专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种Si3-CN202011520575.8有效
  • 吴超;李华冠;张旭;张博森;权静茹;霍可心 - 南京工程学院
  • 2020-12-21 - 2022-10-21 - C04B35/582
  • 本发明提供了一种Si3N4晶须增韧的高导热AlN陶瓷基板和制备方法。制备方法,包括以下步骤:第一步:将氮化铝粉体、氧化钇、聚氮硅烷纤维、聚乙二醇缩丁醛、聚乙二醇和乙醇进行混合,在水浴下得到混合料浆;第二步:将混合料浆放入聚四氟乙烯罐中球磨,第三步:将球磨后料浆进行过筛除泡后得到流延浆料;第四步:流延浆料经过流延工艺得到复相陶瓷胶片;第五步:将第四步得到的复相陶瓷胶片进入脱脂炉内进行排胶,得到复相陶瓷的素片;第六步:将第五步中得到的复相陶瓷的素片在氮气气氛下烧结,得到产品。本发明在尽可能不影响氮化铝热导率的条件下,借助晶须桥联、拔出和裂纹偏转作用,提高氮化铝陶瓷的断裂韧性,提高氮化铝基片的可靠性。
  • 一种sibasesub

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