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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有多个存储器单元垫的半导体装置-CN202310046777.0在审
  • 松本博一;佐藤诚;铃木亮太;江上镜花 - 美光科技公司
  • 2023-01-13 - 2023-07-21 - G11C5/02
  • 本文公开的是一种具有多个存储器单元垫的半导体装置，其包含：存储器单元阵列，其包含在第一方向布置的多个第一存储器单元垫；第一电压线，其经供应有第一电压，所述第一电压线在所述第一方向上延伸且连接到多个第一通路，所述多个第一通路各自布置在所述多个第一存储器单元垫中的偶数编号者中的对应者上方；以及第二电压线，其经供应有不同于所述第一电压的第二电压，所述第二电压线在所述第一方向上延伸且连接到多个第二通路，所述多个第二通路各自布置在所述多个第一存储器单元垫中的奇数编号者中的对应者上方。
  • 具有存储器单元半导体装置
  • [发明专利]具有STI区的半导体装置-CN202211557744.4在审
  • 铃木亮太;佐藤诚;松本博一;江上镜花 - 美光科技公司
  • 2022-12-06 - 2023-06-09 - H01L27/092
  • 本申请案涉及具有STI区的半导体装置。本文中公开一种设备，其包含：半导体衬底，其包含沿第一方向布置的第一和第二STI区、具有第一导电类型且被所述第一STI区环绕的第一扩散区、具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型且被所述第二STI区环绕的第二扩散区，以及第三扩散区，所述第三扩散区沿垂直于第二方向延伸以使得所述第三扩散区布置于所述第一和第二STI区之间；第一栅电极，其包含覆盖所述第一扩散区的部分以形成P沟道MOS晶体管的第一多晶硅膜；第二栅电极，其包含覆盖所述第二扩散区的部分以形成N沟道MOS晶体管的第二多晶硅膜；和第三多晶硅膜，其沿所述第二方向延伸以使得所述第三多晶硅膜覆盖所述第三扩散区。
  • 具有sti半导体装置
  •  1 
  • 共 3 条
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