专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [外观设计]瓶贴-CN202130038433.7有效
  • 王科平 - 王科平
  • 2021-01-19 - 2021-05-25 - 19-08
  • 1.本外观设计产品的名称:瓶贴。2.本外观设计产品的用途:用于粘贴在瓶子上。3.本外观设计产品的设计要点:在于图案。4.最能表明设计要点的图片或照片:主视图。5.后视图无设计要点,省略后视图;本外观设计为平面产品,省略其他视图。
  • 瓶贴
  • [发明专利]一种谐波抑制发射机-CN201910435569.3有效
  • 王科平;周于浩 - 东南大学
  • 2019-05-23 - 2021-03-09 - H04B1/04
  • 本发明公开了一种谐波抑制发射机,包括:数据调制器,环形振荡器,移相器,谐波抑制边沿耦合器,功放电路和天线;其中数据调制器,用于接收待发射数字基带信号,并对所述待发射信号进行调制,产生低频已调制信号;环形振荡器,用于根据所述数据调制器提供的低频已调制信号,输出一组等相位间隔的低频信号;移相器,用于对所述低频信号进行移相处理,分别产生第二组和第三组低频信号;谐波抑制边沿耦合器,用于对所述的三组低频信号进行边沿耦合,输出高频阶梯波。本实施例的谐波抑制发射机,环形振荡器和移相器均工作于低频,降低电路功耗;能够输出近似正弦信号的阶梯波,具备谐波抑制功能,无需电感电容网络,减小电路面积。
  • 一种谐波抑制发射机
  • [发明专利]一种自适应环形振荡器-CN202010594157.7在审
  • 王科平;宗培胜;崔梦倩 - 天津大学
  • 2020-06-28 - 2020-10-13 - H03L7/099
  • 本发明公开了一种自适应环形振荡器,包括自适应PVT的直流电压供给电路和N级环形振荡器,其中:自适应PVT的直流电压供给电路,与N级环形振荡器相接,用于在不同PVT情况下产生不同的直流电压,并用该直流电压来改变N级环形振荡器中延时单元的延时时间,进而对N级环形振荡器中的振荡频率进行补偿;其中,N为奇数,且N≥3。本发明公开的一种自适应环形振荡器,其设计科学,能够随着PVT变化而对应产生不同的直流供给电压,用来控制环形振荡器中延时单元的延时时间,从而实现提升环形振荡器整体频率稳定性的效果,具有较好的应用前景,具有重大的实践意义。
  • 一种自适应环形振荡器
  • [实用新型]一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路-CN202020437567.6有效
  • 黄继伟;王科平;张祥;陈星 - 福州大学
  • 2020-03-31 - 2020-09-01 - H03B5/04
  • 本实用新型涉及一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路。所述Pierce振荡电路的正弦信号输出端与输出缓冲电路的输入端连接,输出缓冲电路的输出端与分频器的输入端连接,分频器的输出端与温度传感器的输入端连接,温度传感器的输出端与非易失性存储器模块的输入端连接,非易失性存储器模块的输出端分别与第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的开关控制信号端连接,第一开关电容阵列的一端、第二开关电容阵列的一端分别与Pierce振荡电路的第一负载电容输入端、第二负载电容输入端连接,第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的另一端均连接至GND。本实用新型通过非易失性存储器模块在不同温度下调节相应的负载电容容值来减小FBAR振荡电路随温度变化产生的频率漂移,提高了频率稳定度。
  • 一种基于cmos温度补偿fbar晶体振荡器电路
  • [实用新型]一种耐磨锥双机筒-CN201921207491.1有效
  • 包明刚;包奇斌;王科平;王明力;刘毅;方君;张麒麟;陈辉;赵志强 - 浙江光明塑料机械有限公司
  • 2019-07-29 - 2020-07-10 - B29C48/68
  • 一种耐磨锥双机筒,包括筒体和耐磨套,耐磨套呈横躺的“8”字形,耐磨套套置在机筒前段和机筒中段的锥双通孔中,耐磨套的前端面与机筒前段的前端面相平齐,耐磨套的后端面贴合在机筒后段的前端面上,机筒前段和机筒中段的锥双通孔分别与耐磨套相适配,机筒前段的长度为1300~1340mm,机筒中段的长度为1015~1055mm,机筒后段的长度为620~660mm,套入耐磨套后的筒体前端面的圆孔直径为105~115mm,筒体前端面的圆心距为83~93mm,筒体后端面的圆孔直径为215~225mm,筒体后端面的圆心距为176~186mm。本实用新型的优点在于:物料处理效果好,物料不易堵塞或断流,延长机筒的使用寿命。
  • 一种耐磨双机
  • [发明专利]一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路及工作方法-CN202010240161.3在审
  • 黄继伟;王科平;张祥;陈星 - 福州大学
  • 2020-03-31 - 2020-06-02 - H03B5/04
  • 本发明涉及一种基于CMOS的温度补偿FBAR晶体振荡器的电路及工作方法。所述电路中述Pierce振荡电路的正弦信号输出端与输出缓冲电路的输入端连接,输出缓冲电路的输出端与分频器的输入端连接,分频器的输出端与温度传感器的输入端连接,温度传感器的输出端与存储器模块的输入端连接,存储器模块的输出端分别与第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的开关控制信号端连接,第一开关电容阵列的一端、第二开关电容阵列的一端分别与Pierce振荡电路的第一负载电容输入端、第二负载电容输入端连接,第一开关电容阵列、第二开关电容阵列的另一端均连接至GND。本发明通过存储器模块在不同温度下调节相应的负载电容容值来减小FBAR振荡电路随温度变化产生的频率漂移,提高了频率稳定度。
  • 一种基于cmos温度补偿fbar晶体振荡器电路工作方法

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