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[发明专利]应用于CMOS图像传感器的动态扩展方法-CN201911094258.1在审
发明人：李明;李梦萄;吕玉冰;周亚军;刘戈扬;任思伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于CMOS图像传感器的动态扩展方法，CMOS图像传感器采用双增益像素电路，通过像素控制时序使双增益像素电路处于高增益模式；CMOS图像传感器在内部曝光模式下进行曝光，达到预定的曝光时间后，曝光结束，读取像素信号，之后，统计帧内饱和的像素数量及最大非饱和电压值；根据饱和像素的数量或最大非饱和电压幅值确定下一帧的曝光时间，并产生相应的控制时序开始下一帧的曝光。本发明将像素时序控制和内部曝光控制相结合，在微光环境下的成像效果好；保持像素高增益输出，提高了探测灵敏度；提高了图像信号的动态范围，通过内部曝光时间控制实现了曝光时间的自动调节。
应用于 cmos 图像传感器动态扩展方法

[发明专利]用于列级ADC架构CMOS图像传感器的高速数据读出电路-CN201711025224.8有效
发明人：吴治军;李梦萄;刘昌举;李毅强;张靖 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本发明提供一种用于列级ADC架构CMOS图像传感器的高速数据读出电路，包括多位数据读出电路，针对每位数据读出电路中每列第一数据读出电路，其第一MOS管的栅极和反相器的输入端连接对应列SR存储器的对应位输出端，源极接地，漏极连接第三MOS管的源极，反相器的输出端连接第二MOS管的栅极，第二MOS管的源极接地，漏极连接第四MOS管的源极，第三MOS管和第四MOS管的栅极连接垂直寻址电路输出的对应列选通信号，第三MOS管的漏极通过对应第一寄生电容和第一寄生电阻、第一跨阻放大器连接电压放大器的负输入端，第四MOS管的漏极通过对应的第二寄生电容和第二寄生电阻、第二跨阻放大器连接电压放大器的正输入端，电压放大器的输出端读出信号。
用于 adc 架构 cmos 图像传感器高速数据读出电路

[发明专利]可编程器增益放大器及降低列固定模式噪声方法-CN201610995540.7有效
发明人：吴治军;朱斌;张靖;李毅强;李梦萄;刘昌举 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：本发明可编程器增益放大器，通过将放大器输出共模电压和采样复位信号时刻的输出电压做模拟域信号相减或模数转换后做数字域相减，最小化运算放大器的失调电压对输出电压的影响，从而降低运放失调电压引起的图像列固定模式噪声。本发明可编程器增益放大器及降低列固定模式噪声方法的有益技术效果是通过负反馈的直流失调消除电路减少运算放大器失调电压对可编程增益放大器输出的影响，通过模拟域或数字域相减，最小化运算放大器的失调电压对输出电压的影响，有效的降低运放失调电压引起的图像列固定模式噪声，从而提高了图像成像质量。
可编程增益放大器降低固定模式噪声方法

[发明专利]CMOS图像传感器用列模数转换电路-CN201610185750.X有效
发明人：吴治军;刘业琦;李毅强;李梦萄 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器用列模数转换电路，其创新在于：所述列模数转换电路由比较环节、第一反相器、测试环节、第二反相器和数字转换器组成；本发明的有益技术效果是：提供了一种列模数转换电路，该列模数转换电路能在采样过程中将像素和列电路的固定模式噪声去除，提高图像传感器的成像质量，降低了列级处理电路的复杂程度，同时，列模数转换电路还具备测试功能，能对时序控制和数字转换器进行测试。
cmos 图像传感器用列模数转换电路

[发明专利]片上系统芯片的片内复位系统和复位方法-CN201510746033.5有效
发明人：任思伟;刘昌举;祝晓笑;吴治军;李毅强;张靖;邓光平;李明;刘业琦;李梦萄 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G06F1/24 文献下载
摘要：本发明提出一种片上系统芯片的片内复位系统和复位方法包括片外按键复位电路、片外晶振电路、芯片上电电路、晶振时钟控制电路、复位信号选择电路、复位电平脉冲产生电路、异步复位同步释放电路、控制寄存器、RC时钟电路、数字分频电路、时钟选择逻辑电路、延时电路和时钟切换电路；除了片外按键复位电路和片外晶振电路外，其余电路模块均被集成到片上系统SOC芯片内部。本发明片上系统芯片的片内复位系统和复位方法的有益技术效果是大部分电路模块集成在SOC芯片上，减小了面积，降低了成本，在不增加额外电路的基础上，有效地将片外按键复位方式与片内上电复位方式结合起来，方便易用。
系统芯片复位方法

[发明专利]抗辐照高动态焦平面读出电路-CN201711344202.8在审
发明人：李毅强;吴治军;任思伟;李梦萄;刘戈杨;钟四成 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： G01J5/10 文献下载
摘要：本发明提供一种抗辐照高动态焦平面读出电路，包括可调补偿电流源、运算放大器和积分电容，可调补偿电流源的第一端接地，第二端连接积分电容的第一端，积分电容的第一端还与未遮蔽焦平面探测器的输出端以及运算放大器的反相输入端连接，第二端与运算放大器的输出端连接，运算放大器的同相输入端连接参考电压，可调补偿电流源提供补偿电流和高动态调整电流，补偿电流用于抵消所述焦平面探测器辐照之后增加的暗电流，从而实现焦平面探测器抗辐射加固；高动态调整电流用于压缩焦平面探测器输出的光生电流，以使所述积分电容在相同输出摆幅条件下能够表征更大的光生电流值，从而实现高动态范围。
高动态焦平面探测器积分电容运算放大器辐照可调补偿第一端电流源补偿电流调整电流读出电路光生电流焦平面放大器反相输入端输出端连接同相输入端参考电压输出摆幅接地暗电流抗辐射输出端与运算遮蔽抵消压缩输出

[发明专利]用于CMOS图像传感器降噪处理的自适应混合降噪方法-CN201510631343.2有效
发明人：李明;李梦萄;刘昌举 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CMOS图像传感器降噪处理的自适应混合降噪方法，包括CMOS图像传感器输出的图像，所述图像由R、G、B三种类型的像素单元组成，其创新在于所述自适应混合降噪方法能对图像中的混合噪声进行高效的降噪处理；本发明的有益技术效果是提出了一种新的用于CMOS图像传感器降噪处理的自适应混合降噪方法，处理手段的复杂度较低，在兼顾了处理效果的同时，大大降低了硬件开销。
用于 cmos 图像传感器处理自适应混合方法

[发明专利]能提高输出信号电压幅度的全局快门像素结构及控制方法-CN201410511555.2有效
发明人：吴治军;李明;张靖;李梦萄;刘业琦;祝晓笑 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H04N5/351 文献下载
摘要：本发明公开了一种能提高输出信号电压幅度的全局快门像素结构，所述全局快门像素结构对采样开关的电气结构进行了创新，使得两个采样电容可以单独管理，保证了读出过程中电荷转换时采样电容大小不变；另外，本发明还公开了基于前述结构的信号控制方法；本发明的有益技术效果是可以提高像素结构输出信号的电压幅度，扩展像素的动态范围，提高图像灰度质量；同时，不改变典型8T结构的CVF、PLS、噪声等指针。
提高输出信号电压幅度全局快门像素结构控制方法

[发明专利]光频转换电路和方法-CN201610062656.5有效
发明人：张靖;刘昌举;吴治军;祝晓笑;李明;李毅强;邓光平;刘业琦;任思伟;李梦萄 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： G01D5/26 文献下载
摘要：为解决现有技术单芯片光频转换电路存在的非线性误差较大，难以满足高精度使用场合等问题，本发明提出一种光频转换电路和方法，包括硅基光电传感器、非线性拟合电路和锁相环电路；硅基光电传感器接收光信号并将其转换为感生电压信号；非线性拟合电路将拟合电压信号与感生电压信号进行比较并输出对应的数字码；锁相环电路依据数字码输出对应频率的方波电信号。本发明光频转换电路和方法的有益技术效果在于解决了现有光频转换电路在光强较强时电信号逐渐饱和，导致测量不准的问题，扩大了硅基光电传感器的线性感光范围。
转换电路方法

[发明专利]CTIA型CMOS焦平面读出电路及信号读出控制方法-CN201510176160.6有效
发明人：李毅强;任思伟;张靖;李梦萄;刘业琦 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：一种CTIA型CMOS焦平面读出电路，某一像元在二维焦平面阵列中的位置用标记Celln,m表达，其中，n表示该像元在二维焦平面阵列中所处的行数，m表示该像元在二维焦平面阵列中所处的列数；则标记为Celln,m的像元所对应的采样单元中的A节点，分别通过四条连接导线与标记为Celln‑1,m、Celln+1,m、Celln,m‑1和Celln,m+1的四个像元所对应的采样单元中的A节点电气连接；所述连接导线上设置有连接开关。本发明的有益技术效果是通过对采样单元进行拼接，可以降低CMOS焦平面读出电路每帧读出的数据量，从而缩短单帧读出所需的时间，使帧频得到提高。
ctia cmos 平面读出电路信号控制方法

[发明专利]一种光-频率转换电路-CN201510720400.4在审
发明人：李毅强;李梦萄;吴治军;刘昌举;任思伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H03K19/14 文献下载
摘要：本发明提出一种光-频率转换电路，包括依次连接的光电二极管、积分电路、比较器和振荡电路，并且，在振荡电路和积分电路之间连接有反馈信号C；采用积分电容积累光电二极管生成的光生电流信号，并在积分电压达到比较器的阈值时比较器翻转，使得门级控制电路产生振荡触发脉冲信号，触发振荡器振荡，同时，使能积分电荷泄放电路；其中，所述光-频率转换电路采用集成电路工艺制造且单片集成；振荡触发脉冲的第一个边沿经过延时之后触发振荡触发脉冲的第二个边沿，从而控制脉冲的脉宽。本发明光-频率转换电路的有益技术效果是可稳定输出占空比为50%的方波，且电路结构简单，成本低廉。
一种频率转换电路

[发明专利]光接收电路-CN201510678198.3在审
发明人：邓光平;刘昌举;钟四成;李梦萄;李毅强 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H04B10/69 文献下载
摘要：一种光接收电路，由4个运算放大器、8个匹配电阻、输出三极管、辅助三极管和光电二极管组成；前述元件按本发明方案连接后，分别形成一条主线路和一条辅助线路，主线路用于控制输出三极管的开启/关断，辅助线路用于对输出三极管基极上存储的电荷进行快速泄放；本发明的有益技术效果是：提出了一种新结构的光接收电路，该光接收电路具有低传输延迟时间的性能，同时，该光接收电路还能通过第二反相放大器来减小两个电压控制信号之间的延迟差异，从而使光接收电路的输出波形得到优化。
接收电路

[发明专利]CMOS图像传感器合并的低功耗实时降噪锐化预处理算法-CN201410550745.5有效
发明人：李明;吴治军;李梦萄;李毅强;邓光平;任思伟;刘昌举 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：为解决现有技术CMOS图像传感器图像预处理方法存在的将去噪和锐化算法分开执行，算法复杂度较高，不利于节省硬件资源和减少总体功耗等问题，本发明提出一种CMOS图像传感器合并的低功耗实时降噪锐化预处理算法，采用彩色滤波阵列CFA把输入的光信号分为红绿蓝RGB三基色，即RGB三种像素；采用片上分块分类型存取数据的方式进行数据缓存，采用空间自适应降噪算法降低RGB像素的噪声，将拉普拉斯算子和平滑算子结合起来生成一个新的算子模板并以此对G像素进行锐化处理。本发明的有益技术效果是将降噪和锐化过程合并在一起，大大降低了复杂程度、硬件开销和总体功耗，降低了硬件设计难度并提高了处理速度，且性能较好，利于实现。
cmos 图像传感器合并功耗实时锐化预处理算法

[发明专利]CMOS图像传感器数据读写控制方法-CN201410550715.4在审
发明人：任思伟;祝晓笑;刘昌举;李毅强;李梦萄;李明;邓光平;张靖;吴治军;刘业琦 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器数据读写控制方法，该方法中，由缓存装置来完成对数据的奇偶分选处理，只对有用的数据进行缓存，不必将全部数据都缓存出来；本发明的有益技术效果是：采用双SRAM结构实现逐行数据与奇偶隔行数据的转换，大大减少了硬件需求，使缓存装置可以在CMOS图像传感器上片上集成。
cmos 图像传感器数据读写控制方法

[发明专利]抑制焦平面探测器背景电流的方法-CN201410540183.6有效
发明人：刘昌举;李毅强;张靖;祝晓笑;邓光平;吴治军;李明;任思伟;刘业琦;李梦萄 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： G01J5/06 文献下载
摘要：一种抑制焦平面探测器背景电流的方法，其创新在于：将运算放大器的输入端与一背景减去电容（4）的一端连接，背景减去电容的另一端与一信号发生器相连；所述信号发生器能周期性地输出台阶电压信号，单个台阶电压信号的持续时间记为减去过程，相邻两个台阶电压信号之间的时间间隔记为非减去过程；所述减去过程与积分过程对应，所述非减去过程与非积分过程对应；非减去过程中，信号发生器输出信号的幅值与前一个台阶电压信号的最终值相同；本发明的有益技术效果是：可以明显降低背景电流对CMOS焦平面读出电路的影响，增大读出电路的动态范围。
抑制平面探测器背景电流方法

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