专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]叶片和使用该叶片的送风装置及电子设备-CN201320681798.1有效
  • 栗田刚 - 松下电器产业株式会社
  • 2013-10-31 - 2014-08-06 - F04D29/30
  • 本实用新型的目的在于提供一种叶片和使用该叶片的送风装置及电子设备,该叶片使焊接块不从金属部的上表面突出到上部,从而实现风扇装置的薄型化的同时,抑制金属部和轴的接合部分产生裂纹而牢固地接合。该叶片的特征在于,具有:金属的轴(10);金属部(6),在大致中央部具有凹部(11),在凹部(11)内具有贯通孔(12),并与轴(10)通过焊接以轴(10)的一部分位于贯通孔(12)内的方式接合;以及叶片部(7),形成在从金属部(6)的外周离心方向外侧,在轴(10)的长度方向上,轴(10)的上表面位于金属部(6)上形成的凹部(11)的上表面和金属部(6)的最上面之间。
  • 叶片使用送风装置电子设备
  • [发明专利]片材切割方法-CN200710100926.8有效
  • 栗田刚 - 琳得科株式会社
  • 2007-04-28 - 2007-10-31 - H01L21/00
  • 一种片材切割方法,其中,在将所述片材(S)粘到半导体晶片(W)后,根据半导体晶片(W)的形状,通过刀片(12)切割具有从半导体晶片(W)的外围伸出的尺寸的片材(S)。在这种切割方法种,以使刀片(S)不从半导体晶片(W)伸出而将刀片(12B)的轨线预先设置为正则轨线。当执行切割操作时,在远离正则轨线起始点(P),将刀片(12)的刀刃(12B)插入片材(S)。在靠近正则轨线上的点的过程中,将刀片(12)的姿态调整为预定的前束角(α1)、外倾角(α2)、后倾角(α3)。
  • 切割方法
  • [发明专利]非接触型吸附保持装置-CN200580033758.4有效
  • 栗田刚;中田幹 - 琳得科株式会社
  • 2005-06-29 - 2007-09-12 - H01L21/68
  • 本发明提供一种非接触型吸附保持装置,其是,通过使板状部件上除了边缘部分之外的部分(主要部分)相对于吸附台以浮起的非接触状态确实地吸附保持,从而可以确实保持该板状部件的面不受损伤。本发明所述的非接触型吸附保持装置(1)的特征是,在吸附台(2)上配置通过空气(气体)的喷出可以产生负压的伯努力吸附机构(10),下周缘部载置在上述吸附台(2)上的晶片(板状部件)(W)除了其周缘部之外的部分相对于吸附台(2)呈浮起的状态,用上述伯努力吸附机构(10)保持晶片(W),使其对于吸附台(2)保持非接触的状态。另外,设置加压机构,其是用来对着吸附保持在吸附台(2)上的晶片(W)的下面中央部向上方加压使得该板状部件大致保持为平面的机构。
  • 接触吸附保持装置
  • [发明专利]切割半导体晶片保护膜的方法和装置-CN200510052572.5无效
  • 斋藤博;栗田刚;冈本光司 - 琳得科株式会社
  • 1998-05-29 - 2005-08-10 - H01L21/00
  • 本发明一种切割半导体晶片保护膜的方法,其中将具有周边部分的半导体晶片置于一平台上,以将一保护膜贴敷在所述半导体晶片的一个表面上,然后,用一个切割刃切割该保护膜使其与所述半导体晶片的周边部分形状相吻合,该方法包括如下步骤:将所述切割刃与所述半导体晶体的侧面成倾斜;以及使所述平台和所述切割刃之一旋转,以沿着所述周边部分切割所述保护膜,使得所述保护膜不会突出所述半导体晶片的边缘。本发明还提供一种切割半导体晶片保护膜的装置。
  • 切割半导体晶片保护膜方法装置
  • [发明专利]用于将保护膜贴敷在半导体晶片上的方法和装置-CN03107748.X无效
  • 斋藤博;栗田刚;冈本光司 - 琳得科株式会社
  • 1998-05-29 - 2004-07-28 - B65B11/00
  • 在一种将一保护膜贴敷到一半导体晶片上的装置和方法中,一半导体晶片装置于一平台的顶部,通过一朝平台偏置的压轮将保护膜压在晶片上,移动平台以将保护膜贴敷在晶片上,一布置在压轮上游的张紧轮沿保护膜进给方向的相反方向对保护膜施加一张紧力,该张紧轮的张紧力首先在开始贴敷保护膜时被设定在一相对较大的值以使保护膜处于一拉紧状态,而后在贴敷保掮墓这程中该张紧力被设定为一个相对较小失真到防部分还未被贴敷的保护膜与晶片发生接触,之后,在将保护膜贴敷在晶片上后,用一切割刀片切割保护膜以使基与半导体晶片的形状相吻合。
  • 用于保护膜半导体晶片方法装置

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