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- [实用新型]一种炉管设备-CN202321040733.9有效
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夏邦链
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武汉楚兴技术有限公司
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2023-05-04
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2023-10-24
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C23C16/455
- 本实用新型提供一种炉管设备，包括：反应腔室、多个进气管路和至少一个出气通道。多个进气管路均匀设置在待成膜结构周围并且沿着多个待成膜结构的排列方向延伸。每个进气管路包括多个进气口，多个进气口沿着第一方向间隔设置且每个进气口的开口方向朝向待成膜结构，出气通道位于反应腔室内壁与进气管路之间，通过进气管路包括的多个进气口通入反应腔室内的气体通过出气通道排出，实现反应气体在反应腔室内的均匀循环。通过设置多个和待成膜结构的排列方向平行的进气管路，通过进气管路上的多个进气口在平行于待成膜结构表面的方向上均匀进气，提高处于不同反应腔室位置处的待成膜结构周围的气体浓度均匀性，进而提高制造得到的膜层厚度均匀性。
- 一种炉管设备
- [实用新型]机台校准系统-CN202321153178.0有效
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徐庆功;李志琨;彭锐
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武汉楚兴技术有限公司
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2023-05-11
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2023-09-26
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H01L21/68
- 本申请实施例公开了一种机台校准系统，涉及半导体技术领域，机台包括基座、固定部件和至少一个可调部件，固定部件和可调部件均连于基座，固定部件和可调部件的轴线平行，固定部件的中心与基座之间的距离固定，可调部件的中心与基座之间的距离可调节；校准系统包括校准装置，校准装置包括定位部和止挡部，止挡部的第一端与定位部固定连接，止挡部的第二端设置有止挡结构；定位部将校准装置定位到校准位置，校准装置位于校准位置时，止挡结构与固定部件的中心在固定部件轴向上的距离等于可调部件的轴向尺寸的一半，并且，止挡结构能沿可调部件的轴向投影到可调部件上。本申请能提升可调部件的调整效率、保证可调部件的调整准确度。
- 机台校准系统
- [实用新型]一种化学机械研磨设备-CN202320713595.X有效
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曹远志
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武汉楚兴技术有限公司
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2023-04-03
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2023-08-29
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B24B37/005
- 本申请提供一种化学机械研磨设备，化学机械研磨设备包括研磨头、研磨盘、研磨臂和控制模块，研磨头用于将待研磨物保持在研磨头和研磨盘之间，研磨臂包括至少一个研磨液输运管路，研磨液输运管路用于将研磨液输运至研磨盘，以对待研磨物研磨；研磨臂包括至少一个第一加热模块和第一温度传感器，每个第一加热模块用于对每个研磨液输运管路中的研磨液加热，每个第一温度传感器用于测量每个研磨液输运管路中的研磨液的温度；控制模块用于调控第一加热模块的加热功率，从而将研磨液的温度维持在设定的温度值。通过对研磨液进行升温，提高研磨速度，实现对加工过程中化学作用进行控制，降低对待研磨物的划伤缺陷，还可以提升CMP研磨工艺的选择比调节。
- 一种化学机械研磨设备
- [实用新型]一种晶圆加热系统-CN202320247174.2有效
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程祥雨
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武汉楚兴技术有限公司
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2023-02-16
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2023-08-22
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H01L21/67
- 本申请提供了一种晶圆加热系统，该系统包括：晶圆卡盘；热源，位于晶圆卡盘的一侧；温度传感器，位于晶圆卡盘的另一侧，且温度传感器可移动接触位于晶圆卡盘上的晶圆表面；控制单元，分别与温度传感器和热源连接。从而本申请可以调控晶圆表面的温度，对晶圆进行加热，减小了晶圆与清洗剂之间的温度差，提升化学反应速率，提高清洗制程温度窗口，改善清洗效果，减少了晶圆表面的异物残留。同时，降低了因为晶圆与清洗剂之间的温度差，而可能导致的晶圆形变甚至破片的风险。
- 一种加热系统
- [实用新型]一种机台干燥系统-CN202320449797.8有效
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陈函
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武汉楚兴技术有限公司
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2023-03-03
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2023-08-18
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H01L21/67
- 本申请提供一种机台干燥系统，包括机台、控制单元、第一湿度传感器和湿度调控单元；第一湿度传感器位于机台的腔室内，用于测量腔室内的湿度；控制单元与第一湿度传感器连接，用于获取腔室内的湿度；控制单元与湿度调控单元连接，用于在腔室内的湿度大于预设阈值时，控制湿度调控单元开启；湿度调控单元与机台连接，湿度调控单元包括至少一个冷凝器，湿度调控单元用于将外部气体通过冷凝器冷凝得到目标气体，以便将目标气体传输至机台的腔室内。冷凝器可以将外部气体中的水蒸气冷凝成水滴，降低外部气体中的水蒸气，从而向腔室内通入低湿的气体，能够降低腔室内的湿度，减弱水汽的二次沉积从而减弱水汽残留和水痕缺陷，提升产品良率。
- 一种机台干燥系统
- [发明专利]一种半导体结构的制造方法-CN202310548180.6有效
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岳玺
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武汉楚兴技术有限公司
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2023-05-12
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2023-07-21
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H01L21/3105
- 本申请提供一种半导体结构的制造方法，包括：利用第一研磨液研磨部分厚度的第二介质层，利用第二研磨液研磨剩余厚度的第二介质层和少量的第一介质层，利用第三研磨液快速研磨大量的第一介质层，第一次研磨工艺时不研磨至第一介质层和第二介质层的界面，使得不会由于第一研磨液在界面处扩大凹槽中的凹陷。第二研磨液具有凹槽保护作用，就能够降低凹槽中凹陷的程度。第三研磨液利用较大的研磨速度快速研磨大量的第一介质层，研磨时间较短，大大降低了研磨工艺的研磨成本。此外，3次研磨工艺都采用酸性研磨液，降低了研磨液中研磨颗粒由于酸碱值的变化产生的团聚结晶的概率，从而降低了半导体结构在研磨过程中划伤的风险。
- 一种半导体结构制造方法
- [发明专利]一种半导体结构及制备方法-CN202310423985.8有效
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余玉
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武汉楚兴技术有限公司
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2023-04-19
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2023-07-11
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H01L21/768
- 本申请提供一种半导体结构及制备方法，在衬底的一侧形成介质层和贯穿介质层的通道，在通道的内壁、暴露出的衬底的表面和介质层远离衬底的一侧形成氮化铜层；等离子刻蚀氮化铜层，以去除氮化铜层在通道开口处形成的悬垂；对氮化铜层进行加热分解，形成种子层；在所述种子层远离所述衬底的一侧依次形成修复层和主体层，所述种子层、所述修复层和所述主体层形成互连结构的导电层。由于氮化铜层的密度小于对应的纯金属的密度，且氮化铜层的台阶覆盖性能优于对应的纯金属，在通道开口处形成的悬垂相对较小，悬垂更加便于去除，提高悬垂去除效率，使开口增大，进而使得后续电镀金属能将通道填充完全，不易形成空洞等缺陷。
- 一种半导体结构制备方法
- [发明专利]一种离子植入机及晶圆固定板的角度确定方法-CN202211699610.6在审
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裴敏强
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武汉楚兴技术有限公司
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2022-12-28
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2023-04-28
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H01J37/20
- 本申请提供一种离子植入机及晶圆固定板的角度确定方法，包括晶圆固定板，用于固定晶圆；驱动组件，与晶圆固定板固定连接，通过控制驱动组件转动以改变晶圆固定板与竖直方向之间的角度；驱动组件具有与晶圆固定板平行的目标表面；位于离子植入机内侧壁上的激光发射器；激光发射器用于发射激光；位于目标表面上的至少一个反射镜；反射镜用于对从激光发射器发出的激光进行反射；位于离子植入机内侧壁上的激光接收器；激光接收器用于接收经过反射镜反射的激光，激光接收器接收到激光的目标位置用于确定晶圆固定板与竖直方向之间的角度。通过测量目标位置的变化可以确定出晶圆固定板的角度变化，操作方便且准确度较高，可实时检测晶圆固定板的角度。
- 一种离子植入固定角度确定方法
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