专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种预防寄生效应的版图隔离结构-CN202310891054.0在审
  • 赖大伟;王迪;韦宇轩;张文文;方利泉 - 杭州傲芯科技有限公司
  • 2023-07-19 - 2023-10-27 - H01L29/06
  • 本发明提供的一种预防寄生效应的版图隔离结构,包括P型衬底、设于P型衬底中上部的有源区;有源区包括从左到右依次设置的P型阱区、N型阱区和P型阱区,N型阱区设于P型衬底的中部,且N型阱区的上表面设有掺杂的N+区,P型阱区设于N型阱区的两侧,且P型阱区的上表面设有掺杂的P+区;掺杂的P+区和掺杂的N+区的顶部包括至少一个连接孔,每个连接孔相互连接,且掺杂的P+区和掺杂的N+区经连接孔相互连接。P型阱区的电极由掺杂的P+区引出,N型阱区的电位由掺杂的N+区引出,通过将有源区中三个阱区的电极短接,以抑制闩锁效应以及隔离和屏蔽器件或模块之间的噪声及游离电子,从而提高电路的可靠性。
  • 一种预防寄生效应版图隔离结构
  • [发明专利]一种全隔离的高压二极管-CN202310864851.X在审
  • 赖大伟;王迪;张文文;韦宇轩;方利泉 - 杭州傲芯科技有限公司
  • 2023-07-14 - 2023-09-29 - H01L29/06
  • 本发明提供的一种全隔离的高压二极管,包括P型衬底和高压P阱区,同时在二者之间设置了一N型掺杂的隔离区进行隔离,隔离区包括第一高压N型阱区和N型埋层,第一高压N型阱区设于高压P阱区的两侧,使之与垂直的P型衬底隔离;N型埋层设置于高压P阱区的下方并与第一高压N型阱区连接,使高压P阱区与横向的P衬底隔离。第一高压N型阱区的上表面设置有掺杂的N+区,掺杂的N+区引出到控制电极,而控制电极连接于电源,使隔离区与P型衬底及高压P阱区形成一个反向的耗尽区,从而使高压P阱区与P衬底形成绝对的电性隔离,以解决二极管在高压运用场景下的寄生漏电的问题。
  • 一种隔离高压二极管
  • [发明专利]一种可用于大输入共模范围与负压比较的比较器电路-CN202310832642.7在审
  • 王迪;陈琛;方利泉;梁译丹;赖大伟 - 杭州傲芯科技有限公司
  • 2023-07-08 - 2023-09-08 - H03K5/24
  • 本发明提供的一种可用于大输入共模范围与负压比较的比较器电路,在电路中采用降压模块将输入端的大电压进行降压,从而将大电压比较域转换为小电压来实现比较功能,降低了大电压域信号比较的难度,采用检测模块将降压模块降压后的电压大小,反映为对应比较开关栅极和源极电压差的大小,使得比较模块不仅能比较正电压域的电压信号,还能比较负电压域的电压信号,规避了现有技术中负电压无法正常比较的问题;同时在检测模块的第一检测回路和第二检测回路分别设置对应的电流源和电阻,使得可用于大输入共模范围与负压比较的比较器电路的信号翻转阈值人为可控,在比较模块中采用电阻来实现电流控制,使其具备实际可实现性。
  • 一种用于输入模范比较电路

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