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[发明专利]一种带温度补偿的CMOS延迟电路-CN202110429615.6在审
发明人：杨荣彬;徐双恒;丁畅;夏涛;吴霜毅 -专利权人：成都铭科思微电子技术有限责任公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H03K5/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种带温度补偿的CMOS延迟电路，包括NMOS管、PMOS管和温度补偿电阻，所述NMOS管的源极通过一温度补偿电阻接地，NMOS管的漏极和PMOS管的漏极共接且形成输出端，PMOS管的源极通过一温度补偿电阻连接电源，NMOS管的栅极和PMOS管的栅极共接且构成输入端；将CMOS延迟电路的延迟时间随温度的变化从完全由工艺决定变成了可设计。
一种温度补偿 cmos 延迟电路

[发明专利]一种开关电容共模反馈结构-CN201210271855.9有效
发明人：宁宁;朱波;宋文青;倪春晓;陈华;徐双恒;眭志凌;杨畅;郑杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关电容共模反馈结构，它属于模拟集成电路技术，特别涉及一种能提高全差分运算放大器输出摆幅，减小共模电压建立时间，提高共模电压精度的开关电容共模反馈结构。该结构包括：一共模检测开关电容电路和一运算放大器电路。本发明的共模检测开关电容电路由四个开关和四个电容构成，可增大全差分运算放大器输出摆幅，检测全差分运算放大器输出共模电压，降低开关电荷注入、时钟馈通以及电容初始固有电荷对共模检测精度的影响。检测到的共模电压与理想共模电压通过运算放大器比较放大后输出共模反馈电流源偏置电压，可以有效减小共模电压建立时间，提高共模电压精度。
一种开关电容反馈结构

[发明专利]一种具有平移技术的流水线型ADC数字后台校正电路-CN201210250055.9有效
发明人：宁宁;眭志凌;陈华;徐双恒;李靖;陈荣冠;郑杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：一种具有平移技术的流水线型ADC数字后台校正电路，属于数字校正领域。电路结构包括一校正级模数转换（ADC）电路、一传统后台校正电路和一传输特性平移电路。校正级ADC电路将输入模拟信号Vin转换成数字输出信号D1作为校正级输出，同时产生残差信号Vref作为常规后台校正路输入信号；常规后台校正电路对残差信号Vref和随机校正信号增益放大后进行模数转换，然后将所得数字信号进行数字信号处理得到校正系数gcal，用来校正ADC数字输出中含有的增益误差，得到后续级校正后的数字代码；传输特性平移电路通过两个比较器产生控制信号来控制判断是否需要电压平移和平移补偿，得到相应的数字补偿码作为补偿电路输出；然后将三模块数字输出相加得到校正级最终输出Doubt。
一种具有平移技术流水线型 adc 数字后台校正电路