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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]纳米粒子、纳米粒子分散液以及纳米粒子的制造方法-CN202310113662.9在审
发明人： 廖曰淳 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明提供一种分散性优异且包含无机氧化物粒子的纳米粒子、包含该纳米粒子的纳米粒子分散液、和上述纳米粒子的制造方法。通过包含特定结构的铌化合物和特定结构的硅烷化合物的官能化剂对无机氧化物粒子的表面进行官能化。无机氧化物粒子优选为氧化钛粒子或氧化锆粒子。通过X射线衍射法测量的纳米粒子的平均一次粒径优选为3nm以上20nm以下。
纳米粒子分散以及制造方法

[发明专利]形成浆料的方法-CN201310113607.6无效
发明人： 廖曰淳;杨丰瑜;丁晴 -专利权人：旺能光电股份有限公司
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成浆料的方法包括形成金属离子与金属错合物离子的至少其中之一、形成金属硫化物纳米粒子、形成一第一溶液，使得第一溶液包括金属硫化物纳米粒子以及金属离子与金属错合物离子的至少其中之一，其中金属硫化物纳米粒子、金属离子与金属错合物离子所包含的金属是选自由周期表第I、II、III或IV族元素、以及在金属硫化物纳米粒子、金属离子及金属错合物离子的金属并不包含一硫化物半导体材料的所有金属元素时，重复金属硫化物纳米粒子、金属离子与金属错合物离子的至少其中之一的形成步骤，且形成第一溶液作为浆料。
形成浆料方法

[发明专利]浆料成分、硫化物半导体膜、太阳能电池及其形成方法-CN201310115753.2无效
发明人： 廖曰淳;杨丰瑜;丁晴 -专利权人：旺能光电股份有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明公开了一种浆料成分包含有一溶剂系统、多个金属硫化物纳米粒子、金属离子与金属错合物离子的至少其中之一以及钠源。金属离子与金属错合物离子的至少其中之一分布于金属硫化物纳米粒子的表面上，且用于在溶剂系统中分散金属硫化物纳米粒子。钠源分散于溶剂系统中及/或包含于金属硫化物纳米粒子、金属离子与金属错合物离子的至少其中之一中。金属硫化物纳米粒子、金属离子与金属错合物离子所包含的金属是选自由周期表第I、II、III及IV族元素以及钠所构成的组合，并且包含一硫化物半导体材料的所有金属元素。
浆料成分硫化物半导体太阳能电池及其形成方法

[发明专利]具有铜锌锡硫吸收层的太阳能装置及其制造方法-CN201210306765.9无效
发明人： 廖曰淳;杨丰瑜;丁晴 -专利权人：旺能光电股份有限公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有铜锌锡硫吸收层的太阳能电池及其形成方法。此太阳能电池包含一基板、一下电极层、一吸收层、一缓冲层及一上电极层，该吸收层包含一第一区域及一第二区域，且第一区域邻近下电极层而第二区域邻近第一区域。第一区域及第二区域皆包含化学式为Cua(Zn1-bSnb)(Se1-cSc)2的成分，其中0
具有铜锌锡硫吸收太阳能装置及其制造方法

[发明专利]浆料成分及形成此浆料的方法-CN201210306062.6无效
发明人： 廖曰淳;杨丰瑜;丁晴 -专利权人：旺能光电股份有限公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种用以形成硫化物半导体膜的浆料成分以及此浆料成分的制作方法。此浆料成分包含一溶剂、多个金属硫化物纳米粒子及至少一种选自金属离子及金属络合物离子所构成组合的离子。金属离子及/或金属络合物离子分布于金属硫化物纳米粒子表面并用以将金属硫化物纳米粒子分散于溶剂中。金属硫化物纳米粒子、金属离子及金属络合物离子所包含的金属是选自由周期表第I、II、III及IV族元素所构成的组合，并且包含一硫化物半导体材料的所有金属元素。
浆料成分形成方法

[发明专利]形成硫化物半导体膜及其太阳能电池的方法-CN201210306447.2无效
发明人： 廖曰淳;杨丰瑜;丁晴 -专利权人：旺能光电股份有限公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成硫化物半导体膜的方法及一种包含此硫化物半导体膜的太阳能电池的制作方法。形成硫化物半导体膜的方法包含涂布一层前驱物溶液于一基板上，以及进行一回火工艺，使此层前驱物溶液形成硫化物半导体膜。其中，此前驱物溶液包含溶剂、金属硫化物纳米粒子，以及金属离子及金属络合物离子至少其中之一，且金属离子及/或金属络合物离子是分布于金属硫化物纳米粒子的表面。金属硫化物纳米粒子、金属离子及金属络合物离子所包括的金属是选自周期表第I、II、III及IV族元素且包含此硫化物半导体材料的所有金属元素。
形成硫化物半导体及其太阳能电池方法

[发明专利]光吸收层的制造方法及应用其的太阳能电池结构体-CN201010549000.9有效
发明人： 廖曰淳;黄渼雯;陈彦至 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种光吸收层的制造方法，包括以下之步骤：湿式涂布调控前驱物于底层前驱物上，调控前驱物的能隙系大于底层前驱物的能隙。调控前驱物系为I-III-VI族化合物，且I-III-VI族化合物的组成范围系为Cua(In1-b-cGabAlc)(Se1-dSd)2，0＜a，0≤b≤1，0≤c≤1，0＜b+c≤1，且0≤d≤1。接着，进行热处理，使得底层前驱物及调控前驱物形成光吸收层。
光吸收制造方法应用太阳能电池结构

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