专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]功率半导体元件-CN201310367702.9无效
  • 中村和敏;松田正;二宫英彰 - 株式会社东芝
  • 2013-08-21 - 2014-03-26 - H01L29/739
  • 一种功率半导体元件,具备第1电极、第1半导体层、第2半导体层、第3半导体层、第4半导体层、第2电极、第1控制电极和第1绝缘膜。第1半导体层设在第1电极之上,是第1导电型。第2半导体层设在第1半导体层之上,是第2导电型。第3半导体层在第1半导体层之上、与第2半导体层离开地设置,是第2导电型。第4半导体层设在第3半导体层之上,是第1导电型。第2电极设在第4半导体层之上,与第4半导体层电连接。第1控制电极在第2半导体层与第3半导体层之间、靠近第3半导体层侧设置。第1绝缘膜设在第1半导体层与第1控制电极之间、第2半导体层与第1控制电极之间、以及第3半导体层与第1控制电极之间。
  • 功率半导体元件
  • [发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201210059960.6无效
  • 大田刚志;新井雅俊;铃木诚和子;松田正 - 株式会社东芝
  • 2012-03-08 - 2012-11-21 - H01L29/417
  • 实施方式的半导体装置包括第1半导体区域、第1电极、第2半导体区域和第2电极。第1半导体区域是包含第1部分和第2部分的第1导电型的半导体区域,所述第1部分具有第1主表面,所述第2部分在第1主表面上沿着和第1主表面正交的第1方向而延伸存在。第1电极包含第3部分,该第3部分是和第2部分对置而设的金属区域。第1电极设为和第1半导体区域分离。第2半导体区域设于第2部分和第3部分之间。第2半导体区域包含杂质浓度低于第1半导体区域的第1浓度区域。第2半导体区域和第3部分实现肖特基结。第2半导体区域为第1导电型的半导体区域。第2电极设于和第1部分的第1主表面相反一侧。第2电极和第1部分相互导通。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]曝气装置-CN86106673.1无效
  • 奥村宗弘;野村教雄;松田正;城户亚二郎;石井新一;服部英树 - 三菱人造丝工程株式会社
  • 1986-10-11 - 1992-03-18 - C02F3/20
  • 本发明涉及一种曝气装置,包括喷射流发生器以供从喷嘴喷射混合状态的气体与液体,以及管状流道矫直器用于混合喷嘴喷射的含空气泡流体与周围环境水,并从排放喷嘴排放出在其中生成的混合物,其特征在于流道矫直器呈管状而其内径从入口到排放喷嘴方向所通过的一段长度上逐渐缩小。此曝气装置可产生含微小气泡的流体,甚至当所供应的气体量达到气体对液体的体积比为3/1,仍能产生相同的效果。
  • 装置

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