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[发明专利]一种识别亚硫酸氢根的铱配合物探针及其制备方法-CN201910519573.8有效
发明人：许文娟;翟伟俊;黄维;包蕙;王涛;陈凯;是凯航 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种识别亚硫酸氢根的铱配合物探针及其制备方法。该配合物探针由一个金属铱中心、一个中性N^N辅助配体和两个环金属C^N配体组成，其中C^N配体上含有醛基，N^N配体的碳链上具有线粒体靶向的三苯基磷基团。本发明首先制备铱二氯桥化合物、环金属C^N配体，利用环金属C^N配体接枝三苯基膦，然后将铱二氯桥化合物与接枝三苯基膦的环金属C^N配体反应得到所述铱配合物探针。本发明的铱配合物的醛基能与亚硫酸氢根发生特异性加成反应，使铱配合物激发态和光物理性质的改变从而实现对亚硫酸氢根离子的检测。本发明的铱配合物材料在生物方面具有重要的应用前景。
一种识别亚硫酸配合物探及其制备方法

[发明专利]一种PERC电池碱抛光添加剂制备方法-CN202010456989.2在审
发明人： 翟伟俊;彭晓晨 -专利权人： 翟伟俊
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C09K13/02 文献下载
摘要：本发明专利公开了一种PERC电池碱抛光添加剂制备方法，各个组分质量百分比为：葡萄糖：0.1％‑1％；乙二醇：1.0％‑3.0％；过硫酸铵：1.0％‑3.0％；聚六亚甲基双胍：0.1％‑2.0％；余量为去离子水。其制备方法包括如下步骤：首先按照上述各个组分的质量百分比选取葡萄糖5g，乙二醇20g，过硫酸铵20g，聚六亚甲基双胍5g，去离子水1L；将5g葡萄糖、20g乙二醇、20g过硫酸铵和5g聚六亚甲基双胍一同溶解到1L去离子水中，并均匀混合；本发明专利的添加剂首先能够阻止碱对硅片正面氧化硅的腐蚀，从而保护硅片正面的PN结，刻蚀过程中，该添加剂能够在腐蚀硅片边缘及背面的PN结的同时，达到很好的背面抛光效果，加强钝化效果，从而提高太阳能电池片的转换效率。
一种 perc 电池抛光添加剂制备方法

[发明专利]一种PERC电池酸抛光添加剂及工艺-CN201911197388.8在审
发明人： 翟伟俊;管自生;万鹏 -专利权人：南京纳鑫新材料有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种PERC电池酸抛光添加剂，组分包括脂肪醇聚氧乙烯醚、酒石酸、二甲基亚砜、螯合剂，余量为去离子水。本发明还公开了一种PERC电池酸抛光工艺，在去离子水中配置酸腐蚀液，所述酸腐蚀液中酸组分包括氢氟酸、硝酸、硫酸；所述酸腐蚀液中酸组分总的质量百分含量为60％～80％；选取适量酸抛光添加剂，加入到酸腐蚀液中，混合反应后，配成抛光液。将单晶硅片浸入到所述抛光液中进行抛光，温度控制在6℃～15℃，时间控制在30s～120s。添加本发明的酸抛光添加剂后可以有效减少抛光液的酸组分用量，降低成本的同时减少对环境的污染且实现了低酸浓度下达到优异的抛光效果。
一种 perc 电池抛光添加剂工艺

[发明专利]一种具有双发射性质的铱配合物及其制备方法和应用-CN201710977794.0有效
发明人：许文娟;翟伟俊;黄维;赵强;刘淑娟;陈键 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有双发射性质的铱配合物及其制备方法和应用，该铱配合物的结构式如下式所示：该配合物由一个金属铱中心、一个中性N^N辅助配体和两个环金属C^N配体组成，并且其C^N配体上含有4‑氨基苯醚基团。该离子型铱配合物具有明显的双发射性质。此外，利用配体中碳氧键与次氯酸根离子发生作用后，碳氧键会发生断裂，从而导致铱配合物激发态和光物理性质的改变从而实现对次氯酸根离子的检测。本发明所述的磷光铱配合物材料在生物方面具有重要的应用前景。
一种具有发射性质配合及其制备方法应用

[发明专利]一种PERC电池背抛光添加剂及工艺-CN201911197379.9在审
发明人： 翟伟俊;管自生;万鹏 -专利权人：南京纳鑫新材料有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C09K13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种PERC电池背抛光添加剂，各组分的质量百分含量为：0.2％～2.5％的表面活性剂、1.0％～5.0％的氧化剂，余量为去离子水。本发明还公开了一种PERC电池背抛光工艺：链式机去除背面及四边PSG包括以下步骤：水膜覆盖硅片上表面→HF溶液去PSG→水洗→烘干→臭氧喷淋→下料；槽式碱背抛光包括以下步骤：上料→预清洗→水洗→碱抛光→水洗→后碱洗→水洗→酸洗→水洗→慢提拉脱水→烘干→下料；其中，碱抛光所用碱溶液加入了背抛光添加剂。经本发明工艺方法处理后的硅片，其背面和四边的PSG被完全去除，抛光后的背表面反射率达到45％以上，且硅片硅片正面PN结完好，没有被腐蚀影响，包括SE激光后的区域也未受影响，且兼容SE工艺。
一种 perc 电池抛光添加剂工艺