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[发明专利]用于以基于缺陷的过程窗口为基础的校准模拟过程的方法-CN202180014721.6在审
发明人： K·范因根史奇劳;A·史拉奇特;瓦迪姆·尤里耶维奇·季莫什科夫;M·库伊曼;玛丽亚-克莱尔·范拉尔;H·A·迪伦;斯蒂芬·亨斯克;路易斯·阿尔贝托·科利纳·圣玛丽亚·科琳娜;蒋爱琴;王富明;苏达沙南·拉格纳坦 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文中描述关于改善与芯片的制造相关联的模拟过程和解决方案(例如，重定目标图案)的方法。方法包括获得多个剂量‑焦距设置、和基于与所述多个剂量‑焦距设置中的每个设置相关联的被印制的图案的特性的测量值的参考分布。所述方法还包括基于调整模型和所述多个剂量‑焦距设置来确定所述特性的概率密度函数(PDF)，使得减小所述PDF与所述参考分布之间的误差。所述PDF可以是所述调整模型和与剂量相关联的方差的函数，所述调整模型被配置成改变对所述PDF的非线性剂量敏感度贡献的比例。可以基于所述特性的所确定的PDF来调整过程窗口。
用于基于缺陷过程窗口基础校准模拟方法

[发明专利]在半导体制造过程中应用沉积模式的方法-CN202080047195.9在审
发明人： M·皮萨连科;M·范德斯卡;张怀辰;玛丽亚-克莱尔·范拉尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：描述了一种在半导体制造过程中应用沉积模型的方法。该方法包括：使用沉积模型预测衬底的沉积轮廓；并且使用预测沉积轮廓来增强量测目标设计。使用来自物理晶片的层的经验横截面轮廓信息来校准沉积模型。在一些实施例中，沉积模型是机器学习模型，并且校准沉积模型包括训练机器学习模型。量测目标设计可包括对准量测目标设计或重叠量测目标设计。
半导体制造过程应用沉积模式方法

[发明专利]图案形成装置-CN202080032591.4在审
发明人： 玛丽亚-克莱尔·范拉尔;F·J·蒂默曼 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种被配置用于光刻设备的图案形成装置，所述光刻设备被配置为使用辐射经由投影光学器件将所述图案形成装置的图案成像到衬底上。所述图案形成装置包括：第一部件，用于反射和/或透射所述辐射；以及第二部件，覆盖所述第一部件的表面的至少部分，并且被配置为至少部分地吸收入射到所述第二部件上的所述辐射。所述第二部件包括侧壁，其中所述侧壁的至少部分以一角度从所述第一部件延伸离开第一部分，所述角度是相对于平行于所述第一部件的所述表面的平面的，并且其中所述角度小于85度。
图案形成装置

[发明专利]图案形成装置及其使用方法-CN202080012376.8在审
发明人： 玛丽亚-克莱尔·范拉尔;F·J·蒂默曼;F·维特布罗德;J·M·麦克纳马拉;J·M·芬德尔斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：一种衰减相移图案形成装置包括：第一部件，用于反射辐射；以及第二部件，用于以相对于从所述第一部件反射的辐射不同相位反射辐射，所述第二部件覆盖所述第一部件的所述表面的至少一部分，使得包括所述第一部件的至少一个未覆盖部分的图案被形成用于在使用中的光刻设备中生成图案化辐射束，其中所述第二部件包括具有实部(n)小于0.95并且虚部(k)小于0.04的折射率的材料。
图案形成装置及其使用方法

[发明专利]形成图案化的材料层的方法和设备-CN201980016708.7在审
发明人： P·W·H·德贾格;S·F·乌伊斯特尔;玛丽亚-克莱尔·范拉尔;R·C·马斯;A·O·波利亚科夫;T·朱兹海妮娜;V·沃罗尼纳;E·库尔干诺娃;J·V·奥沃卡姆普;B·卡斯川普;M·范卡朋;A·多尔戈夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开用于形成图案化的材料层的方法和设备。在一种布置中，在沉积过程期间利用具有小于100nm的波长的电磁辐射来辐照衬底的表面的选定部分。此外，电场控制器被配置成施加被定向以便迫使二次电子远离所述衬底的电场。所述辐照在选定区中局部地驱动所述沉积过程且由此使所述沉积过程以由所述选定部分限定的图案形成材料层。
形成图案材料方法设备

[发明专利]抗蚀剂组合物-CN201780030963.8在审
发明人： W-P·福尔蒂森;玛丽亚-克莱尔·范拉尔;S·F·伍伊斯特 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物包含：a)含金属的纳米颗粒和/或纳米簇，和b)配体和/或有机连接体，其中a)或b)中的一种或两者是多价的。一种抗蚀剂组合物，其中：i)所述抗蚀剂组合物是负性抗蚀剂，并且所述纳米颗粒和/或纳米簇在暴露于电磁辐射或电子束后所述配体和/或有机连接体交联时成簇；或ii)所述抗蚀剂组合物是负性抗蚀剂，并且所述配体和/或有机连接体是交联的，并且交联键在暴露于电磁辐射或电子束时断裂，使所述纳米颗粒和/或纳米簇成簇到一起；或所述抗蚀剂组合物是正性抗蚀剂，并且所述配体和/或有机连接体是交联的，并且交联键在暴露于电磁辐射或电子束时断裂。
抗蚀剂组合物有机连接体电子束配体电磁辐射纳米颗粒纳米簇交联负性抗蚀剂交联键成簇暴露断裂正性抗蚀剂金属