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[发明专利]聚乙烯醇/乙烯/1-辛烯三元共聚物及其制备方法-CN202310439520.1在审
发明人： 庄凯文;朱世平;刘惠;刘何丽;乔志龙;徐人威 -专利权人：中化泉州石化有限公司;中化泉州能源科技有限责任公司;深圳先进高分子材料研究院
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C08F210/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚乙烯醇/乙烯/1‑辛烯三元共聚物及其制备方法，其是利用由茂金属催化剂或后茂金属催化剂与硼酸盐或烷基铝组成的催化剂组合物，以醋酸乙烯、1‑辛烯为反应物，在惰性溶剂中催化反应物的聚合而制得。本发明首次通过化学合成的方法得到聚乙烯醇/乙烯/1‑辛烯三元共聚物，其性能稳定，不会出现相分离，有效解决了现有通过物理共混制备的聚烯烃弹性体存在的问题。
聚乙烯醇乙烯辛烯三元共聚物及其制备方法

[发明专利]一种聚乳酸接枝环烯烃共聚物的合成方法-CN202310439592.6在审
发明人：刘惠;朱世平;庄凯文;刘何丽;黄兆浩;徐人威 -专利权人：中化泉州石化有限公司;中化泉州能源科技有限责任公司;深圳先进高分子材料研究院
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C08G63/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚乳酸接枝环烯烃共聚物及其合成方法，其是先利用由茂金属催化剂或后茂金属催化剂与硼酸盐或烷基铝组成的催化剂组合物，在乙烯气氛中，以降冰片烯和丙烯醇为反应物，在羟基保护剂存在条件下，于惰性溶剂中聚合反应制得丙烯醇/乙烯/降冰片烯三元共聚物；然后在催化剂存在条件下，将所得共聚物与L‑丙交酯进行搅拌反应，从而制得所述聚乳酸接枝环烯烃共聚物。本发明通过化学合成的方法得到聚乳酸接枝环烯烃共聚物，其性能稳定，有效解决了现有通过将聚乳酸与环状烯烃共聚物进行物理共混易出现相分离的问题。
一种乳酸接枝烯烃共聚物合成方法

[发明专利]手势感测系统及其感测方法-CN202210105123.6在审
发明人：胡冠男;蔡忠谚;庄凯文 -专利权人：广州印芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本发明关于一种手势感测系统及其感测方法，手势感测系统借由特征点作为定位起点针对待测物产生空间中的坐标信息，该手势感测系统包括：光发射器、光传感器、以及信号处理模块。首先，光发射器对特征点以及待测物发射多个发射光，该多个发射光发射至该特征点以及该待测物后产生多个反射光；接着，光传感器接收该多个反射光，并转换为多个感测信号；的后，信号处理模块根据该多个感测信号产生初始坐标信息以及移动坐标信息；最后，信号处理模块根据该初始坐标信息以及该移动坐标信息之间的变化产生手势，并根据手势的移动轨迹执行预设功能。因此，本发明提供使用者一种可以自定义预设功能的手势控制方法，具有高度准确性以及广泛应用性。
手势系统及其方法

[发明专利]一种纳米纤维抗菌敷料及其制备方法-CN202111507078.9有效
发明人：刘馨遥;冉玉平;庄凯文 -专利权人：四川大学华西医院
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： A61L15/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米纤维抗菌敷料，属于纳米医护用品技术领域，包括由以下原料：一氧化氮供体、光敏剂、聚乳酸羟基乙酸基底材料经复合工艺制备得到；其中，一氧化氮：光敏剂：基底材料的重量份数之比：0‑15:0‑1.5：5‑105；所述纳米纤维抗菌敷料在可见光照射下可同时产生一氧化氮和活性氧。本发明还提供一种纳米纤维抗菌敷料的制备方法。本发明提供的一种纳米纤维抗菌敷料及其制备方法，设计合成了一种具有光动力治疗和一氧化氮协同抗菌作用的纳米复合膜，在蓝光照射下，可以实现ROS‑NO(活性氧‑一氧化氮)的可控释放。该材料在可见光照射下可以同时产生一氧化氮和活性氧两种抗菌物质，实现对杀菌距离有效合理的互补，进而对真菌和细菌产生高效的杀灭作用。
一种纳米纤维抗菌敷料及其制备方法

[发明专利]内容可适性二元算数编码的译码装置及其译码方法-CN200910006703.4有效
发明人：谢兆安;蔡志宏;庄凯文 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2009-02-13 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H03M7/40 文献下载
摘要：一种译码方法，应用于一CABAC的译码装置中，该译码方法包含下列步骤：初始化多个内容变量；储存内容变量；根据内容变量，以对一语法元素进行算数译码，并输出一译码后的语法元素与一更新信号；以及根据该更新信号更新内容变量中至少一个。其中，初始化步骤在宏区块层级的位字符串就绪之前，预先地初始化内容变量中至少一个。
内容可适性二元算数编码译码装置及其方法

[发明专利]蚀刻后聚合物残留除去方法-CN200880107210.3有效
发明人：尹秀敏;马克·威尔考克森;朱吉;庄凯文;小伟·庄;娄大卫 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种用于从衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的方法和系统，包括确定用于从该衬底表面除去蚀刻后聚合物残留的干式快速化学物质。该干式快速化学物质被配置为选择性地除去一区域中蚀刻操作留下的蚀刻后聚合物残留，其中在该区域中穿过低k电介质膜层形成特征。使用很短的快速处理施用该确定的干式快速化学物质以除去该蚀刻后聚合物残留的至少一部分同时最小化对该电介质膜层的损害。然后向该衬底表面施用湿式清洁化学物质。该湿式清洁化学物质的施用有助于基本上除去该短快速处理留下的蚀刻后聚合物残留。
蚀刻聚合物残留除去方法