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- [发明专利]发光器件-CN201310334667.0有效
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朴海进;金敬训;金东河;李光七;金在勋;尹欢喜
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LG伊诺特有限公司
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2013-08-02
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2014-03-26
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H01L33/32
- 本发明公开了发光器件。所公开的发光器件包括:衬底;设置在衬底上的发光半导体结构;以及介于发光半导体结构和衬底之间的中间层。紫外(UV)发光半导体结构包括:第一导电型半导体层;第二导电型半导体层;以及介于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层,其中有源层具有多量子阱结构,该多量子阱结构包括含有AlxGa(1-x)N(0<x<1)的量子势垒层和含有AlyGa(1-y)N(0<x<y<1)的量子阱层的成对结构的至少一个周期,并且第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个包含AlGaN。中间层包含AlN并且具有形成在AlN中的多个气隙。气隙中的至少一些是不规则排列的,并且气隙的数目为107/cm2至1010/cm2。
- 发光器件
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