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[发明专利]一种NiZn-MOFs/WO3-CN201911288416.7有效
发明人：吕慧丹;陈丹杨;刘勇平;米喜红;李时庆;班如静 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)在基质上制备WO3纳米片阵列薄膜；(2)在反应釜中，加入草酸和无水乙醇，搅拌溶解后，通入氩气排出空气，加入WCl6，将制备的表面覆有WO3纳米片阵列薄膜的基质倾斜放入反应釜反应，反应完成后清洗干燥，再进行煅烧；(3)将步骤(2)处理的WO3纳米片阵列薄膜放入含硝酸锌、醋酸镍、2‑甲基咪唑和乙醇的反应器中，搅拌后加热反应，反应完后冷却，取出干燥即得到NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合光催化剂材料。制备的NiZn‑MOFs/WO3纳米片阵列复合材料较纯相的WO3纳米片阵列具有更强光催化性能。
一种 nizn mofs wo base sub

[发明专利]一种WO3纳米片阵列的制备方法-CN201710386655.0有效
发明人：刘勇平;杨之书;吕慧丹;耿鹏;林剑飞;张梦莹;米喜红 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种WO3纳米片阵列的制备方法。首先通过草酸、乙醇和六氯化钨溶剂热法在FTO、碳布、硅片表面生长带有氧缺陷的WO3‑x·H2O纳米片阵列薄膜，再在马弗炉中以一定的温度煅烧得到结晶性较好的WO3纳米片阵列。在基底上所制备的WO3呈现规则的、垂直取向的纳米片阵列，大幅提高了其比表面积，0.5mol/L Na2SO4电解质中，0.7个太阳光光强，1.2V的偏压下，WO3纳米片的光电流达到0.8mA/cm2。该方法操作简便、易于控制，制备的WO3纳米片阵列薄膜，具有大的比表面积、高的光电化学活性和稳定性。
一种 wo3 纳米阵列制备方法

[发明专利]一种多孔WO3-CN201911289926.6在审
发明人：吕慧丹;陈丹杨;刘勇平;米喜红;李时庆;班如静 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂的制备方法，将有机胺插层WO3·2H2O的杂化物加入瓷舟中，然后放入管式炉中，通入氮气，加热升温，保温反应，反应完后自然冷却至室温，即得到多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂材料。本发明方法制备的多孔WO3/C纳米片介孔复合光催化剂由C与多孔的WO3纳米片形成的介孔结构的复合材料，具有良好的光吸收性能和较大的比表面积，在光照下能够高效的转化氮气成硝酸根，具有较好的光催化氧化活性。
一种多孔 wo base sub

[发明专利]一种TiO₂/GQDs/NiS异质结光阳极及其制备方法-CN201710385073.0有效
发明人：刘勇平;杨之书;吕慧丹;耿鹏;林剑飞;米喜红;林佩怡 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种TiO₂/GQDs/NiS复合光阳极及其制备方法，解决了TiO₂光电转换效率较低的问题。本发明以钛片为基体，含有石墨烯量子点的乙二醇、氟化铵水溶液为电解液，通过阳极氧化法，制备出含有石墨烯量子点(GQDs)的TiO₂复合膜。再通过连续离子层吸附‑沉淀反应将NiS纳米颗粒沉积到TiO₂表面，然后在氮气管式炉中，退火20min得到TiO₂/GQDs/NiS复合光阳极。TiO₂/GQDs/NiS(浸渍8次)复合膜光电流密度是TiO₂纳米管的2倍。本发明方法简便、易于操作，所制备的TiO₂/GQDs/NiS复合光电极具有很高的光催化活性及稳定性。
制备复合光阳极复合膜量子点石墨烯浸渍退火光电转换效率复合光电极光催化活性阳极氧化法沉淀反应连续离子纳米颗粒氮气管电解液氟化铵光电流光阳极乙二醇异质结炉中吸附钛片沉积

[发明专利]一种WO₃/石墨烯量子点复合膜光阳极的制备方法-CN201710250255.7有效
发明人：刘勇平;林剑飞;杨之书;吕慧丹;米喜红 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种WO₃/GQDs复合光阳极的制备方法，解决了WO₃光电转换效率较低的问题。本发明以钨片为基体，含有石墨烯量子点的氟化钠、硫酸钠水溶液为电解液，通过脉冲阳极氧化法，制备出含有石墨烯量子点(GQDs)的多孔三氧化钨复合膜。将复合膜在氮气管式炉中，升至300～700℃，保温3小时，有利于提高WO₃/GQDs复合膜的结晶性。相较于单纯的WO₃薄膜样品，GQDs/WO₃复合膜光电流明显增大，且具有很好的循环寿命。本发明方法简便，易于操作，所制备的GQDs/WO₃复合膜具有很高的光催化活性和稳定性。
一种 wo3 石墨量子复合阳极制备方法

[发明专利]一种石墨烯包裹Ag/AgVO₃纳米带复合物的制备方法-CN201710385074.5有效
发明人：刘勇平;杨之书;吕慧丹;耿鹏;林剑飞;米喜红 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯/Ag/AgVO₃纳米带复合物的制备方法。首先通过AgNO₃、NH₄VO₃和吡啶混合溶液水热法合成AgVO₃，再在洗涤后的产物中加入1mL C₉H₂₃NO₃Si，搅拌反应后再加入1mg/mL的氧化石墨烯，水热反应得到石墨烯/AgVO₃。通过加入一定量的水合肼还原石墨烯/AgVO₃中部分的银离子，得到石墨烯/Ag/AgVO₃纳米带复合物。石墨烯包裹Ag/AgVO₃纳米带复合物明显增强了它们的光催化活性与电容比容量。石墨烯/Ag/AgVO₃(含银15％)催化降解甲基橙效率明显AgVO₃。与石墨烯包裹AgVO₃复合材料的循环伏安曲线相比较，将样品中部分银离子还原后，循环性能较稳定，组装的柔性电容器的比容量更大。
一种石墨包裹 ag agvo3 纳米复合物制备方法

[发明专利]一种磷酸铋/碳复合光催化剂的制备方法-CN201710386657.X在审
发明人：刘勇平;杨之书;吕慧丹;耿鹏;林剑飞;米喜红 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： B01J27/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种提供一种磷酸铋/碳复合光催化剂的制备方法。首先采用沉淀法制备植酸铋取一定量的硝酸铋溶于500mL蒸馏水中，再加入硝酸使其完成溶解，再加入一定量的植酸，生产白色植酸铋沉淀。再在惰性气氛中原位碳化将干燥后的样品在惰性气体气氛炉中350‑700℃烧结1‑10h小时，降温后得到磷酸铋/碳复合光催化剂。该方法操作简便、条件温和、产率高，所制备的磷酸铋/碳复合光催化剂提高了可见光的吸收、光致电荷的分离效率，从而提高其光催化性能。
一种磷酸复合光催化剂制备方法

[发明专利]一种石墨烯量子点/SnS2纳米片复合光催化剂的制备方法-CN201710250266.5在审
发明人：刘勇平;米喜红;吕慧丹;耿鹏;王吉祥;林剑飞 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种GQDs/SnS2异质结光催化剂及其制备方法。采用简单的一步水热法将石墨烯量子点加入到含有硫源和四氯化锡(硫源与四氯化锡的摩尔比为2.21)水溶液中，120～180℃下水热反应一段时间就得到GQDs/SnS2异质结光催化剂。GQDs与SnS2纳米片的结合明显地增强了它们的光电性能与光催化性能，光生电流密度为是纯SnS2的5倍。异质结光催化降解甲基橙的活性优于SnS2纳米片。该方法操作简便、条件温和、产率高，所制备的GQDs/SnS2超薄纳米片具有很高的光催化及光电化学析氧能力。
一种石墨量子 sns2 纳米复合光催化剂制备方法

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