专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种梁柱非焊接型斜撑加固结构-CN202321212406.7有效
  • 李培谨;张启立;林焕;唐志山;刘雪宾;李泽明;钱国飞;尹阿根 - 衢州市罗邦钢结构有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-10-20 - E04G23/02
  • 本实用新型公开的一种梁柱非焊接型斜撑加固结构,包括柱体;安装于柱体上的梁体;用于固定柱体和梁体的两个加固机构,加固机构包括第一加固板以及第二加固板,第一加固板和第二加固板之间通过连接轴转动连接,第一加固板和第二加固板之间还安装有调节组件,调节组件包括调节螺套,调节螺套的内壁上螺纹连接有与调节螺套相互啮合的调节螺柱,调节螺柱远离调节螺套的一端通过安装轴转动安装有第一连接座。本实用新型不仅通过设置加固机构增加柱体和梁体连接的稳定性,而且通过转动调节螺套,能够在调节螺柱的螺纹作用下,实现对第一加固板和第二加固板之间的角度调节,因此能够适用于不同角度的梁柱安装固定。
  • 一种梁柱焊接型斜撑加固结构
  • [发明专利]基站天线及移相器的行程调节装置-CN201811643385.8有效
  • 林焕;林贤俊;杨仲凯 - 京信通信技术(广州)有限公司;京信通信系统(广州)有限公司
  • 2018-12-29 - 2023-09-29 - H01Q3/32
  • 本发明公开了一种基站天线及移相器的行程调节装置,行程调节装置包括:支撑架;调节杆和套设于调节杆上并与移相器的拉杆相连接的调节件,调节杆能够相对支撑架绕调节杆的轴线转动,调节杆的外壁上设有第一外螺纹,第一外螺纹包括靠近移相器设置的调节段,调节段上设有第一配合面,调节件设有与第一外螺纹螺纹配合的第一内螺纹,且调节件能够沿调节杆的长度方向往复移动;及止挡件,止挡件套设于调节段上,且止挡件设有与第一配合面相匹配的第二配合面。行程调节装置能够减小或消除螺杆受到的冲击力,保证能够准确的对移相器的行程进行调节;如此,采用该移相器的行程调节装置的基站天线能够准确的对移相器的行程进行调节。
  • 基站天线移相器行程调节装置
  • [外观设计]礼盒套装(新中式开门见喜)-CN202330035961.6有效
  • 林焕 - 潮州市双木电子商务有限公司
  • 2023-02-07 - 2023-09-26 - 09-03
  • 1.本外观设计产品的名称:礼盒套装(新中式开门见喜)。2.本外观设计产品的用途:用于装放伴手礼使用的礼盒。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片:使用状态参考图。5.其他需要说明的情形其他说明:本外观设计产品中套件1、套件2均为用于放置糖果、茶叶、杯子等创意礼品的礼盒设计产品。
  • 礼盒套装中式开门
  • [发明专利]一种新型纳米粘土制备系统-CN201811007797.2有效
  • 林焕 - 林焕
  • 2018-08-31 - 2023-09-22 - C01B33/40
  • 本发明涉及碾牙加工装置技术领域,具体涉及一种纳米粘土制备系统,用于将泥浆制备成纳米粘土,包括沿输送方向依次连通设置的研磨模块、沉淀分层模块和干燥模块;研磨模块包括依次连通设置的超声波磨机、高压柱塞泵、浆流磨装置、泥浆泵和砂磨机;沉底分层模块包括依次连通设置的分级池、高压泥浆泵、板框压滤机、分散机和泥浆泵;干燥模块包括依次连通设置的喷雾干燥机、螺旋输送机、斗式干燥机、料包和包装机;砂磨机和分级池连通设置,泥浆泵与喷雾干燥机连通设置,与现有技术相比,本申请的纳米粘土制备系统,其工艺简单、绿色环保、不需要复杂昂贵的设备,而且,结构简单,能耗低,制备出来的纳米粘土质量好,系统使用寿命长。
  • 一种新型纳米粘土制备系统
  • [实用新型]一种立式纳米砂磨机及砂磨系统-CN202320096376.1有效
  • 林焕 - 林焕
  • 2023-02-01 - 2023-07-14 - B02C17/10
  • 本实用新型涉及物料研磨技术领域,具体涉及一种立式纳米砂磨机及砂磨系统,系统包括立式纳米砂磨机、进浆机构、出浆机构和冷水机构,砂磨机利用动肖棒的倾斜朝上的楔形面切角,在搅拌研磨的同时将浆料与磨介的混合体向上提升,在浓度较高的浆体中使磨介之间紧贴研磨。多边形转子外壁配合多边形的研磨桶内壁,在转子转动时,除了动肖棒的径向搅拌研磨外,由于转子与研磨桶之间的研磨腔在工作时因腔容的反复变化在研磨腔内产生剧烈的揉搓作用,支承轴、研磨桶的外壁和转子的内部分别设置有水冷通道,避免了浆料过热粘介现象,超声波发生装置,利用一边研磨一边产生超空化效应,可以大大提高效率,降低能耗。
  • 一种立式纳米砂磨系统
  • [实用新型]分室连续研磨分散震动球磨机及研磨系统-CN202220113801.9有效
  • 林焕 - 林焕
  • 2022-01-17 - 2023-06-30 - B02C17/06
  • 本实用新型涉及粉体湿法研磨技术领域,具体涉及一种分室连续研磨分散震动球磨机及研磨系统,解决现有球磨机能耗高、效率低、产品细度不高的问题。其包括由悬浊浆料罐、浆料泵、研磨机构、震动筛和冷却装置,研磨机构是一种分室连续研磨分散振动球磨机,其振动箱内腔由上隔板和下隔板分隔成若干个研磨室,每相邻两个研磨室的上部或下部相通,形成一条“U”字型的浆料运动的路径,在每个浆料向上运行的研磨室的上部均安装一台超声波振动棒,每个研磨室均填充磨介质。本申请要求2021年07月15日提交中国专利局、申请号为CN202110798787.0、实用新型名称为“一种分室连续研磨分散震动球磨机”的中国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。
  • 连续研磨分散震动球磨机系统
  • [发明专利]视频传输方法及装置-CN202011568875.3有效
  • 姜卫邦;周琛晖;林焕;胡康康 - 华为技术有限公司
  • 2020-12-25 - 2023-06-06 - H04N21/238
  • 本申请公开了一种视频传输方法及装置,其中方法包括:获取初始片源,并对初始片源进行模糊核和噪声估计,获得初始片源对应的第一模糊核和第一噪声块;向接收端发送初始片源,以及第一模糊核和第一噪声块。接收端采用第一模糊核和第一噪声块对基础超分模型进行训练,获得最终超分模型;根据最终超分模型对初始片源进行超分,获取目标片源,目标片源的分辨率高于初始片源。采用本申请实施例的方法一方面满足了高分辨率的需求,另一方面避免了算力需求提高带来的功耗。
  • 视频传输方法装置
  • [发明专利]一种浆流磨装置-CN201710297400.7有效
  • 林焕 - 林焕
  • 2017-04-28 - 2023-06-06 - B02C19/06
  • 本发明涉及橡胶再生设备的技术领域,具体涉及一种浆流磨装置,包括机壳,所述机壳底部开设有出料口,还包括设置在机壳内部的射浆管、设于所述射浆管出口前方的靶板以及迫使浆液进入所述射浆管并射出撞向所述靶板的喷浆动力装置;利用喷浆动力装置为浆液提供足够大的动力,进而使浆液射向靶板并发生撞击,进而浆液在冲击力的作用下,粒子撞碎从而制备出更细的粒子,与现有技术相比,本申请的浆流磨机只需为浆液提供驱动力,比一般制备纳米粘土的装置更为省电,而且制作成本低,适用于大规模生产。
  • 一种浆流磨装置
  • [发明专利]一种立式纳米砂磨机、砂磨系统及其砂磨方法-CN202310049674.X在审
  • 林焕 - 林焕
  • 2023-02-01 - 2023-05-09 - B02C17/10
  • 本发明涉及物料研磨技术领域,具体涉及一种立式纳米砂磨机、砂磨系统及其砂磨方法,系统包括立式纳米砂磨机、进浆机构、出浆机构和冷水机构,砂磨机利用动肖棒的倾斜朝上的楔形面切角,在搅拌研磨的同时将浆料与磨介的混合体向上提升,在浓度较高的浆体中使磨介之间紧贴研磨。多边形转子外壁配合多边形的研磨桶内壁,在转子转动时,除了动肖棒的径向搅拌研磨外,由于转子与研磨桶之间的研磨腔在工作时因腔容的反复变化在研磨腔内产生剧烈的揉搓作用,支承轴、研磨桶的外壁和转子的内部分别设置有水冷通道,避免了浆料过热粘介现象,超声波发生装置,利用一边研磨一边产生超空化效应,可以大大提高效率,降低能耗。
  • 一种立式纳米砂磨系统及其方法
  • [发明专利]半导体器件-CN202210321397.9在审
  • 李炫哲;金基正;林焕;洪贤实 - 三星电子株式会社
  • 2022-03-29 - 2023-02-07 - H10B12/00
  • 一种半导体器件包括:衬底,具有限定沟槽的一个或多个的内表面,所述沟槽限定所述衬底的有源图案,所述沟槽包括具有不同宽度的第一沟槽和第二沟槽;器件隔离层,在所述衬底上,使得所述器件隔离层至少部分地填充所述沟槽;以及字线,与所述有源图案相交。所述器件隔离层包括:第一隔离图案,覆盖所述第二沟槽的一部分;第二隔离图案,在所述第一隔离图案上,并覆盖所述第二沟槽的剩余部分;以及填充图案,填充在字线下方的所述第一沟槽。所述第二隔离图案的顶表面位于比所述填充图案的顶表面高的水平处。
  • 半导体器件

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