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[发明专利]一种基于五芯光纤的低损耗五模模分复用器-CN202210036119.9有效
发明人：李建设;王晓凯;李曙光;卢辉斌;杜会静;韩颖;丁钰鑫;孟潇剑;郭英 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于五芯光纤的低损耗五模模分复用器及D型传感器，包括基底材料、高折射率掺杂棒；高折射率掺杂棒位于基底材料内；高折射率掺杂棒包括五根高折射率掺杂棒；第一高折射率掺杂棒位于基底材料的中心位置，第二、三、四、五高折射率掺杂棒按顺序依次分布在第一高折射率掺杂棒的外围；第二、三、四、五高折射率掺杂棒的直径相等，第一高折射率掺杂棒直径大于第二、三、四、五高折射率掺杂棒直径；第二、第三、第四、第五高折射率掺杂棒与第一高折射率掺杂棒的几何中心的距离逐渐增大,对该五芯光纤进行抛磨并在抛磨面镀金后，利用旁芯中传输的LP01模式光与抛磨面上所镀的金发生SPR反应，使该器件在实现模式复用的同时具备传感检测能力。
一种基于光纤损耗五模模分复用器

[发明专利]全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法-CN201810437561.6有效
发明人：周春宇;杜会静;王冠宇;徐超;孙继浩 -专利权人：燕山大学
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法，在N‑Si衬底两端形成STI隔离区；掺杂As形成N+亚集电区；在衬底表面淀积绝缘介质；外延一层本征单晶硅层作为集电区；非选择性外延Si缓冲层、掺C的Si1‑xGex层、Si帽层；在Si帽层上面依次淀积氧化层‑氮化层‑氧化层；选择性注入集电极；生长发射极内侧墙；淀积多晶硅发射极；生长发射极外侧墙；在非选择性外延层结构的两端采用嵌入式SiGe技术选择性外延Si1‑yGey层；采用发射极作掩膜淀积抬升的多晶硅非本征基区；刻蚀以定义基极和发射极的位置；淀积硅化物形成发射极、基极和集电极接触。本发明提高载流子的迁移率，提高器件工作速和集电区击穿电压，降低有源区的沟道宽度，缩小器件横向尺寸，抑制电流集边效应。
平面赫兹复合应变 si sige 异质结双极晶体管制备方法

[发明专利]一种曲格列汀包合物及其制备方法和应用-CN201511030387.6在审
发明人：黄文武;邹凌燕;王永祥;罗文卿;杜会静;张超 -专利权人：上海现代制药股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： A61K47/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种曲格列汀包合物，由曲格列汀与环糊精或其衍生物组成，所述的曲格列汀与环糊精或其衍生物的重量比为1：1-1：30。本发明还提供了上述的一种曲格列汀包合物的制备方法，以环糊精或其衍生物为主体，以曲格列汀为客体，在溶剂的存在下通过包合作用，将曲格列汀包含或嵌入环糊精或其衍生物内，形成包合物。本发明还提供了上述的曲格列汀包合物在制备糖尿病治疗药物中的应用。本发明的曲格列汀包合物为一种新的曲格列汀固体形态，可以有效解决曲格列汀的多晶型或混晶问题，从而简化生产工艺，同时该包合物兼具水溶性增大和稳定性好的优点，而且本发明的制备方法操作简便、物料损耗少、成本较低。
一种曲格列汀包合物及其制备方法应用

[发明专利]椭圆形高双折射软玻璃光子晶体光纤-CN201510411398.2在审
发明人：郝锐;杜会静 -专利权人：燕山大学
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种椭圆形高双折射软玻璃光子晶体光纤，光纤包括光纤背景材料，光纤的横截面结构包括纤芯和包层，包层由在光纤背景材料中规则分布的、沿光纤轴向延伸的圆形空气孔道和圆形空气孔道间的光纤背景材料构成，纤芯位于光纤的横截面结构的中心区域，包层设置在纤芯外围区域，包层的折射率低于的折射率，其特征是：构成包层中的圆形空气孔道在围绕纤芯的呈放射性分布的椭圆形轮廓上排列，圆形空气孔道在光纤的横截面上投影为圆形空气孔。其优点是：改进了光纤包层中空气孔道的分布方式，增强了结构的不对称性，使光纤具有高双折射效应。同时，提出的光子晶体光纤设计具有容易制备和低损耗的优点。
椭圆形双折射玻璃光子晶体光纤