结构单元阵列组成;超像素结构单元包括0°趋向的双层纳米光栅、45°趋向的双层纳米光栅、135°趋向的双层纳米光栅以及90°趋向的双层纳米光栅;双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成;介质光栅的周期为260nm‑300nm,占空比为0.5‑0.7,厚度为90nm‑110nm;金属层的厚度为70nm‑90nm;在双层金属纳米光栅像素块的基底表面引入一层低折射率的过渡层,过渡层的引入不仅提高了器件的效果而且避免了对金属的刻蚀,使得制作工艺更为方便快捷。
  • 基于等离子像素取向双层纳米光栅偏振
  • [实用新型]一种位相编码折衍射元件-CN201620511198.4有效
  • 王钦华;赵效楠;许峰;胡敬佩 - 苏州大学
  • 2016-05-30 - 2016-12-07 - G02B5/18
  • 本实用新型公开了一种位相编码折衍射元件,包括折衍射元件本体,所述折衍射元件本体为平凸透镜结构,所述平凸透镜结构的平面一侧镀有宽带光子筛,所述宽带光子筛为不透光金属薄膜,所述不透光金属薄膜上设有环带状分布的通光小孔,所述通光小孔的位置分布满足方程。在相同尺寸和焦距下,本实用新型的折衍射元件的有效工作光谱范围较传统折衍射元件提高15倍左右,可在超宽带宽范围内消除二级光谱,实现清晰成像。
  • 一种位相编码衍射元件

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