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[发明专利]一种利用钕铁硼固体废料制备Nd2-CN201810208373.6有效
发明人：刘仲武;田忆兰;钟喜春;邱万奇;焦东玲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01F1/11 文献下载
摘要：本发明属于稀土永磁废料回收领域，公开了一种利用钕铁硼固体废料制备Nd2Fe14B/α‑Fe纳米复合磁粉的方法。将钕铁硼固体废料经清洗、干燥、粉碎预处理后用强酸溶液溶解，滤去不溶物，所得溶液通过微波辅助化学合成法、溶胶凝胶法或喷雾热解法制备纳米晶混合氧化物；将所得纳米晶混合氧化物通过还原剂还原，得到Nd2Fe14B/α‑Fe纳米复合磁粉。本发明的方法工艺简单、经济环保，避免了传统湿法冶金流程长、能耗大、污染严重等缺点，同时实现了废料高价值的利用，得到的Nd2Fe14B/α‑Fe纳米复合磁粉晶粒细小、成分均匀、具有较强的交换耦合作用。
一种利用钕铁硼固体废料制备 nd base sub

[实用新型]一种超薄散热型磁场屏蔽片-CN201820510417.6有效
发明人：曾志超;鲁晓燕;田忆兰;刘仲武 -专利权人：深圳市驭能科技有限公司;华南理工大学
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本实用新型属于电子材料领域，公开了一种超薄散热型磁场屏蔽片。所述磁场屏蔽片由多层碎化后纳米晶带材在导热双面胶的黏合作用下复合组成；所述超薄散热型磁场屏蔽片的总体厚度为80～140μm；所述碎化后纳米晶带材的单层厚度为7～22μm，导热双面胶的单层厚度为3～5μm，碎化后纳米晶带材的单体间隙为0.1～5μm。并可进一步使用厚度为5～15μm的散热保护膜包边处理。本实用新型磁场屏蔽片的厚度相对传统隔磁片更薄，并进一步采用散热保护膜包边处理，所得磁场屏蔽片的散热效果得到了显著的提高。
磁场屏蔽纳米晶散热型带材碎化本实用新型导热双面胶散热保护膜包边单层电子材料领域散热效果隔磁片多层黏合复合

[发明专利]一种超薄散热性能优良的磁场屏蔽片及其制备方法-CN201810318746.5在审
发明人：曾志超;鲁晓燕;田忆兰;刘仲武 -专利权人：深圳市驭能科技有限公司;华南理工大学
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明属于电子材料领域，公开了一种超薄散热性能优良的磁场屏蔽片及其制备方法。将非晶纳米晶带材在550～650℃温度下热处理，得到厚度为7～22μm的纳米晶带材；在所得纳米晶带材的单面或双面使用厚度为3～5μm的导热双面胶进行复胶处理，然后将纳米晶带材碎化为间隙为0.1～5μm的不连续单体，最后将多层碎化后的纳米晶带材层压复合，得到所述超薄散热性能优良的磁场屏蔽片。本发明的方法可以将纳米晶带材做到更薄，由传统的25μm以上降低至7～22μm，并进一步采用金属箔或者石墨片进行包边处理，显著降低了磁场屏蔽片的厚度并提高了散热性能。
纳米晶带材磁场屏蔽散热性能制备电子材料领域导热双面胶热处理层压复合双面使用不连续传统的金属箔石墨片包边多层非晶复胶碎化