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[发明专利]半导体器件的接合构件-CN202180063458.X在审
发明人： 福井彰;福井俊惠 -专利权人：株式会社半导体热研究所
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B23K35/14 文献下载
摘要：一种接合构件10，其为用于接合半导体器件20与基板30的接合构件10，所述接合构件10具备：热应力缓和层11，其由Ag、Cu、Au和Al中的任意者形成；第1Ag钎焊材料层12，其设置于热应力缓和层的接合有半导体器件一侧、且将Ag和Sn作为主成分；第2Ag钎焊材料层13，其设置于热应力缓和层的接合有基板一侧、且将Ag和Sn作为主成分；第1阻隔层14，其设置于热应力缓和层与第1Ag钎焊材料层之间、且由Ni和/或Ni合金形成；和，第2阻隔层15，其设置于应力缓和层与第2Ag钎焊材料层之间、且由Ni和/或Ni合金形成，所述接合构件10的功率循环试验后的接合构件导热率为200W/m·K以上。
半导体器件接合构件

[发明专利]散热基板及该散热基板的制造方法-CN201580054759.0有效
发明人： 福井彰 -专利权人：株式会社半导体热研究所
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：通过镀覆在以主金属和添加金属及金刚石的粉末为主成分的合金复合体的表面形成金属层，在该金属层及该合金复合体的熔点以下进行加热及加压，由此得到表面具有缺陷少的金属层的散热基板。由此，能够得到线膨胀系数为6.5ppm/K以上且15ppm/K以下、热导率为420W/m·K以上、能够施加为表面的缺陷被修复的金属层、软钎焊的孔隙率为5％以下的Ni系镀覆的散热基板。
散热制造方法

[发明专利]外延晶片的制造方法-CN201480033155.3有效
发明人： 福井彰 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：遵循本发明的外延成长条件的调整方法的特征在于，具备：第1测量工序（S1），测量形成外延膜（12a）之前的晶片（11）的厚度分布；第2测量工序（S3），测量外延成长处理工序（S2）之后且研磨工序（S4）前的外延晶片（10B）的厚度分布及外延膜（12a）的膜厚分布；第3测量工序（S5），测量外延晶片（10C）的厚度分布及外延膜（13a）的膜厚分布；和使用在第1、第2及第3测量工序中测量出的厚度分布及膜厚分布调整外延成长条件的工序（S6）。
外延晶片制造方法

[发明专利]散热基板和该散热基板的制造方法-CN201580065996.7在审
发明人： 福井彰 -专利权人：株式会社半导体热研究所
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明通过对由粗粒的Mo或粗粒的W、和Cu构成的CuMo或CuW的合金复合体进行致密化处理，然后进行横轧，从而制造在平行于表面的面内的任意方向上、在室温以上且800℃以下的线膨胀系数的最大值为10ppm/K以下、在温度200℃下的热导率为250W/m·K以上的散热基板。
散热制造方法

[发明专利]半导体装置用部件及其制造方法-CN200680002780.7有效
发明人： 福井彰 -专利权人：联合材料公司
申请日： 2006-01-11 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提供一种低价的半导体装置用部件及其制造方法，该半导体装置用部件可以在表面上形成高品质的镀层，高温(100℃)下的热传导率大于或等于180W/(m·K)，具有不会由螺栓紧固等导致开裂程度的韧性，并且，即使通过焊接而与其它部件接合，也不会由热应力导致脱焊。半导体装置用部件(1)，其热膨胀系数大于或等于6.5×10^－6/K而小于或等于15×10^－6/K，温度100℃下的热传导率大于或等于180W/(m·K)，其具有：基材(11)，其由原材料为粉末材料的铝－碳化硅复合材料构成，该铝－碳化硅复合材料是将颗粒状的碳化硅分散在铝或铝合金中而成，其碳化硅的含量大于或等于30质量％而小于或等于85质量％；以及表面层(12)，其与基材(11)的上下表面接合，其含有原材料为熔铸材料的铝或铝合金。
半导体装置部件及其制造方法