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[发明专利]一种屈光手术后角膜有效光学区的自动测量方法及系统-CN202310558058.7在审
发明人：孙丽霞;纪锐锋;林建伟;林慧妮;张日平 -专利权人：汕头大学·香港中文大学联合汕头国际眼科中心
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： A61B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种屈光手术后角膜有效光学区的自动测量方法及系统，包括，通过屈光手术前后角膜地形图相减获得角膜切向曲率差异图，自动识别角膜切向曲率差异图的分界线，获得有效光学区；计算有效光学区的区域参数，并自动识别角膜切向曲率差异图上的角膜顶点坐标；基于区域参数和角膜顶点坐标的距离，获得光学区偏心量。本发明的自动测量方法及系统步骤简便，能够高精度、高效、批量获取有全面光学区相关的测量指标，可全面评价术后视觉质量，提高了临床上角膜有效光学区测量的时效性、精准性。
一种屈光手术后角膜有效学区自动测量方法系统

[发明专利]一种用于CT感应取电的过流保护电路-CN202011024723.7有效
发明人：黄永冰;陈珂;林慧妮;陶海欧;黄其烟 -专利权人：福建和盛高科技产业有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于CT感应取电的过流保护电路，包括可控硅Q1、三极管Q2、整流桥D1、比较器U11和CT回路；由三极管Q2驱动整流桥D1，整流桥D1驱动可控硅，当三极管Q2工作导通时，整流桥D1导通，进而触发Q1导通，从而泄放掉CT回路中的多余能量。泄放回路的导通是由三极管Q2控制，而Q2是由比较器输出控制，当二次回路中的整流桥后的电压比比较器的参考电压高时，比较器输出高，Q2导通，驱动整流桥Q1导通，泄放掉回路中多余的能量，反之，Q2则截止，D1不导通。只要通过设置不同的参考电压值ref，即可实现灵活设置二次回路的最大输电电压值。本发明无需采用稳压管驱动可控硅，并可灵活设置二次回路的最大输电电压值。
一种用于 ct 感应保护电路

[实用新型]一种夹持式二次端子排遮挡隔离工具-CN202121988424.5有效
发明人：吴雨晴;卓颖;张诗鹏;齐孝辉;胡琳;黄鸿宇;林慧妮 -专利权人：国网福建省电力有限公司检修分公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01R43/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种夹持式二次端子排遮挡隔离工具，包括绝缘布带，所述绝缘布带卷绕于一壳体内，所述壳体上对应绝缘布料的伸出端设置有布料出口，壳体上远离布料出口一侧设置有夹持装置，所述夹持装置包括固定半爪、活动半爪，所述固定半爪固定与壳体上，活动半爪与固定半爪之间活动连接。本实用新型设计合理，操作简单，使用方便，解决现有技术中需要人工繁琐操作的问题，方便临时的遮挡，避免人员误触，提高整体的安全性。
一种夹持二次端子遮挡隔离工具

[发明专利]一种半导体结构的制造方法-CN202011069193.8有效
发明人：赖韦伶;林慧妮;杨宗凯;王安然 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底上设置有氧化层；形成第一金属层于所述衬底上；形成绝缘层于所述第一金属层上，所述绝缘层的边缘上至少具有第一区域和第二区域，所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度；形成第二金属层于所述绝缘层上；对所述衬底进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀以所述第一金属层为停止层；对经过所述第一次刻蚀的所述衬底进行第二次刻蚀，所述第二次刻蚀以所述氧化层为停止层；其中，在进行所述第二次刻蚀时，旋转所述衬底，以使所述第一区域的刻蚀速率大于所述第二区域的刻蚀速率。本发明提出的半导体结构具有良好的电容均匀性。
一种半导体结构制造方法

[发明专利]一种半导体结构的制造方法与制造系统-CN202011081316.X有效
发明人：熊小玲;林慧妮;赖韦伶 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体结构的制造方法及制造系统，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上设置有垫氧化层；形成氮化层于所述垫氧化层上；对所述氮化层，所述垫氧化层和所述半导体衬底进行刻蚀，以形成沟槽，所述沟槽从所述氮化层延伸至所述半导体衬底中；形成隔离氧化层于所述沟槽中，所述隔离氧化层覆盖所述沟槽的侧壁和底部以及所述氮化层；对所述隔离氧化层进行平坦化处理，以形成初始隔离结构；其中，在进行所述平坦化处理时，所述氮化层上残留有所述隔离氧化层；设定所需的浅沟槽隔离结构的台阶高度；通过湿法刻蚀移除部分所述隔离氧化层和所述氮化层，以形成所述浅沟槽隔离结构。本发明形成的浅沟槽隔离结构的台阶高度具有稳定性。
一种半导体结构制造方法系统

[发明专利]一种半导体外延结构及其制备方法-CN202011219662.X在审
发明人： 林慧妮;林群证;龚柏铧 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体外延结构及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：在衬底上形成牺牲氧化层；以牺牲氧化层为阻挡层，对衬底进行离子注入，获得第一半导体结构；将多个第一半导体结构分为第一组单元和第二组单元，第一组单元与所述第二组单元间隔穿插设置，且相邻所述第一组单元的第一半导体结构与所述第二组单元的第一半导体结构的所述外延所在侧相对设置；采用湿法刻蚀同时对第一组单元和第二组单元的所述第一半导体结构进行刻蚀，去除部分牺牲氧化层；在剩余牺牲氧化层表面形成栅极氧化层；在栅极氧化层上形成栅极层，获得半导体外延结构。本发明解决了由于栅极氧化层厚度不均匀而导致的产品良率降低的问题。
一种半导体外延结构及其制备方法