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- [发明专利]半导体的制造方法-CN99119734.8有效
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刘家呈;周铭俊;章绢明
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晶元光电股份有限公司
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1999-09-28
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2003-12-17
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H01L21/20
- 一种半导体的制造方法,包括步骤提高室温度至1000℃,以4.01/min流率,引入氨气,作为氮的来源,以4.01/min流率,引入氢气,作为载子气体,以40×10-6mol/min流率,引入TMG气体,作为镓的来源,以2×10-6mol/min流率,引入Cp2Mg气体,作为镁杂质的来源,然后进行外延成长掺杂镁的GaN层,再缓慢降温10分钟至700度,在此过程中,使氢气与氨气流率逐渐减小至关闭,逐渐开放氮气进入外延室,使其流率增加至201/min,继而缓慢降至室温。
- 半导体制造方法
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