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[发明专利]天线装置以及阵列天线-CN201310026379.9在审
发明人：清水隆行;村野慎介 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01Q1/48 文献下载
摘要：本发明提供通过减小介质基板上的接地导体的面积而能够减少相互干涉的天线装置及具备多个该天线装置的阵列天线。天线装置（2）具备：介质基板（20）；设置在介质基板的背面（20b）且与反射板（10）连接的接地导体（3）；供电导体（4），该供电导体在与接地导体（3）之间夹着介质基板设置在介质基板的表面（20a），且具有以相互平行的方式设置的第一导体部（41）及第二导体部（42）、以及连接第一导体部和第二导体部的第三导体部（43）；以及以规定的频带共振的天线元件（5），天线元件具有：一端与第一导体部连接并设置在表面上的第一元件（51）、和一端与第二导体部连接并设置在表面上的第二元件（52）。
天线装置以及阵列

[发明专利]热固性粘合剂组合物和采用其的耐热粘合膜及布线膜-CN201310054065.X有效
发明人：天羽悟;阿部富也;社内大介;小松广明;村上贤一 -专利权人： 日立电线株式会社;日立电线精密技术株式会社
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C09J171/12 文献下载
摘要：本发明提供热固性粘合剂组合物和采用该组合物的耐热粘合膜及布线膜，即：保存稳定性、可靠性优异且低温粘合性优异的粘合剂组合物、采用该组合物的不易卷曲的耐热粘合膜及布线膜。上述热固性粘合剂组合物，其特征在于，相对于在结构中含有双酚S型骨架的苯氧基树脂100重量份，含有在结构中含有多个马来酰亚胺基的马来酰亚胺化合物在5重量份以上、30重量部以下的范围内，还含有无机针状填料在3容量%以上、20容量%以下的范围内。另外，还公开了将该热固性粘合剂组合物涂布在聚酰亚胺膜上并干燥而成的耐热粘合膜及在该耐热粘合膜上设置导体布线层而成的布线膜。
热固性粘合剂组合采用耐热粘合布线

[发明专利]粘合剂、粘合剂清漆、粘合膜及布线膜-CN201310054086.1有效
发明人：天羽悟;阿部富也;社内大介;小松广明;村上贤一 -专利权人： 日立电线株式会社;日立电线精密技术株式会社
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C09J171/12 文献下载
摘要：本发明提供粘合剂、粘合剂清漆、粘合膜及布线膜，即：保存稳定性、可靠性优异、低温耐热性优异的粘合剂组合物、采用该组合物的不易卷曲的耐热粘合膜和布线膜。所述粘合剂含有(A)在侧链上具有多个醇性羟基的苯氧基树脂100重量份、(B)在分子中具有一个异氰酸酯基和选自由乙烯基、丙烯酸酯基及甲基丙烯酸酯基构成的组中的至少一个官能团的多官能异氰酸酯化合物2重量份以上、60重量份以下、(C)在分子中具有多个马来酰亚胺基的马来酰亚胺化合物或/及它们的反应生成物5重量份以上、30重量份以下，(B)成分和(C)成分的总量为7重量份以上、60重量份以下。还公开有将该粘合剂涂布在基材膜上而成的耐热粘合膜及在该耐热粘合膜上设置导体布线层而成的布线膜。
粘合剂清漆粘合布线

[发明专利]轧制铜箔-CN201310048976.1有效
发明人：室贺岳海;关聪至 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种轧制铜箔。所述轧制铜箔在再结晶退火工序后具有优异的弯曲特性。将与主表面平行的{022}面、{113}面、{111}面、{133}面和{002}面的以合计值为100所换算的衍射峰强度比分别设为I{022}、I{002}、I{113}、I{111}和I{133}，将具有{022}面、{113}面、{111}面、{133}面和{002}面的粉末铜的以合计值为100所换算的衍射峰强度比分别设为I0{022}、I0{113}、I0{111}、I0{133}和I0{002}时，I{022}/I0{022}≥7.0、I{113}/I0{113}≥0.40、I{111}/I0{111}≥0.090、且I{133}/I0{133}≥1.4。
轧制铜箔

[发明专利]交联橡胶、使用其的橡胶电缆、和交联橡胶的制造方法-CN201310051146.4有效
发明人：青山贵;阿部富也;渡边清;芦原新吾;石川大;安田周平 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2013-02-16 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C08J3/24 文献下载
摘要：本发明提供由圆筒卷绕引起的压扁少的交联橡胶、使用该交联橡胶的橡胶电缆、和交联橡胶的制造方法，该交联橡胶的制造方法不需要大量的能量、高价的交联装置，且由圆筒卷绕引起的压扁少。该交联橡胶如下构成：使交联前的橡胶分子中含有在高温状态下相互背离在冷却状态下相互结合的高温背离且冷却结合型交联基、和硅烷交联基，成型后，在所述高温背离且冷却结合型交联基相互进行了结合的状态下，使所述硅烷交联基与水分一起进行硅烷醇缩合反应，从而形成实施了硅烷交联的交联橡胶。
交联橡胶使用电缆制造方法

[发明专利]轧制铜箔及轧制铜箔的制造方法-CN201210435451.9无效
发明人：伊藤保之 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明的课题是提供可抑制常温软化、保持能够通过再结晶而赋予高弯曲特性的状态、同时耐受长期保存的轧制铜箔及轧制铜箔的制造方法。作为解决本发明课题的方法是一种用于柔性印刷布线板的轧制铜箔，其含有规定浓度的氧(O)、硫(S)、银(Ag)、铁(Fe)，在规定温度实施过热轧工序，由TN＝－98［O］＋1840［S］＋2005［Ag］－824［Fe］＋0.012Tr定义的规定值TN为9.8以上。(其中，［E］为上述轧制铜箔所含有的元素E的浓度(质量%)，Tr为上述热轧工序中的温度(℃))。
轧制铜箔制造方法

[发明专利]轧制铜箔-CN201210184249.3无效
发明人：室贺岳海;关聪至 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种轧制铜箔，在再结晶退火工序后具有优良弯曲特性。与主表面平行的多个晶面的衍射峰强度为：I{022}/(I{022}+I{002}+I{113}+I{111}+I{133})≥0.50，(I{002}+I{113})/(I{111}+I{133})≤2.0，10≤I{022}/I{002}≤45，I{022}/I{113}≥5.0，I{022}/I{111}≤120，I{022}/I{133}≤25，I{002}/I{113}≤5.0，I{111}/I{133}≤3.0，I{113}/I{111}≤5.0，I{002}/I{111}≤8.0，I{002}/I{133}≤2.0，且I{113}/I{133}≤2.0。
轧制铜箔

[发明专利]轧制铜箔-CN201210189040.6无效
发明人：室贺岳海;关聪至 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种轧制铜箔，其具有高弯曲特性和优良的耐折弯性。与主表面平行的多个晶面包括{022}面、{002}面、{113}面、{111}面和{133}面，对主表面利用2θ/θ法进行X射线衍射测定而求出、以合计值成为100的方式换算而得的各晶面的衍射峰强度比分别为I{113}≤6.0、I{111}≤6.0且I{133}≤6.0，各晶面的衍射峰的半值宽分别为FWHM{002}≤0.60、FWHM{022}≤0.50、FWHM{113}≤0.50、FWHM{111}≤0.50且FWHM{133}≤0.70。
轧制铜箔

[发明专利]轧制铜箔-CN201310006449.4无效
发明人：室贺岳海;关聪至 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种轧制铜箔。所述轧制铜箔具有高弯曲特性和优异的耐弯折性。与主表面平行的多个晶面包含{022}面、{002}面、{113}面、{111}面、和{133}面，将对主表面由使用2θ/θ法的X射线衍射测定所求出、以合计值为100的方式所换算的各晶面的衍射峰强度比分别设为I{022}、I{002}、I{113}、I{111}和I{133}时，I{113}≤6.0、I{111}≤6.0、且I{133}≤6.0。
轧制铜箔

[实用新型]电缆组件-CN201320137126.4有效
发明人：杉山刚博 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01R12/65 文献下载
摘要：本实用新型提供电缆组件。该电缆组件具备：具有一对信号线导体、设置于各信号线导体的周围的绝缘体、设置于绝缘体的周围的外部导体的差动信号传输用电缆；在差动信号传输用电缆的长边方向上排列设置，并使各信号线导体向外部露出的信号线导体露出部以及使外部导体向外部露出的外部导体露出部；具有配置信号线导体露出部的第一主体部以及配置外部导体露出部的第二主体部的电缆支架；设置于第一主体部，且连接各信号线导体的信号线用触头以及延伸至第二主体部并连接外部导体的接地用触头；设置于第二主体部，并积存连接外部导体和接地用触头的、具有导电性的粘合材料的粘合材料存积部。根据上述结构能够在每个产品中得到稳定的电特性。
电缆组件

[实用新型]光电复合配线模块-CN201320071966.5有效
发明人：柳主铉;安田裕纪;平野光树;石川浩史 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H04B10/80 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光电复合配线模块，其与在安装有光学元件的面的背面侧的面上形成有容纳光纤及电配线的槽的情况相比，能减少装配时的作业工时。光电复合配线模块（1）具有：沿着长度方向设有第一～第六导电线（111～116）及第一～第四光纤（121～124）的挠性的第一基板（10）；形成有容纳从第一基板（10）的端部突出的第一～第六导电线（111～116）和第一～第四光纤（121～124）的第一～第六凹部（201～206）及第一～第四光纤容纳凹部（241～244）的第二基板（20）；以及安装在第二基板（20）上的光学元件（31），第一～第六凹部（201～206）及第一～第四光纤容纳凹部（241～244）在第二基板（20）的安装面（20a）侧进行了开口。
光电复合模块

[发明专利]低铜合金材料及其制造方法-CN201310156897.2有效
发明人：青山正义;鹫见亨;酒井修二;佐藤隆裕;安部英则 -专利权人： 日立电线株式会社;日立卷线株式会社
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供生产率高，导电率、软化温度、表面品质优秀的低铜合金材料及其制造方法。该低铜合金材料，是在包含不可避免的不纯物的纯铜中包含2～12mass ppm的硫、2～30mass ppm的氧和4～55mass ppm的Ti的低铜合金材料。
铜合金材料及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法以及使用了该薄膜晶体管的显示装置-CN201210223500.2有效
发明人：楠敏明;浅沼春彦 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管、其制造方法以及使用了该薄膜晶体管的显示装置。本发明的薄膜晶体管具备半导体膜、栅电极、源电极、以及漏电极，其中，栅电极、源电极以及漏电极内的至少1个电极具有包括由铜合金构成的第1电极层和由纯铜构成的第2电极层的2层构造，第1电极层的铜合金是针对铜添加了P和其他元素的铜合金，其他元素是从Mn、Mg、Ca、Ni、Zn、Si、Al、Be、Ga、In、Fe、Ti、V、Co、Zr、以及Hf内选择的至少1种元素，第1电极层的厚度是10nm以上50nm以下，第2电极层的厚度是300nm以上600nm以下，其他元素的浓度与第1电极层的厚度之积的范围是50at.%·nm以上400at.%·nm以下。
薄膜晶体管制造方法以及使用显示装置

[发明专利]扁平配线材料及其使用该扁平配线材料的安装体-CN201310032214.2无效
发明人：矢口昭弘;小林拓实;远藤裕寿;小松广明;村上贤一;齐藤力夫 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01B7/08 文献下载
摘要：本发明提供扁平配线材料及使用该扁平配线材料的安装体，即使在将扁平配线材料的导体的露出部用软钎料与预涂敷软钎料的被安装基板的电极部直接连接的情况下，也能稳定且高可靠性地软钎焊导体的露出部和被安装基板的电极部。柔性扁平电缆（1）具有：设置间隔而在宽度方向上并列配置的多个信号用导体（2）；将多个信号用导体以这些多个信号用导体的两端部露出的方式汇总包覆的绝缘性的包覆部件（3）；设置在包覆部件上的与多个信号用导体露出的两端部中的至少一方靠近的位置上，且通过形成于向宽度方向延伸的端部上的插入部（43）插入到形成于被安装基板上的贯通孔中而配合的配合部件（4）；以及将配合部件固定于包覆部件上的固定部件（5）。
扁平线材料及使用安装

[发明专利]压电体元件及压电体装置-CN201310023655.6有效
发明人：末永和史;柴田宪治;渡边和俊;野本明;堀切文正 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明提供压电特性优良且可靠性高的压电体元件及压电体装置。在基板(1)上至少设置有下部电极层(3)、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x＋y＋z＝1)所表示的压电体膜(4)及上部电极层(5)的压电体元件(10)中，前述压电体膜(4)具有准立方晶、正方晶、斜方晶、单斜晶、菱形晶的晶体结构，或者这些晶体结构共存的状态，在这些晶体结构中的晶轴中的2轴以下的某特定轴上优先取向，且存在有c轴取向晶畴结晶成分与a轴取向晶畴结晶成分中的至少一种的晶畴结晶成分作为前述取向的晶轴的成分。
压电元件装置