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[发明专利]化学机械研磨工艺的研磨头清洗方法-CN202011345481.1有效
发明人：陈慧新;李松;王大帮;宋振伟;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本发明涉及化学机械研磨工艺的研磨头清洗方法，包括S1：在初始状态下研磨头压向一外部装置，使外部装置与研磨头形成一封闭的腔体；S2：将研磨头抬起，使腔体与外界大气压相通，而使台阶处的膜片区域向远离固定腔体装置的方向下耷，提供清洗装置，清洗装置喷出清洗液对研磨头进行清洗；S3：对腔体进行抽真空，使台阶处的膜片区域向靠近固定腔体装置的方向上移，清洗装置喷出清洗液继续对研磨头进行清洗；停止抽真空，使台阶处的膜片区域再次向远离固定腔体装置的方向下耷，清洗装置喷出清洗液继续对研磨头进行清洗，多次重复该操作直至将台阶处的副产物清洗掉；以及S4：将研磨头压向外部装置，进行研磨工艺，而可彻底清洗副产物。
化学机械研磨工艺清洗方法

[实用新型]一种废液排放用水气分离结构-CN202120818570.7有效
发明人：李北超;王大帮;解攀柱;瞿治军;夏金伟 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C02F1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种废液排放用水气分离结构，包括第一排液管、缓冲容纳腔、第二排液管、排气管；缓冲容纳腔内设置的隔板将缓冲容纳腔分割为底部联通的排液腔体、排气腔体，排液腔体的顶部联通第一排液管，排液腔体的底部联通第二排液管；排气管设置于排气腔体的一侧壁并靠近顶面；本实用新型通过设置缓冲容纳腔，使气液分离时废液中的液体成分不容易进入排气管，厂务端排液主管路产生的反气也能很顺利地从排气管排出，既保障了水气分离效果，又保障了排气管的使用寿命不受影响，还不会对清洗单元的清洗效果产生影响；另外，通过设置滤网，避免了因气泡在排气管堆积而影响气液分离效果以及可能导致的漏液和对管壁的腐蚀。
一种废液排放水气分离结构

[发明专利]CMP设备的内外压力平衡结构-CN202011482425.2在审
发明人：张守龙;倪立华;瞿治军;夏金伟;郭志田;王大帮 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： B24B37/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMP设备的内外压力平衡结构，在所述的研磨腔室的顶部安装FFU，所述研磨腔室采用两层门板，内外形成夹层作为高气压区；从顶部FFU通过一块第一斜板与门板内层相接，研磨腔室排气管道中加装压缩空气喷头，高压气流从顶部沿门板夹层通道向下通过压缩空气喷头喷出；排气管道还具有一通道与研磨腔室内部环境相连，所述排气管道出口下方具有一第二斜板；第一斜板下方具有水帘，水从水帘喷出并沿着研磨腔室门板内壁流下并被收集引入到排气管道以及气液分离装置。所述第二斜板的背面处具有空气导管，经排气管道排出的气流通过空气导管排出，水沿第二斜板流下落入排水管道并被排出。
cmp 设备内外压力平衡结构

[实用新型]研磨装置-CN200720073815.8有效
发明人：周海锋;高喜峰;王大帮;蔡宗成 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2007-08-20 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种研磨装置，涉及半导体领域的制造设备。该研磨装置包括研磨头、控制器以及连接研磨头和控制器的孔轴，孔轴具有气体流通管道，控制器控制孔轴内的气体在气体流通管道内的流动状况，该研磨装置在孔轴上安装有过滤器，其可将研磨头产生的碎片过滤掉。而且该过滤器可拆卸地安装在孔轴上。与现有技术相比，本实用新型研磨装置通过在孔轴上设置过滤器将产生的碎片过滤掉，有效保护控制器不受损坏，过滤器比控制器成本低，更换过滤器比更换控制器，可有效降低了生产成本。
研磨装置