专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高硅铝比MOR分子筛及其制备方法-CN202111015403.X有效
  • 李琢;赵尚庆;李海威;于建强;张妍;杜辉;杨晓龙;彭彦华 - 青岛大学
  • 2021-08-31 - 2023-05-30 - C01B39/26
  • 本发明属于分子筛材料技术领域,公开了一种高硅铝比MOR分子筛及其制备方法。本发明的制备方法首先将硅源、铝源、氢氧化钠、水混合,陈化,并对陈化得到的凝胶进行冷冻,以引入冰晶模板剂,而后真空干燥,再在水中进行水热晶化,最后将水热晶化产物在5~13pH值的溶液中进行后处理即可得到高硅铝比MOR分子筛。本发明利用廉价环保的冰晶模板剂法制备高硅铝比的MOR分子筛,通过冰晶模板剂的引入,可以明显降低分子筛合成所需要的晶化温度、缩短分子筛的晶化时间,且无需外加模板剂或导向剂,采用常见的硅源和铝源即可制得MOR分子筛,大幅降低了生产成本,减少了废水废气的排放,具有较好的应用前景。
  • 一种高硅铝mor分子筛及其制备方法
  • [发明专利]一种Ti3-CN202110344090.6在审
  • 彭彦华;郭亚楠;张东升 - 青岛大学
  • 2021-03-31 - 2021-07-06 - B01J27/04
  • 本发明提供了一种可见光响应范围宽、非贵金属、光催化活性高及稳定性强的富含S空位的2D/2D Ti3C2‑MXene/ZnIn2S4复合光催化剂。复合光催化剂得益于S空位电子陷阱的作用,阻止了电子垂直传输进而发生光生电子和空穴的复合。且由于Ti3C2‑MXene的强导电性,电荷传输速率增强,从而提高量子效率。同时,该光催化剂不含贵金属,成本较低,通过简单水热法合成,可见光分解水性能得到提高,在可见光驱动光催化领域具有广阔的应用前景。
  • 一种tibasesub
  • [发明专利]一种MoS2-CN202110288515.6在审
  • 彭彦华;郭欣蕾;张东升;于建强 - 青岛大学
  • 2021-03-18 - 2021-06-25 - B01J27/051
  • 本发明公开了一种MoS2量子点掺杂的ZnIn2S4复合光催化剂的制备方法及其应用,属于无机化学和光催化技术领域。该复合光催化剂拓宽了光吸收范围,加快了表面光生载流子分离,提高了光产氢效率。本发明通过将多边形MoS2纳米环做晶核,与ZnIn2S4前驱体水热反应得到了MoS2量子点掺杂的ZnIn2S4复合光催化剂,大大地增加了催化剂表面活性位点的数量,得到的复合光催化剂具有高效的光催化产氢效果,制备方法简单,有利于大规模推广。
  • 一种mosbasesub
  • [发明专利]一种复合光催化剂BiOBrx-CN202011104842.3在审
  • 张妍;成瑞;杨晓龙;聂兆广;于建强;彭彦华;杨雪媛;张正 - 青岛大学;青岛大学威海创新研究院
  • 2020-10-15 - 2021-02-26 - B01J27/06
  • 本申请公开了一种复合光催化剂BiOBrxI1‑x/BiOBr及其制备方法和应用。一种复合光催化剂BiOBrxI1‑x/BiOBr的制备方法,包括如下步骤:将五水硝酸铋、溴化物、碘化物分别溶于醇溶剂中,得到硝酸铋的醇溶液、溴化物的醇溶液以及碘化物的醇溶液;将溴化物的醇溶液加入到硝酸铋的醇溶液中搅拌均匀,滴加碘化物的醇溶液后,得到混合溶液;将混合溶液置于95‑105℃的温度下反应7‑9h,冷却至室温后得到沉淀物,将沉淀物经洗涤、干燥后,得到BiOBrxI1‑x/BiOBr。本申请BiOBrxI1‑x/BiOBr通过简单的溶剂热合成方法,构建固溶体和异质结构来抑制光生电子与空穴复合,提高光催化性能。
  • 一种复合光催化剂biobrbasesub
  • [发明专利]静电放电保护装置-CN201110413711.8有效
  • 蔡富义;蔡佳谷;彭彦华;柯明道 - 智原科技股份有限公司
  • 2011-12-13 - 2013-06-19 - H01L27/02
  • 一种静电放电保护装置,包括至少一第一晶体管以及至少一第二晶体管。第一晶体管具有控制端、第一端、第二端以及基极,其控制端以及其第二端相互耦接,其第一端耦接至焊垫及电压轨线的其中之一。第二晶体管同样具有控制端、第一端以及第二端,其第一端与该第一晶体管的基极相互耦接,第二晶体管的基极耦接至第一晶体管的第二端,且第二晶体管的第二端耦接至焊垫及电压轨线的另一个。
  • 静电放电保护装置
  • [发明专利]静电放电保护电路-CN201110119362.9有效
  • 蔡佳谷;蔡富义;彭彦华 - 智原科技股份有限公司
  • 2011-05-05 - 2012-11-07 - H01L27/02
  • 一种静电放电保护电路,设有一第一硅控整流器(SCR,Silicon Controlled Rectifier)与一触发电路;触发电路设有一第一金属氧化物半导体晶体管与一第二晶体管,在静电放电发生时触发第一硅控整流器,并提供一个与第一硅控整流器并联的第二硅控整流器。本发明设有触发电路,得以在静电放电发生时快速触发硅控整流器导通,等效上就是降低硅控整流器的触发电压。而触发电路本身又可提供另一并联的硅控整流器,进一步增强对静电放电电流的导通能力。
  • 静电放电保护电路

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