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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910709932.6有效
发明人：石田贵士;杉本尚丈;菅野裕士;冈本达也 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够减小半导体层内的晶粒的粒径的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第1半导体层，作为具有导电性的多晶半导体层；第2半导体层，设置在所述第1半导体层上，作为具有导电性且粒径比所述第1半导体层小的多晶半导体层；及多个电极层，在第1方向相互隔开而积层于所述第2半导体层上。所述装置还具备：第3半导体层，在所述第1半导体层、所述第2半导体层、及各所述电极层内，以在所述第1方向延伸的方式设置，且以与所述第2半导体层相接的方式设置；及电荷储存层，设置于所述多个电极层与所述第3半导体层之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]基板处理方法和结晶性碳化硅(SIC)基板的制造方法-CN201080020525.1有效
发明人：柴垣真果;佐藤政孝;杉本尚丈 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：公开一种基板的处理方法，该方法能够防止当将基板退火时在结晶性碳化硅(SiC)基板中出现表面粗糙。还公开一种碳化硅(SiC)基板的制造方法。基板的处理方法的实施方案包括以下步骤：用等离子体照射单晶碳化硅(SiC)基板(1)；和在高温下加热已经用等离子体照射的单晶碳化硅(SiC)基板(1)。
处理方法结晶碳化硅 sic 制造