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[发明专利]用于选择性地执行隔离功能的半导体器件及其布局替代方法-CN202210609658.7在审
发明人：白尚叶;金兑衡;文大英;徐东旭;李仁学;崔贤洙;宋泰中;崔在承;姜贞明;金训;柳志秀;张善泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：一种半导体设备，包括：基底，其包括沿第一方向延伸的第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域沿垂直于第一方向的第二方向布置；第一栅电极，其在第一有源区域和第二有源区域上沿第二方向延伸；第二栅电极，其在第一有源区域上沿第二方向延伸；第三栅电极，其在第二有源区域上沿第二方向延伸；第一源极区域和第一漏极区域，其位于第一有源区域上，并且位于第一栅电极的两侧；第二源极区域和第二漏极区域，其位于第一有源区域上，并且位于第二栅电极的两侧；第三源极区域和第三漏极区域，其位于第二有源区域上，并且位于第一栅电极的两侧；第四源极区域和第四漏极区域，其位于第二有源区域上，并且位于第三栅电极的两侧；第一导线，其电性连接到第一栅电极；第二导线，其电性连接到第二栅电极、第一源极区域和第二源极区域；第三导线，其电性连接到第三栅电极、第三源极区域和第四源极区域；和第四导线，其电性连接到第一漏极区域、第二漏极区域、第三漏极区域和第四漏极区域，其中，第一电压被提供给第二导线，以及其中，第二电压被提供给第三导线。
用于选择性执行隔离功能半导体器件及其布局替代方法

[发明专利]用于选择性地执行隔离功能的半导体器件及其布局替代方法-CN202210610664.4在审
发明人：白尚叶;金兑衡;文大英;徐东旭;李仁学;崔贤洙;宋泰中;崔在承;姜贞明;金训;柳志秀;张善泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：一种半导体设备，包括：第一有源区域和第二有源区域，其沿第一方向延伸，所述第一有源区域和第二有源区域被设置在基底中；第一栅电极，其沿垂直于第一方向的第二方向延伸，其中，所述第一栅电极在第一有源区域和第二有源区域上连续延伸；第二栅电极，其在第一有源区域上沿第二方向延伸；第三栅电极，其在第一有源区域和第二有源区域上沿第二方向延伸；第一触点，其被设置在第一栅电极的第一侧处的第一有源区域上；第二触点，其被设置在第二栅电极的第二侧处的第一有源区域上；第三触点，其被设置在第一栅电极上；第四触点，其被设置在第二栅电极上；第一导线，其经由第三触点连接到第一栅电极；和第二导线，其与第一触点的部分、第二触点的部分和第四触点的部分重叠，其中，第一电压被提供给第二导线，其中，第二导线的至少一部分沿第一方向延伸，以及第二导线的至少一部分在平面图上与第二栅电极相交。
用于选择性执行隔离功能半导体器件及其布局替代方法

[发明专利]用于选择性地执行隔离功能的半导体器件及其布局替代方法-CN201710061158.3有效
发明人：白尚叶;金兑衡;文大英;徐东旭;李仁学;崔贤洙;宋泰中;崔在承;姜贞明;金训;柳志秀;张善泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：一种半导体器件包括有源区域，所述有源区域在第一方向上延伸；第一晶体管，所述第一晶体管包括布置在所述有源区域上的第一栅电极和第一源极和漏极区域，所述第一源极和漏极区域布置在所述第一栅电极的相对侧处；第二晶体管，所述第二晶体管包括布置在所述有源区域上的第二栅电极和第二源极和漏极区域，所述第二源极和漏极区域布置在所述第二栅电极的相对侧处；以及第三晶体管，所述第三晶体管包括布置在所述有源区域上的第三栅电极和第三源极和漏极区域，所述第三源极和漏极区域布置在所述第三栅电极的相对侧处，并且所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述第二晶体管被配置成基于所述半导体器件的操作模式而接通和断开。
用于选择性执行隔离功能半导体器件及其布局替代方法

[发明专利]对半导体集成电路进行门级别仿真的方法和装置-CN200710141109.7无效
发明人：金卓永;张善泳;宋亨洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种对半导体集成电路(IC)进行门级别仿真的方法，包括：提供包括关于可变电源和可变地源的信息的网表，提供包括可变电源和可变地源的电路模型，以及通过使用电路模型对网表进行门级别仿真。
对半导体集成电路进行级别仿真方法装置

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