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[发明专利]一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法-CN202211616137.0在审
发明人：李帅;尹琳;曾光鹏;李明鸿;李叶 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B41/80 文献下载
摘要：本发明属于ITO靶材领域，具体涉及一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法，在翘曲的ITO平面靶的翘曲的位置的表面施加6‑20N的力，然后升温至850‑950℃，保温一段时间，最后升温至1500～1600℃，保温一段时间。采用本发明的方法具有精度高、靶材受损小的优势。
一种降低烧结 ito 平面靶翘曲方法

[发明专利]一种ITO平面靶及其烧结方法和烧结装置-CN202211636060.3在审
发明人：李帅;尹琳;余芳;李叶;李明鸿;曾光鹏 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于ITO靶材领域，具体公开一种ITO平面靶及其烧结方法和烧结装置。本发明的烧结方法中，将ITO平面靶靶坯在适合其尺寸大小的密闭空间内进行烧结，该空间内温度和气体分布更加均匀，可提升靶材的密度和降低靶材的翘曲度。同时本发明的烧结方法在密闭结构内进行，杜绝了氧气流出，使得氧分压满足抑制靶材挥发的条件后，不需要再通入氧气，大大降低了在烧结过程中的氧气浪费，总体烧结过程所需的耗氧量极低。
一种 ito 平面及其烧结方法装置

[发明专利]一种二硅化钼发热丝及其制备方法、应用-CN202211120614.4在审
发明人：李立维;陈曦;康洙男;马胜;曾光鹏;孟益民;钟小华 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H05B3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硅化钼发热丝及其制备方法、应用，涉及电热元件的技术领域。二硅化钼发热丝的制备方法包括以下步骤：第一热处理阶段：将二硅化钼发热丝加热至1200‑1600℃，保温时间30‑120min后冷却；去膜阶段：将冷却后二硅化钼发热丝表面生成的SiO2膜研磨去除；第二热处理阶段：将二硅化钼发热丝加热至1200‑1600℃，保温时间24‑48h，冷却后制得高温稳定的二硅化钼发热丝。本申请在第一热处理过程中挥发掉对SiO2膜稳定性有影响的后Ca+、K+、Na+杂质离子，在第二热处理阶段可以形成具有玻璃光泽的SiO2膜，新生成的SiO2膜不易脱落且更加致密稳定无裂痕。
一种二硅化钼发热及其制备方法应用

[发明专利]一种CIP工艺模具及氧化陶瓷靶材的生产工艺-CN202210684653.0在审
发明人： 曾光鹏;代文亮;马胜;孟益民;李立维;钟小华 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B28B7/18 文献下载
摘要：本发明涉及生产用模具技术领域，尤其涉及一种CIP工艺模具及氧化陶瓷靶材的生产工艺，包括模具本体和圆环组件，模具本体包括第一模具框、第二模具框和轴心，圆环组件开设有第一通孔，轴心与第二模具框之间形成第一空腔，圆环组件的数量为两个，两个圆环组件相对设置于第一模具框的两端。两个圆环组件分别与材料的上下表面贴合。在材料经过CIP工艺处理时，第一空腔与材料之间的间隙造成模具框的各个表面受力不均，导致第二模具框上下表面发生形变，而与第二模具框分体连接的圆环组件不发生形变，从而确保造成产出的氧化陶瓷靶材的上下端面的平整度，避免产出品的上下端面过于倾斜导致需要切除大量材料，从而提高了氧化陶瓷靶材的产出率。
一种 cip 工艺模具氧化陶瓷生产工艺