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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基片处理装置-CN202111555797.8在审
发明人： 梅﨑翔太;林田贵大 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置。该基片处理装置包括：能够将基片收纳于内侧的处理容器；在处理容器的内侧的保持位置保持基片的保持部；流体供给部，其具有向处理容器的内侧释放处理流体的供给开口部；和供给引导部件，其在供给开口部与保持位置之间与供给开口部相对，对来自供给开口部的处理流体进行引导以使其扩展到比供给开口部的开口面积大的面积的范围。根据本发明，有利于稳定地进行基片的干燥处理。
处理装置

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202111516671.X在审
发明人：中岛干雄;梅﨑翔太;稻富弘朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供在使用超临界状态的处理流体的干燥处理时，能够抑制晶片的图案倒塌的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理容器和对其供给超临界状态的处理流体的处理流体供给部，处理流体供给部包括：一侧与流体供给源连接，另一侧与处理容器连接的流体供给管线；插设在流体供给管线，冷却气体状态的处理流体而生成液体状态的处理流体的冷却部；插设在流体供给管线，设置在冷却部的下游侧的泵；插设在流体供给管线，设置在泵的下游侧，加热液体状态的处理流体而生成超临界状态的处理流体的加热部；插设在流体供给管线，设置在泵与加热部之间，调节对处理容器供给的处理流体的供给流量的第一流量调节部；和控制第一流量调节部的控制部。
处理装置方法

[发明专利]基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法-CN201910559880.9在审
发明人： 梅﨑翔太;池田义谦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够在处理基片时减少气氛调节气体的使用量的技术。本发明的一个方式的基片处理装置具有基片处理部、隔壁部、第一气体供给部和第二气体供给部。基片处理部对基片实施液体处理。隔壁部将从基片被送入的送入送出口到基片处理部的第一空间与第一空间以外的第二空间之间分隔开。第一气体供给部与隔壁部连接，对第一空间供给调节气氛的气氛调节气体。第二气体供给部与隔壁部中的与第一气体供给部不同的部位连接，向第一空间供给上述气氛调节气体。
气体供给部第一空间基片处理气氛调节隔壁部送入基片处理装置第二空间供给调节液体处理送出口分隔隔壁

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN201910392650.8在审
发明人：池田义谦;梅﨑翔太;西健治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够削减处理基片时气氛调节气体的使用量的技术。本发明的一方式的基片处理装置包括基片保持部、顶板部、气体供给部、处理液喷嘴和臂。基片保持部用于保持基片。顶板部与保持于基片保持部的基片相对地设置，至少在与基片的中心对置的位置形成有贯通孔。气体供给部对基片保持部与顶板部之间的空间供给用于调节气氛的气氛调节气体。处理液喷嘴将用于处理基片的处理液排出到基片。臂保持处理液喷嘴，并使该处理液喷嘴在将处理液从处理液喷嘴经由贯通孔排出的处理位置与比基片靠外的待机位置之间移动。
处理液喷嘴基片保持部顶板部气体供给部气氛调节处理液贯通孔排出基片处理装置处理位置待机位置靠外的对置削减移动

[发明专利]基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法-CN201910337598.6在审
发明人：池田义谦;梅﨑翔太;西健治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够削减处理基片时的气氛调节气体的使用量的技术。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片处理部、分隔壁部和液供给部。基片处理部对基片实施液处理。分隔壁部将从能够送入基片的送入送出口至基片处理部为止的第一空间与第一空间以外的第二空间分隔。液供给部设置在第二空间，将处理液供给到基片。
基片处理基片处理装置第二空间第一空间供给部送入基片处理系统处理液供给气氛调节隔壁部送出口液处理分隔隔壁削减

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