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[发明专利]具有T型有源区域的半导体器件及其形成方法-CN202210438210.3在审
发明人： 线怀鑫;严章英;孟庆超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及具有T型有源区域的半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括：单元区域，包括沿第一方向延伸并具有形成在其中的相应晶体管的组件的有源区域；有源区域的第一大部分是矩形的；有源区域中的第一有源区域具有T形，包括：沿垂直于第一方向的第二方向延伸的主干，以及相对于第一方向，从主干的同一端延伸并且彼此远离的第一臂和第二臂；以及相对于第一方向，有源区域的第二大部分具有对齐的第一端，限定靠近并且平行于单元区域的第一边界的第一参考线；以及有源区域的第三大部分具有对齐的第二端，限定靠近并且平行于单元区域的第二边界的第二参考线。
具有有源区域半导体器件及其形成方法

[发明专利]具有不同电压域的公共深N阱的半导体器件及其形成方法-CN202210241256.6在审
发明人： 线怀鑫;严章英;孟庆超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及具有不同电压域的公共深N阱的半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括：第一导电类型的衬底；和单元区域，该单元区域包括：第二导电类型的深阱；具有第二导电类型的第一非深阱和第二非深阱，第一非深阱和第二非深阱在衬底的对应第一部分和第二部分中，衬底的第一部分和第二部分在深阱中；和第一晶体管区域、第二晶体管区域、第三晶体管区域和第四晶体管区域。第一晶体管区域和第二晶体管区域对应地在第一非深阱和第二非深阱中并且包括第一导电类型的第一晶体管。第三晶体管区域和第四晶体管区域在衬底的处于深阱中的第三部分和第四部分中并且包括具有第二导电类型的第二晶体管。
具有不同电压公共半导体器件及其形成方法

[发明专利]电流分配引脚结构及其形成方法-CN202210113341.4在审
发明人： 线怀鑫;张吉宝;严章英;孟庆超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及电流分配引脚结构及其形成方法。一种集成电路(IC)中的电流分配结构，包括：衬底；以及在衬底上的第一有源区域和第二有源区域。第一组栅极结构和第二组栅极结构与第一有源区域和第二有源区域相应地交叠。第一金属化层中的第一导电结构与第一有源区域交叠，并且电耦合到第一组栅极结构。第一金属化层中的第二导电结构与第二有源区域交叠，并且电耦合到第二组栅极结构。第二金属化层中的第三导电结构电耦合到第一导电结构和第二导电结构。
电流分配引脚结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其操作方法-CN202110849010.2在审
发明人：韩刘;王新泳;孟庆超;线怀鑫;丁婧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司;台积电（中国）有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G11C11/407 文献下载
摘要：本公开总体涉及半导体器件及其操作方法。一种具有单元区域的半导体器件，该单元区域包括第一组一个或多个第一块和第二组一个或多个第二块。每个第一块包括时钟门，并且每个第二块包括去耦电容器。第一组具有两个或更多个第一块和/或第二组具有两个或更多个第二块。第一组的第一块与第二组的第二块交错。
半导体器件及其操作方法

[实用新型]半导体装置-CN202222144042.5有效
发明人： 线怀鑫;雷陇彪;高森沛;严章英;孟庆超;高章瑞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H03K3/037 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含第一虚设群组具有第一套多个虚设晶体管；第一延迟单元具有第一套多个主动晶体管；第二延迟单元具有第二套多个主动晶体管；第二虚设群组具有第二套多个虚设晶体管；相对于第一方向，第一和第二虚设群组以及第一和第二延迟单元排列于第一行，依照第一虚设群组、第一延迟单元、第二延迟单元以及第二虚设群组的第一排序依次排列；以及第一和第二延迟单元之间并未设置其他虚设群组。
半导体装置

[发明专利]具有对布局环境的降低的依赖性的电路布置-CN202110752564.0在审
发明人： 线怀鑫;张吉宝;周阳;周凯;孟庆超;潘磊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司;台积电（中国）有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请涉及具有对布局环境的降低的依赖性的电路布置。集成电路包括在第一组有源区域结构和第二组有源区域结构之间的中间有源区域结构。集成电路还包括主电路，第一组电路和第二组电路。主电路包括与中间有源区域结构相交的至少一个边界栅极导体。第一组电路包括第一组隔离结构，该第一组隔离结构将第一组有源区域结构分隔为在第一组电路中的第一部分和在第一相邻电路中的第二部分。第二组电路包括第二组隔离结构，该第二组隔离结构将第二组有源区域结构分隔为在第二组电路中的第一部分和在第二相邻电路中的第二部分。
具有布局环境降低依赖性电路布置

[发明专利]控制时钟信号的方法和装置-CN202110685173.1在审
发明人： 线怀鑫;韩刘;丁婧;孟庆超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本公开涉及控制时钟信号的方法和装置。一种集成电路，包括时钟晶体管、第一使能晶体管、第二使能晶体管、分支一晶体管、分支二晶体管和时钟选通电路。第一使能晶体管耦合在时钟晶体管和第一节点之间。第二使能晶体管耦合在时钟晶体管和第二节点之间。分支一晶体管耦合在第一电源和第一节点之间。分支一晶体管的栅极端子电连接到第二节点。分支二晶体管耦合在第一电源和第二节点之间。分支二晶体管的栅极端子电连接到第一节点。用于生成经选通的时钟信号的时钟选通电路接收锁存输出信号，该锁存输出信号被锁存到第一节点信号或第二节点信号的逻辑电平。
控制时钟信号方法装置

[发明专利]集成电路器件-CN202110549726.0在审
发明人： 线怀鑫;周阳;孟庆超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路器件。一种集成电路(IC)器件，包括：至少一个延迟电路，具有输入和输出；以及输出连接器，电耦合到输出。延迟电路还包括在输入和输出之间彼此电耦合的多个晶体管。多个晶体管被配置为延迟在输入处接收到的输入信号，以生成输出处的经延迟的信号。输出在第一金属层中。输出连接器包括：在第一金属层中的第一导电图案；以及在不同于第一金属层的第二金属层中的第二导电图案。第二导电图案将输出电耦合到第一导电图案。
集成电路器件

[发明专利]用于触发器的时序电路布置-CN202110367122.4在审
发明人： 线怀鑫;孟庆超;周阳;谢尚志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本申请涉及用于触发器的时序电路布置。一种集成电路，包括第一时间延迟电路、第二时间延迟电路和具有门控输入电路和传输门的主从触发器。第一时间延迟电路具有被配置为接收第一时钟信号的第一输入端和具有被配置为生成第二时钟信号的第一输出端。第二时间延迟电路具有被配置为接收第二时钟信号的第二输入端和具有被配置为生成第三时钟信号的第二输出端。传输门被配置为接收用于控制传输门的传输状态的第一时钟信号和第二时钟信号。门控输入电路被配置为具有由第二时间延迟电路的第二输出端处的第三时钟信号控制的输入传输状态。
用于触发器时序电路布置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202011082943.5在审
发明人： 线怀鑫;周阳;孟庆超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种器件包括彼此耦合的主锁存器、从锁存器和保持锁存器。保持锁存器包括第一有源区域和第二有源区域、第一栅极结构和第二栅极结构。第一有源区域和第二有源区域在第一方向上延伸。第一栅极结构在第二方向上延伸，第一栅极结构包括彼此分离的第一部分和第二部分。第一部分布置在第一有源区域之上，并且第二部分布置在第二有源区域之上。第二栅极结构在第二方向上延伸，并布置在第一有源区域之上。在布局图中，第二栅极结构与第二有源区域和第一栅极结构分离。第二有源区域的端部部分在第一栅极结构和第二栅极结构之间。
半导体器件及其制造方法

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