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[发明专利]半导体器件的加工方法、装置、处理器和半导体加工设备-CN202311051517.9在审
发明人： 朱人伟;杨军 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件的加工方法、装置、处理器和半导体加工设备，该方法包括：在半导体器件完成沉积工艺后，向反应室中通入预定气体，以使得反应室的温度保持在预设范围内，反应室为沉积工艺后的半导体器件所在的腔室，预定气体为导热系数大于预定值的气体，且预定气体不与半导体器件发生反应；在通入预定气体的过程中，分阶段去除反应室中的残余反应物，残余反应物为沉积工艺生成的反应物。本申请解决了现有技术中等离子体设备关闭后，残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题。
半导体器件加工方法装置处理器半导体设备

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010430509.5在审
发明人：陈笋弘;郑存闵;李瑞珉;项伟;朱人伟 -专利权人：合肥晶合集成电路有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法。所述形成方法在利用填充材料填充预处理基片上的第一沟槽之前，形成了辅助层覆盖第一沟槽的内表面，接着形成第一填充介质并进行回刻蚀，所得到的第一填充介质的上表面高于预处理基片的上表面，接着形成第二填充介质并执行第二平坦化工艺，由于第一沟槽区域的研磨量较周围区域大，在完成第二平坦化工艺后，在第一沟槽区域不容易发生凹陷问题。填充第一沟槽的过程不需要采用光阻以及曝光工艺，实施方便，成本较低。利用上述形成方法形成的半导体结构，由于可以得到平整度较佳的表面，因而质量较高。
半导体结构及其形成方法