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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造氧化物薄膜晶体管的方法-CN201310548204.4有效
发明人：朴相武;金峰澈;河灿起;权真佑;李炯兆 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造氧化物薄膜晶体管的方法，所述方法包括如下步骤在包括栅极的基板的前表面上形成栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成氧化物半导体层；在所述基板的所述前表面上依次形成下数据金属层和上数据金属层；通过湿蚀刻对所述上数据金属层进行构图来形成上源极图案和上漏极图案；使用所述上源极图案和所述上漏极图案作为掩模，通过干蚀刻对所述下数据金属层进行构图，来形成下源极图案和下漏极图案；在所述基板的所述前表面上形成第一钝化膜；对所述氧化物半导体层进行热处理；以及在所述第一钝化膜的前表面上形成第二钝化膜。
制造氧化物薄膜晶体管方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN201310063223.8有效
发明人：赵容秀;文教浩;安炳龙;河灿起 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及了一种具有优异特性的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。所述薄膜晶体管阵列基板包括基板，位于所述基板上的栅电极，位于所述栅电极上的栅绝缘层，位于所述栅绝缘层上并且包括沟道的有源层，位于所述有源层上的欧姆接触层，以及通过所述欧姆接触层而分别与所述有源层的两侧连接的源电极和漏电极。所述栅绝缘层包括位于所述有源层附近的磷掺杂层。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]制造氧化物薄膜晶体管的方法和显示装置-CN201210477808.X有效
发明人：崔桂澈;金峰澈;河灿起;朴相武 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造氧化物薄膜晶体管的方法，所述方法包括下述步骤：在基板上形成氧化物半导体的有源层；对所述有源层进行等离子体表面处理，以使氧渗透进所述有源层中。因为对氧化物半导体的有源层进行含氧等离子体表面处理，所以可防止由于有源层中氧浓度的不均匀而导致的元件特性劣化。
制造氧化物薄膜晶体管方法显示装置

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