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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图像传感器-CN202210603744.7在审
发明人：权杜原;文昌碌;林京太 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供的是一种图像传感器，包括：第一层，包括第一半导体衬底和设置在第一半导体衬底上的第一布线层；第二层，包括第二半导体衬底和设置在第二半导体衬底上的第二布线层，并且设置在第一层上，使得第一布线层和第二布线层在第一方向上彼此相对；多个第一接合结构，基于第一接合金属与第二接合金属接触来将第一层接合到第二层；第三层，包括第三半导体衬底和设置在第三半导体衬底上的第三布线层，并且接合到第二层，使得第二半导体衬底和第三布线层在第一方向上彼此相对；以及多个第二接合结构，从第二布线层延伸，并且基于穿透第二半导体衬底的接合通路与暴露于第三布线层的表面的第三接合金属接触来将第二层接合到第三层。
图像传感器

[发明专利]光学扫描仪的光学传感器-CN202010522206.6有效
发明人：朴钟勋;金范锡;金正生;章敏;郑泰燮;郑赫镇;琴东旻;文昌碌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：提供了包括阻光图案的光学传感器以及包括该光学传感器的电子设备。光学传感器可以包括多个光电转换区域、在所述多个光电转换区域上的多个透镜、以及在所述多个光电转换区域与所述多个透镜之间延伸的阻光层。阻光层可以包括在所述多个光电转换区域中的第一光电转换区域与所述多个透镜中的第一透镜之间的开口。光学传感器可以配置为与显示面板组装，使得所述多个透镜设置在阻光层与显示面板之间。
光学扫描仪传感器

[发明专利]光学扫描仪的光学传感器-CN202010174341.6有效
发明人：朴钟勋;金范锡;金正生;章敏;郑泰燮;郑赫镇;琴东旻;文昌碌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：提供了包括阻光图案的光学传感器以及包括该光学传感器的电子设备。光学传感器可以包括多个光电转换区域、在所述多个光电转换区域上的多个透镜、以及在所述多个光电转换区域与所述多个透镜之间延伸的阻光层。阻光层可以包括在所述多个光电转换区域中的第一光电转换区域与所述多个透镜中的第一透镜之间的开口。光学传感器可以配置为与显示面板组装，使得所述多个透镜设置在阻光层与显示面板之间。
光学扫描仪传感器

[发明专利]包括阻光图案的光学传感器以及电子设备-CN201810343594.4有效
发明人：朴钟勋;金范锡;金正生;章敏;郑泰燮;郑赫镇;琴东旻;文昌碌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：提供了包括阻光图案的光学传感器以及包括该光学传感器的电子设备。光学传感器可以包括多个光电转换区域、在所述多个光电转换区域上的多个透镜、以及在所述多个光电转换区域与所述多个透镜之间延伸的阻光层。阻光层可以包括在所述多个光电转换区域中的第一光电转换区域与所述多个透镜中的第一透镜之间的开口。光学传感器可以配置为与显示面板组装，使得所述多个透镜设置在阻光层与显示面板之间。
包括图案光学传感器以及电子设备

[发明专利]电子装置-CN202010088100.X在审
发明人：金笵锡;李允基;金正生;朴钟勋;朴俊城;文昌碌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：提供了一种电子装置，所述电子装置可包括光电元件、位于光电元件上的屏蔽层以及位于屏蔽层上的滤色器结构。屏蔽层可限定位于光电元件之上的第一开口。滤色器结构可限定位于光电元件和第一开口之上的第二开口。滤色器结构可从面对滤色器结构的视角呈现黑暗。
电子装置

[发明专利]三维图像传感器、深度校正方法及三维图像生成方法-CN201910710726.7在审
发明人：陈暎究;金永灿;文昌碌;权容铉;郑泰燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种3D图像传感器包括深度像素和与深度像素相邻的至少两个偏振像素。深度像素包括在基板中的电荷产生区域。深度像素配置为基于检测从物体反射的光来生成与3D场景中的从3D图像传感器起的物体的深度相关联的深度信息。每个偏振像素包括在基板中的光电二极管和在基板上在光入射方向上的偏振器。偏振像素配置为基于检测从物体反射的光而生成与3D场景中的物体的表面形状相关联的形状信息。偏振像素和深度像素共同地限定单位像素。各偏振器与不同的偏振方向相关联。
三维图像传感器深度校正方法图像生成

[发明专利]具有滤色器的电子装置-CN201510508676.6有效
发明人：崔夏奎;文昌碌;李准泽;金亨峻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：提供了一种具有滤色器的电子装置。所述电子装置包括：第一无机滤色器，包括第一表面和背对第一表面的第二表面，光入射在第一表面上；第一有机滤色器，设置在第一无机滤色器的所述第一表面上。
具有滤色器电子装置

[发明专利]电子装置-CN201811456282.0在审
发明人：金笵锡;李允基;金正生;朴钟勋;朴俊城;文昌碌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：提供了一种电子装置，所述电子装置可包括光电元件、位于光电元件上的屏蔽层以及位于屏蔽层上的滤色器结构。屏蔽层可限定位于光电元件之上的第一开口。滤色器结构可限定位于光电元件和第一开口之上的第二开口。滤色器结构可从面对滤色器结构的视角呈现黑暗。
滤色器结构光电元件电子装置屏蔽层开口黑暗视角

[发明专利]图像传感器-CN201811352594.7在审
发明人：金范锡;朴钟勳;文昌碌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器可以包括具有多个块区域的基底。每个块区域可以包括分离的多个像素区域。每个像素区域可以包括位于基底中的多个光电元件中的单独的光电元件以及位于基底上的多个微透镜中的单独的微透镜。多个微透镜中的每个微透镜可以从像素区域的垂直中心线朝向块区域的中心横向偏移。多个块区域中的每个块区域可以包括块区域的多个微透镜的共同偏移形状。
块区域微透镜像素区域基底图像传感器光电元件偏移垂直中心线中心横向

[发明专利]图像传感器-CN201210464819.4有效
发明人：金相勋;文昌碌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了图像传感器。图像传感器包括位于基底的第一表面上并且具有多层结构的第一绝缘层间结构。第一布线结构位于第一绝缘层间结构中。通孔接触塞从基底的第二表面延伸，并且穿透基底以电连接到第一布线结构。滤色器和微透镜堆叠在基底的第一区域中的第二表面上。第二绝缘层间结构位于基底的第二区域中的第二表面上。第二布线结构位于第二绝缘层间结构中，以电连接到通孔接触塞。焊盘图案电连接到第二布线结构并且具有上表面，通过所述上表面施加外部电信号。光电二极管在第一区域中位于第一布线结构和第二布线结构之间。
图像传感器

[发明专利]具有光阻挡层的图像传感器装置及其制造方法-CN200710300771.2有效
发明人： 文昌碌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有光阻挡层的图像传感器装置及其制造方法。该图像传感器装置包括光学黑像素区域和有源像素区域。该图像传感器装置包括：包括配置来探测入射在其上的光的多个光敏半导体器件的光接收单元；像素金属配线层，包括光接收单元上的透明材料并包括其中的多条金属配线；和像素金属配线层上的滤色器单元。该滤色器单元包括配置来根据光的波长传输光的多个滤色器。图像传感器装置光学黑像素区域中的滤色器单元的滤色器具有单一颜色。该图像传感器装置还包括在光学黑像素区域中滤色器单元和光接收单元之间的光阻挡层。该光阻挡层配置来阻挡穿过滤色器单元的光。
有光阻挡图像传感器装置及其制造方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200510081369.0有效
发明人： 文昌碌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态成像器件及其制造方法。本发明中可获得的光子向光接收元件的转移效率增加到超过了当前可获得的效率。提供了允许这种更高效率的增强的抗反射层配置及其制造方法。它们可应用于当前的成像器件，如电荷耦合器件(CCD)和CMOS图像传感器(CIS)。在一个实施例中，光敏器件形成在半导体衬底中。该光敏器件包括光敏区域。包括氮氧化硅的抗反射层形成在该光敏区域上。对该氮氧化硅层进行热处理，以增大该氮氧化硅层的折射率，并且从而减小入射光在该光敏区域交界处的反射率。
图像传感器及其制造方法

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