“杨樱华”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高纯度普伐他汀1,1,3,3-四甲基丁胺的制备方法-CN202111446921.7在审
发明人：朱敏杰;欧金全;潘京;方锐旋;杨樱华 -专利权人：广东蓝宝制药有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C07C67/00 文献下载
摘要：本发明属于制药技术领域，具体涉及一种高纯度普伐他汀1,1,3,3‑四甲基丁胺的制备方法；该方法采用低于10℃温度条件下溶解普伐他汀钠并经乙酸丁酯低温萃取，然后与1,1,3,3‑四甲基丁胺反应，并进行减压浓缩分离，打破体系平衡析出普伐他汀1,1,3,3‑四甲基丁胺，进一步在丙酮溶液中与1,1,3,3‑四甲基丁胺再次反应得到高纯度的普伐他汀1,1,3,3‑四甲基丁胺；本发明的制备方法极大地降低了异构体杂质和内酯化杂质含量，制备方法稳定、重复性好，得到的普伐他汀1,1,3,3‑四甲基丁胺纯度可达99.791％，可作为普伐他汀1,1,3,3‑四甲基丁胺的质量控制方法。
一种纯度甲基制备方法

[发明专利]互补偶载场效应晶体管及其片上系统-CN00135726.3无效
发明人：黄敞;杨樱华;黄迪惠 -专利权人：黄敞;杨樱华;黄迪惠
申请日： 2000-12-18 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：互补偶载场效应晶体管特征是设置不同的N、P掺杂区，并在Z＝L_z处形成窄截面沟道。源端、漏端与接触端的设置位置为二维结构。本发明避免光刻技术制约，用常规半导体工艺把有效沟道长度减短至5纳米，电源电压降低到0.65V，每个晶体管可具有3至12个沟道，形成场效应管的互补反相器及矩阵片上系统，输出电流可达到10A，还可形成复杂、高速、低功耗的逻辑电路以及高频、低功耗的微波电路及片上系统。
互补场效应晶体管及其系统