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- [发明专利]研磨装置及研磨方法-CN202210182363.6在审
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佐佐木俊光;八木圭太;盐川阳一
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株式会社荏原制作所
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2022-02-25
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2022-09-02
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B24B37/10
- 本发明提供一种可获得所需的膜厚轮廓的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨单元(14a)；测量基板(W)的膜厚轮廓的膜厚测量器(8)；及至少控制研磨单元和膜厚测量器的动作的控制装置(30)。控制装置预先存储有考虑随着各压力室(7a～7h)内的压力变化而基板的多个监视区域相互间产生的研磨量的变化制作而成的反应模型。再者，控制装置使用膜厚测量器取得基板研磨前的膜厚轮廓，并以依据研磨前的基板的膜厚轮廓与基板的目标膜厚的差值及反应模型制作而成的最佳研磨方案来研磨基板。下一个基板则以依据下一个基板的目标研磨量与使用最佳研磨方案及前一个基板在研磨前后的膜厚轮廓而修正的反应模型制作而成的新的最佳研磨方案来研磨。
- 研磨装置方法
- [发明专利]研磨方法-CN202210133260.0在审
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金马利文;木下将毅;盐川阳一
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株式会社荏原制作所
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2018-07-19
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2022-05-06
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B24B37/013
- 提供能够高精度地测定膜厚而不影响晶片的研磨率的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨头(5)，用于将晶片(W)按压于研磨垫；投光光纤(34)，具有顶端(34a)，并且连接于光源(30)，所述顶端配置在研磨台(3)内的流路(7)内；分光仪(26)，根据波长分解来自晶片的反射光并对各波长的反射光的强度进行测定；受光光纤(50)，具有顶端(50a)，并且连接于分光仪，所述顶端配置在流路内；处理部(27)，确定晶片的膜厚；液体供给线路(62)，与流路连通；气体供给线路(63)，与流路连通；液体供给阀(65)，安装于液体供给线路；气体供给阀(67)，安装于气体供给线路；以及动作控制部(71)，控制液体供给阀及气体供给阀的动作。
- 研磨方法
- [发明专利]研磨装置及研磨方法-CN201810796740.9有效
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金马利文;木下将毅;盐川阳一
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株式会社荏原制作所
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2018-07-19
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2022-03-15
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B24B37/013
- 提供能够高精度地测定膜厚而不影响晶片的研磨率的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨头(5)，用于将晶片(W)按压于研磨垫；投光光纤(34)，具有顶端(34a)，并且连接于光源(30)，所述顶端配置在研磨台(3)内的流路(7)内；分光仪(26)，根据波长分解来自晶片的反射光并对各波长的反射光的强度进行测定；受光光纤(50)，具有顶端(50a)，并且连接于分光仪，所述顶端配置在流路内；处理部(27)，确定晶片的膜厚；液体供给线路(62)，与流路连通；气体供给线路(63)，与流路连通；液体供给阀(65)，安装于液体供给线路；气体供给阀(67)，安装于气体供给线路；以及动作控制部(71)，控制液体供给阀及气体供给阀的动作。
- 研磨装置方法
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