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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体模块-CN202210774027.0在审
发明人：八田英之;木之内伸一;中田隼人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的半导体模块包括：半导体开关元件；及应力施加部，其设置于半导体开关元件的第一表面和与第一表面相反侧的第二表面中的一方或双方，具有比半导体开关元件的主要材料的线膨胀系数要大的线膨胀系数，且厚度比半导体开关元件要厚，应力施加部利用伴随温度变化的应力施加部的热收缩或热膨胀，使半导体开关元件产生压缩应力或拉伸应力，随着半导体开关元件的压缩应力或拉伸应力的大小的增加，半导体开关元件导通的阈值电压降低。
半导体模块

[发明专利]半导体模块-CN201780016770.7有效
发明人：矢野新也;木之内伸一;中山靖 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：在该半导体模块(1)中，第1及第2半导体芯片(C1、C2)的各个包括晶体管(2)、和连接于第1及第2控制焊盘之间的温度检测用的二极管(3)。将第1半导体芯片(C1)的第1控制焊盘与第1控制端子(T1a)连接，将第1半导体芯片(C1)的第2控制焊盘和第2半导体芯片(C2)的第1控制焊盘与第2控制端子(T1ak)连接，将第2半导体芯片(C2)的第2控制焊盘与第3控制端子(T2k)连接。
半导体模块

[发明专利]功率半导体模块、电力转换装置及铁路车辆-CN201080065240.X有效
发明人：田中毅;木之内伸一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： B60L9/22 文献下载
摘要：具有：元件对（26），由IGBT（25）和FWD群（24）反并联连接而成，该FWD群（24）中，导通时的电压降特性具有负的温度系数的FWD（24a）及导通时的电压降特性具有正的温度系数的FWD（24b）串联连接；以及元件对（36），由IGBT（35）和FWD群（34）反并联连接而成，该FWD群（34）中，导通时的电压降特性具有负的温度系数的FWD（34a）及导通时的电压降特性具有正的温度系数的FWD（34b）串联连接。这些元件对（26、36）并联连接而构成。
功率半导体模块电力转换装置铁路车辆

[发明专利]栅极驱动电路-CN201080021721.0有效
发明人：中武浩;木之内伸一;北村达也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：在对电压驱动型的开关元件(1)进行驱动的栅极驱动电路(10)中，设置电流限制电路(6)，该电流限制电路(6)以电流限制值IL为上限值来限制在接通时经由栅极电阻(3a)流向栅极端子的栅极电流ig。电流限制值IL被设定为高于开关元件(1)接通时产生密勒效应的期间的栅极电流值I2、且低于没有电流限制电路(6)的限制的情况下的接通时主电流开始流动的时刻的栅极电流值I1。而且，通过使在开关元件(1)接通时开关元件(1)的集电极电流的开始流动时的变化变得缓慢来降低高频噪声。
栅极驱动电路

[发明专利]半导体元件的驱动电路-CN200780010820.7有效
发明人：中武浩;石桥诚司;井手之上慎介;大井健史;木之内伸一;堀口刚司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-04-04 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种当在半导体元件(1)的栅电压未下降完毕的状态下，栅开启的命令来到时，防止半导体元件(1)异常的误检测的装置，仅在与向控制电路(2)输入了开启信号时的半导体元件(1)的控制量Qon相对应的期间内允许对半导体元件(1)的控制量(栅电压)进行检测处理，将在该期间内检测的检测控制量Qt和根据上述控制量Qon设定的控制量比较值Qs进行比较来输出异常信号，并以比正常遮断时的速度慢的速度遮断半导体元件(1)。
半导体元件驱动电路

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