专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器-CN201711173878.5在审
  • 刘兴宇;邵志强;孙权;桂勇雷;崔洪亮;邓崇杰 - 中国电子科技集团公司第四十九研究所
  • 2017-11-22 - 2018-03-16 - H01S5/14
  • 一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器,本发明涉及一种半导体激光器。本发明要解决现有激光器难以满足单模、高功率、高光束质量、窄线宽、高相干、波长可调谐的问题。一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器由半导体激光器增益芯片、准直透镜、双折射滤波器、法布里‑珀罗标准具及输出耦合镜组成;所述的半导体激光器增益芯片的出光方向上依次设有准直透镜、双折射滤波器、法布里‑珀罗标准具及输出耦合镜;所述的半导体激光器增益芯片的发射波长为795nm;所述的半导体激光器增益芯片包括DBR反射镜、增益区及窗口层。其可以输出满足应用要求的窄线宽激光,且波长线性连续可调,满足单模、高功率、高光束质量及高相干。
  • 一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器

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