专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有绝缘延伸部的微机电换能器-CN200680021083.6有效
  • 黄勇力 - 科隆科技公司
  • 2006-06-16 - 2017-05-31 - H02N1/00
  • 公开了一种具有由含绝缘延伸部的绝缘体分隔的两个电极的微机电换能器(诸如cMUT)。两个电极在其间限定换能间隙。绝缘体具有一般设置在两电极之间的绝缘支承以及延伸至两电极中的至少一个中的绝缘延伸部,以在不增加换能间隙的情况下增加有效的绝缘。还公开了一种用于制造微机电换能器的方法。该方法可用于常规的基于膜的cMUT和具有移动刚性顶板的嵌入式弹簧的cMUT。
  • 具有绝缘延伸微机电换能器
  • [发明专利]具有声窗的CMUT组件-CN201310301269.9在审
  • 陈力;黄勇力 - 科隆科技公司
  • 2013-05-09 - 2013-12-04 - B06B1/06
  • 本发明公开了具有声窗的CMUT组件。在一些实施方式中,一种电容式微加工超声换能器(CMUT)装置包括一个或多个CMUT或CMUT阵列、声窗、耦合介质以及封装衬底。该声窗可具有多种配置,例如用于降低声反射或提高机械特性。在一些示例中,CMUT、声窗或耦合介质中的至少一个可具有用于将声能聚焦至CMUT或聚焦来自CMUT的声能的聚焦能力。
  • 有声cmut组件
  • [发明专利]静电换能器及阵列中的贯穿晶片互连-CN200880118644.3有效
  • 黄勇力 - 科隆科技公司
  • 2008-12-03 - 2010-10-27 - H01L21/00
  • 一种用于制造静电换能器和阵列的方法使用涉及两个切割步骤的技术来使换能器元件的衬底段彼此电分离,其中,第一步骤在衬底中形成摹制开口以产生衬底段的部分分离,以及第二步骤在衬底段被固定之后完成分离以防止在第二步骤完成时衬底段的不稳定。可以通过在部分分离中填充非导电材料或者在支撑衬底上固定换能器阵列来完成衬底段的固定。当衬底是导电性的时,分离的衬底段用作可以被单独编址的分离的底部电极。该方法对于制造1D换能器阵列尤其有用。
  • 静电换能器阵列中的贯穿晶片互连
  • [发明专利]双模式操作微机械超声换能器-CN200880118677.8有效
  • 黄勇力 - 科隆科技公司
  • 2008-11-26 - 2010-10-27 - A61B8/00
  • cMUT的实现具有双操作模式。cMUT具有两个不同的可切换操作条件,取决于cMUT中的弹性构件是否在cMUT中的接触点上接触相对表面。两个不同的操作条件具有取决于接触的不同的频率响应。cMUT可以被配置为当cMUT在第一操作条件下时操作在传输模式以及当cMUT在第二操作条件下时操作在接收模式。双操作模式cMUT的实现特别适合于超声谐波成像,其中接收模式接收更高的谐振频率。
  • 双模操作微机超声换能器
  • [发明专利]静电换能器阵列的封装和连接-CN200880118678.2有效
  • 黄勇力 - 科隆科技公司
  • 2008-12-03 - 2010-10-27 - H02N1/00
  • 用于封装cMUT阵列的方法的实施方式,其允许在cMUT阵列一面上被引入的相同封装基底上封装多个cMUT阵列。该封装基底是介电层,其上的开口被图案化用于沉淀导电层以将cMUT阵列连接到与外部设备面接的I/O衬垫上。辅助系统组件可以与cMUT阵列封装到一起。为了批量生产,多个cMUT阵列和可选择的多个辅助系统组件通过更大的支撑结构被固定在适当的位置。所述支撑结构能够使用廉价材料以任何尺寸制成。
  • 静电换能器阵列封装连接
  • [发明专利]微机械超声换能器中的可变工作电压-CN200880118696.0有效
  • 黄勇力 - 科隆科技公司
  • 2008-11-26 - 2010-10-27 - H01L41/00
  • cMUT和cMUT工作方法使用有具有不同频率特性的两个分量的输入信号。第一分量主要有在cMUT的频率响应带内的声频率而第二分量主要有在该频率响应带外的频率。偏置信号和输入信号的第二分量一起将工作电压应用到cMUT上。工作电压在工作模式如发送模式和接收模式间是可变的。cMUT仅需要一个AC分量就允许可变的工作电压。这使得偏置信号由多个cMUT元件共享并简化制造过程。cMUT和工作方法的实现尤其适合接收模式接收较高的谐波频率的超声谐波成像。
  • 微机超声换能器中的可变工作电压
  • [发明专利]用于超声系统的CMUT封装-CN200880117482.1有效
  • 黄勇力 - 科隆科技公司
  • 2008-12-03 - 2010-10-20 - A61B8/12
  • 超声扫描仪和制造超声扫描仪的方法。方法的一个实施方式包括使柔性电子器件(例如,IC)和柔性超声换能器(例如,圆形CMUT阵列的一部分)与柔性构件集成。IC、换能器和柔性构件可形成柔性子组件,柔性子组件被卷起以形成超声扫描仪。IC和换能器的集成可同时发生。在可选方案中,电子器件的集成可出现在换能器的集成之前。而且,换能器的集成可包括使用半导体技术。此外,卷起的子组件可形成管腔或可连接到管腔。该方法可包括折叠柔性子组件的一部分以形成前视换能器。一些子组件的柔性构件可包括一对臂。
  • 用于超声系统cmut封装
  • [发明专利]具有电容式微机械超声波换能器的超声波扫描设备-CN200880117507.8无效
  • 黄勇力 - 科隆科技公司
  • 2008-12-03 - 2010-10-13 - A61B8/12
  • 本发明提供了超声波扫描设备和超声波扫描设备的制造方法,该方法的一个实施方式包括,将柔性电子器件(如集成电路)、柔性超声波换能器(如圆形CMUT阵列的一部分)和柔性构件集成。该集成电路、换能器和柔性构件可形成以柔性子组件,该子组件被卷起以形成超声波扫描设备。集成电路和换能器的集成可同时发生。可选地,电子设备的集成可发生在换能器的集成之前。另外,换能器的集成可包括使用半导体技术。而且,卷起的子组件可形成管腔或可被接合到管腔。该方法可包括折叠柔性子组件的一部分,以形成前视换能器。一些子组件的柔性构件可以包括一对支架。
  • 具有电容式微机械超声波换能器扫描设备
  • [发明专利]微机电换能器-CN200680017137.1有效
  • 黄勇力 - 科隆科技公司
  • 2006-05-18 - 2009-11-25 - H02N1/00
  • 本申请公开了一种微机电换能器(诸如cMUT)。该换能器(511)具有衬底(501)、顶板(504)和其间的弹性结构(520)。弹性结构具有分布在装置元件区上的多个连接器(530)以垂直移动、具有分布的支承的顶层。弹性结构(520)可以是利用覆盖衬底上的空腔的中间弹性层形成的悬臂。连接器(530)在顶板(540)下限定换能空间。弹性结构(520)实现连接器的垂直位移,它使顶板(540)以类似于活塞的运动移动,以改变换能空间并实现能量转换。对于每一个可寻址换能器元件单独的单元是不必要的。可在同一衬底上形成多个装置元件。
  • 微机电换能器
  • [发明专利]微机电装置的制造方法-CN200680022644.4有效
  • 黄勇力 - 科隆科技公司
  • 2006-05-18 - 2009-11-11 - H01L21/00
  • 公开了一种用于制造微机电装置(诸如cMUT)的方法。该方法利用晶片接合技术或牺牲技术将衬底、中间弹性层和顶板结合起来。空腔在衬底的顶部或中间弹性层的底部形成。连接器在中间弹性层的顶部或顶板层的底部上形成。在接合三层之后连接器在顶板层和中间弹性层之间限定换能空间。连接器在水平方向上离开侧壁以限定锚固在侧壁处的悬臂。悬臂和空腔允许连接器的垂直位移,连接器以类似于活塞的运动移动顶部晶片,以改变换能空间。可在同一衬底上形成多个装置。
  • 微机装置制造方法
  • [发明专利]微机电换能器-CN200680017139.0有效
  • 黄勇力 - 科隆科技公司
  • 2006-05-18 - 2009-11-04 - H02N1/00
  • 本发明公开了一种微机电换能器(诸如cMUT)。该换能器(500)具有衬底(501)、顶板(540)和其间的中间弹性层(520)。衬底(501)和中间弹性层(520)在其间限定以支承特征部为侧壁的空腔。中间弹性层(520)由支承特征部锚固以在空腔上形成悬臂以实现位于中间弹性层(520)上的连接器的垂直位移。连接器在中间弹性层(520)和顶板(540)之间限定换能空间。通过连接器的垂直位移以类似于活塞的运动移动顶板(540),来改变换能空间并实现能量转换。各种构造的悬臂包括单悬臂、背对背双悬臂和头对头的双悬臂(桥)是可能的。
  • 微机电换能器
  • [发明专利]穿过晶片的互连-CN200680025783.2无效
  • 黄勇力 - 科隆科技公司
  • 2006-05-18 - 2008-07-16 - H01L21/44
  • 公开了穿过晶片的互连及其制造方法。该方法以导电晶片(300)开始以通过去除该导电晶片的材料来形成图案化沟槽。图案化沟槽在深度上从晶片的正面延伸到背面,并具有将导电晶片大致分成内部和外部的环形开口,由此导电晶片的内部与外部绝缘并用作穿过晶片的导体(310)。形成介电材料(320)或将其添加到图案化沟槽以机械上支承并电绝缘穿过晶片的导体。可将多个导体形成一阵列。
  • 穿过晶片互连

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