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[发明专利]半导体器件和半导体器件的操作方法-CN201910015412.5有效
发明人：金龙竴;李桂宪;梁海宗;林灿;郑玟珪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：半导体器件和半导体器件的操作方法。一种半导体器件包括存储器串，该存储器串被联接在公共源线和位线之间，所述存储器串包括至少一个第一选择晶体管、多个存储单元和多个第二选择晶体管。所述半导体器件还包括单独联接到所述第二选择晶体管的选择线。所述半导体器件还包括控制逻辑电路，该控制逻辑电路被配置为在第一时间使所述选择线当中的第一组选择线浮置，并且被配置为在不同于所述第一时间的第二时间使所述选择线当中的第二组选择线浮置。
半导体器件操作方法

[发明专利]擦除与非闪速存储器件的数据的方法-CN200710306930.X无效
发明人： 梁海宗 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：擦除包括存储单元块的NAND闪速存储器件的数据的方法可以包括利用施加在待擦除块的存储单元上的第一擦除电压。可以利用与第二核实电压不同的第一核实电压进行第一核实，以便核实存储单元的擦除状态。将未通过第一核实过程的存储单元分类成第一组和利用第二核实电压对通过第一核实的存储单元进行核实。将通过第二核实的存储单元分类成第二组和将未通过第二核实的存储单元分类成第三组。分别利用第一、第二、和第三阶跃电压和第一、第二、和第三擦除电压擦除三个组存储单元的数据。
擦除非闪速存储器件数据方法