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[发明专利]一种改善闪屏的GIP电路及其方法-CN202111151547.8有效
发明人： 张桂瑜 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开一种改善闪屏的GIP电路及其方法，在17T1C的GIP电路中，由17个TFT作为开关和1个电容耦合作用构成，且将GIP电路的Gout，即T17的漏极连接CLR_G，且在每一帧画面空白时间CLR_G连接一个大小为0V的GND信号。在每一帧画面的空白时间单独给GIP电路的Gout一个单独的GND信号，GND信号为0V电压，使得栅极线G(n)输出为GND(0V)，此时像素和扫描线间跨压为0V，无任何压差，达到无电荷残留，进而改善闪屏现象。
一种改善 gip 电路及其方法

[外观设计]用于自然资源监测监管图形用户界面的显示屏幕面板-CN202230040085.1有效
发明人：王强;孙芬;李爱迪;杨凯;张淼;刘中秋;彭海涛;邹富;张桂瑜 -专利权人：重庆市规划和自然资源调查监测院
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： 14-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：用于自然资源监测监管图形用户界面的显示屏幕面板。2.本外观设计产品的用途：用于土地规划和自然资源监测监管。3.本外观设计产品的设计要点：在于主视图。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.图形用户界面的用途：双击桌面系统图标，系统将弹出登录窗口，在登录窗口中输入用户名和密码之后进入系统主界面，界面变化状态图1。在界面变化状态图1中点击顶部状态栏的“专题成果”，界面跳转至界面变化状态图2；点击“数据资源”，界面跳转至界面变化状态图3。在界面变化状态图3中，点击工具栏中的“工具”，界面跳转至界面变化状态图4。在界面变化状态图1中点击顶部状态栏中的“数据统计”，页面跳转至界面变化状态图5；点击“应用分析”，页面跳转至界面变化状态图6。在界面变化状态图6中，点击右上角的“流入分析”，界面跳转至界面变化状态图7；点击“流出分析”，界面跳转至界面变化状态图8。6.该显示屏幕面板用于手机、电脑。
用于自然资源监测监管图形用户界面显示屏幕面板

[发明专利]一种GIP电路驱动方法及显示装置-CN202110203542.9有效
发明人：王强;许汉东;张桂瑜;钟慧萍;刘振东;郑聪秀 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供一种GIP电路驱动方法及显示装置，适用于GIP电路中晶体管的临限电压Vth为负值这一情况，通过调整控制信号V1的VGH来达到降低P2点的电压的作用，间接降低晶体管T13的栅源电压Vgs，改善晶体管T13在关态时的漏电情况。Q点不受漏电的影响，GIP电路仍可正常输出信号，这改善显示装置的显示品质，提升显示装置的观感，进而提高显示装置的竞争力。同时，GIP电路的结构简单，成本低，可以提升产品的品质与良率。
一种 gip 电路驱动方法显示装置

[实用新型]一种低电阻触控线的像素结构-CN202220925806.1有效
发明人： 张桂瑜 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低电阻触控线的像素结构，其包括由下至上设置基板上的第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、第一绝缘层、有机层、第三金属层、第二绝缘层、像素电极、第三绝缘层和共通电极；第一金属层作为薄膜晶体管栅极；半导体层作为薄膜晶体管半导体沟道；第二金属层作为触控线一层；第三金属层作为触控线另一层，第三金属层通过第一层绝缘层上的连接通孔连接第二金属层以作为触控线；位于共通电极与第三金属层之间的第三绝缘层、第二绝缘层、有机层和第一绝缘层的竖直方向设置连接通孔，共通电极通过连接通孔与第三金属层连接，实现共通电极与触控线连接。本实用新型利用两层金属走线的方式降低电阻，触控反应更灵敏。
一种电阻触控线像素结构

[实用新型]一种降低触控线电容的像素结构-CN202220812806.0有效
发明人： 张桂瑜 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种降低触控线电容的像素结构，其包括基板以及由下至上依次设置在基板上的第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、第一绝缘层、第三金属层、有机层、第二绝缘层、共通电极、第三绝缘层和像素电极；将有机层制备在第三金属层之后,使得作为触控线的第三层金属与共通电极之间设有有机层和第二绝缘层，有机层较厚为第二绝缘层的厚度的5~10倍，使得触控线（第三层金属）与共通电极之间的距离增大，触控线（第三层金属）与共通电极之间的电容减小，触控线（TP线）的总电容也减小。本实用新型触控线总电容减小了38.7%。提高触控的灵敏性。
一种降低触控线电容像素结构

[发明专利]一种低电阻触控线的像素结构及其制备方法-CN202210420000.1在审
发明人： 张桂瑜 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种低电阻触控线的像素结构及其制备方法，其包括由下至上设置基板上的第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、第一绝缘层、有机层、第三金属层、第二绝缘层、像素电极、第三绝缘层和共通电极；第一金属层作为薄膜晶体管栅极；半导体层作为薄膜晶体管半导体沟道；第二金属层作为触控线一层；第三金属层作为触控线另一层，第三金属层通过第一层绝缘层上的连接通孔连接第二金属层以作为触控线；位于共通电极与第三金属层之间的第三绝缘层、第二绝缘层、有机层和第一绝缘层的竖直方向设置连接通孔，共通电极通过连接通孔与第三金属层连接，实现共通电极与触控线连接。本发明利用两层金属走线的方式降低电阻，触控反应更灵敏。
一种电阻触控线像素结构及其制备方法

[发明专利]一种降低触控线电容的像素结构及其制备方法-CN202210368973.5在审
发明人： 张桂瑜 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种降低触控线电容的像素结构及其制备方法，其包括基板以及由下至上依次设置在基板上的第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、第一绝缘层、第三金属层、有机层、第二绝缘层、共通电极、第三绝缘层和像素电极；将有机层制备在第三金属层之后,使得作为触控线的第三层金属与共通电极之间设有有机层和第二绝缘层，有机层较厚为第二绝缘层的厚度的5~10倍，使得触控线（第三层金属）与共通电极之间的距离增大，触控线（第三层金属）与共通电极之间的电容减小，触控线（TP线）的总电容也减小。本发明触控线总电容减小了38.7%。提高触控的灵敏性。
一种降低触控线电容像素结构及其制备方法

[发明专利]一种改善主动笔技术暗点的方法-CN202111654008.6在审
发明人：阮丽莹;许汉东;王强;张桂瑜 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善主动笔技术暗点的方法，包括如下步骤：S1：透过OC洞退至画素电极PE内；S2：使OC洞退至Vcom ITO层内；S3：OC被Vcom ITO层保护着，当CH制SiOx制程时，氧电浆在轰击时，也就轰击不到OC，也就不会有因OC上有SiOx，而被氧电浆蚀刻破孔的问题。本发明利用光罩设计进行优化，使OC洞退至Vcom ITO层内，因此OC被Vcom ITO层保护着，也就不会有因OC上有SiOx，而被氧电浆蚀刻破孔的问题。解决画素电极PE（ITO）在OC层破孔产生断线，所造成画素充电不足，而造成暗点问题。本发明有效改善因画素电极断路，产生画素充电问题，产生暗点不良现象，提升面板良率，降低生产成本。
一种改善主动技术方法

[实用新型]一种像素结构-CN202122474962.9有效
发明人： 张桂瑜 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种像素结构，其包括：基板、数据线、扫描线、薄膜晶体管、像素电极、触控线以及共通电极；所述像素电极具有多个狭缝；所述触控线穿过所述像素区，具有一延伸方向与所述数据线的延伸方向相同；所述共通电极与所述像素电极电性绝缘，共通电极一端电性连接所述薄膜晶体管，另一端电性连接所述触控电极线；所述共通电极与触控线之间设有金属层，所述金属层的信号端连接在位于扫描线位置的像素电极的上，或连接DUMMY或GND信号，采用以上技术方案减小触控线的寄生电容，提高触控信号检测准确度。
一种像素结构

[实用新型]一种低寄生电容的TFT结构触控阵列基板-CN202122080650.X有效
发明人： 张桂瑜 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低寄生电容的TFT结构触控阵列基板，其包括基板以及依次设置于基板上的栅极层、栅极绝缘层、阻隔层、电极层、钝化层、第一平坦化层、第三电极层、VA层、第二平坦化层、绝缘层CH和像素电极,像素电极覆盖绝缘层CH的部分区域且位于部分电极层的上方，位于像素电极与电极层之间设置像素过孔，像素电极布置在像素过孔内并藉由像素过孔与对应的电极层区域接触连接；电极层部分透过阻隔层与栅极绝缘层接触连接；第三电极层设置在像素过孔一旁的第一平坦化层和VA层之间区域；绝缘层CH底面对应第三电极层区域设置共通电极COM，使得部分共通电极COM通过触控过孔与第三电极层CM接触连接。本实用新型的两层OC膜层结构使得寄生电容较低，满足主动笔规格需求。
一种寄生电容 tft 结构阵列

[发明专利]一种改善Source Line暗线的方法-CN202111257633.7在审
发明人：阮丽莹;许汉东;王强;张桂瑜 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善Source Line暗线的方法，包括如下步骤：S1：采用光罩或者沉膜方式，使用物理气象成膜PVD和化学气象成膜CVD分别对金属和无机化合物进行成膜，实现良好的成膜效果，通过成膜，曝光显影，蚀刻，剝膜的制程完成TFT制作；S2：在两层金属的重叠处，增加BC层或者PE层中下层金属画素Vcom金属走线宽度；S3：将Vcom中的宽度从W1加宽至W2，降低画素的RC loading，使得BC层或者PE层中金属线上的光阻不会因为Vcom在金属两侧。本发明在两层金属的重叠处，增加BC层或者PE层中下层金属画素Vcom金属走线宽度，使得BC层或者PE层中金属线上的光阻不会因为Vcom在金属两侧，Vcom金属的在线光阻也不会变薄，进而避免GI绝缘层出现破孔的情况，提升面板良率，降低生产成本。
一种改善 source line 暗线方法

[实用新型]一种触控线路走线结构-CN202122267888.3有效
发明人：王强;许汉东;张桂瑜 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G06F3/047 文献下载
摘要：本实用新型公开一种触控线路走线结构，其包括第一Demux线、第二Demux线和多个触控感应区块，每个触控感应区块对应设置一个晶体管，各触控感应区块通过触控走线与其对应晶体管的开关漏极电连接，每两个触控感应区块组成一组，同组的两个触控感应区块所对应晶体管的漏极共用一触控信号线与IC芯片电连接，同组两个触控感应区块中，其中一个触控感应区块对应晶体管的栅极与第一Demux线电连接，另一个触控感应区块对应晶体管的栅极与第二Demux线电连接。本实用新型通过DEMUX走线方式，可以在fanout区触控线走线数量不变的情况下增加触控的分辨率。
一种线路结构

[发明专利]一种降TP RC loading方法-CN202111173084.5在审
发明人：王强;许汉东;张桂瑜 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种降TP RC loading方法，包括如下步骤：S1：玻璃基板上制作GE层即栅极，在GE层的基础上再制作一层GI层，在GI层的基础上再制作SE层，在SE层上方制作一层ES层；S2：然后ES层上方接着制作SD层，并且通过蚀刻ES层的通孔使SD层和SE层连接形成完整的TFT结构，同时在ES层的上方制作另外一层SD层作为TP走线；S3：在SD层的上方制作一层PV层，PV层上方制作一层OC层，漏极与PIXEL ITO连接，在PIXEL ITO上方制作一层CH层，CH层上方制作一层VCOM ITO。本发明提供的一种降TP RC loading方法，在GI层和ES层之间增加一道电极膜层，将Scan讯号与TP讯号做遮蔽，使得TP讯号受到Scan讯号的电容耦合效应大幅减小，达到优化触控屏横纹目的。有效的降低Scan讯号对TP讯号的电容耦合。
一种 tp rc loading 方法

[实用新型]一种TFT基板结构-CN202121224214.9有效
发明人： 张桂瑜;许汉东;王强 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及TFT基板结构，特别涉及一种TFT基板结构，括玻璃基板，在玻璃基板的一侧面上依次层叠覆盖有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、源漏极金属层、钝化层、第一缓冲层、第一金属层、第一绝缘层、第二缓冲层、共通电极层和第二绝缘层，第二缓冲层位于第一绝缘层和共通电极层之间，钝化层上开设有第二过孔，第一绝缘层上开设有第三过孔，第二缓冲层上开设有第四过孔，第二绝缘层上开设有第五过孔，第二过孔、第三过孔、第四过孔和第五过孔构成一个OC洞，使得OC洞的横截面增大，这样PI液可流动扩散的道路变宽，使得PI液更容易扩散流入OC洞，从而解决因PI不沾导致Fog mura产生的问题。
一种 tft 板结

[实用新型]一种TFT基板-CN202121226239.2有效
发明人： 张桂瑜;许汉东;王强 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及TFT基板技术领域，特别涉及一种TFT基板，包括玻璃基板，在玻璃基板的一侧面上依次层叠设有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、源漏极金属层、钝化层、缓冲层、第一绝缘层、共通电极层和第二绝缘层，在第一绝缘层与缓冲层之间设置第二金属层，第二金属层的竖直截面形状为阶梯状，通过在缓冲层上设计一个阶梯状的金属层做引导，阶梯状的金属层将PI液可流动的渠道被固定，从而减少了PI液流动渠道，有利于将PI液引导扩散到OC洞，使得PI更容易流入OC洞中，进而解决因PI不沾基板导致Fog mura产生的问题。
一种 tft 基板

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