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[发明专利]垂直MOSFET器件及其制备方法-CN202111514468.9在审
发明人：朱慧珑;肖忠睿 -专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开提供一种垂直MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该垂直MOSFET器件包括：衬底；有源区，包括依次竖直叠置于衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，沟道层的外周相对于第一源/漏层和第二源/漏层的外周凹入；间隔层，包括上间隔层和下间隔层，其中，上间隔层形成于因沟道层凹入而露出的第二源/漏层的下表面，下间隔层形成于因沟道层凹入而露出的第一源/漏层的上表面，上间隔层和下间隔层均与沟道层的侧面接触且不连通；栅堆叠，至少形成于沟道层的横向外周且嵌于上间隔层和下间隔层之间的凹槽空间。
垂直 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种室温固态电卡制冷方法-CN201710989629.7有效
发明人：赵世峰;白玉龙;陈介煜;邬新;肖忠睿 -专利权人：内蒙古大学
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： F25B21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温固态电卡制冷方法。制备Bi5Ti3FeO15/BiFeO3铁电薄膜，然后将Bi5Ti3FeO15/BiFeO3铁电薄膜处于负电卡效应的工作区域，施加电场后处于绝热状态的Bi5Ti3FeO15/BiFeO3铁电薄膜，维持系统熵平衡，薄膜的温度降低，Bi5Ti3FeO15/BiFeO3铁电薄膜升温后，从负电卡效应转换到正电卡效应工作区域，在电场施加的情况下，Bi5Ti3FeO15/BiFeO3铁电薄膜的熵增加，绝热情况下升温，此时撤去外电场，电偶极子恢复无序，熵减少，在等温环境中从被制冷负载吸热，实现制冷。本发明实现一种高效的制冷效应。
一种室温固态制冷方法