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[发明专利]薄膜晶体管和显示装置-CN201380044401.0有效
发明人：三木绫;森田晋也;后藤裕史;钉宫敏洋;田尾博昭;广濑研太 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的氧化物半导体层、配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素是从In、Ga、Zn和Sn所构成的组中选择的至少一种(其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素由Sn与In和/或Zn构成的除外。)，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度控制在4原子％以下。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物、薄膜晶体管、显示装置及溅射靶-CN201380027070.X有效
发明人：森田晋也;广濑研太;三木绫;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，提供一种半导体层用氧化物，其在维持高场效应迁移率的同时，对光、偏压应力等而言，阈值电压的变化量小，应力耐性优异，并且对于使源/漏电极图案化时所使用的湿式蚀刻液具有优异的耐性。该半导体层用氧化物为在薄膜晶体管的半导体层中所使用的氧化物，其由In、Zn、Ga、Sn及O构成，在上述氧化物中，将各金属元素相对于除氧以外的全部金属元素的含量(原子％)分别设为[In]、[Zn]、[Ga]及[Sn]时，满足下式(1)～(4)。1.67×[Zn]+1.67×[Ga]≥100…(1)；([Zn]/0.95)+([Sn]/0.40)+([In]/0.4)≥100…(2)；[In]≤40…(3)；[Sn]≥5…(4)。
薄膜晶体管半导体氧化物显示装置溅射

[发明专利]薄膜晶体管-CN201510088765.X有效
发明人：后藤裕史;三木绫;岸智弥;广濑研太;森田晋也;钉宫敏洋;安秉斗;金建熙;金连洪 -专利权人：株式会社神户制钢所;三星显示有限公司
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为Ga5％以上、In25％以下(不含0％)、Zn35～65％及Sn8～30％。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN201380029493.5有效
发明人：后藤裕史;三木绫;岸智弥;广濑研太;森田晋也;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为Ga5％以上、In25％以下(不含0％)、Zn35～65％及Sn8～30％。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN201380025842.6有效
发明人：岸智弥;广濑研太;森田晋也;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种具有迁移率良好，应力耐受性也优异，并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少按顺序具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极和保护膜，其中，所述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IGZO)的层叠体。所述第二氧化物半导体层形成于所述栅极绝缘膜之上，并且所述第一氧化物半导体层形成于所述第二氧化物半导体层与所述保护膜之间，且在所述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为，In25％以下(不含0％)、Ga5％以上、Zn30.0～60.0％和Sn8～30％。
薄膜晶体管

[发明专利]氧化物烧结体和溅射靶、以及其制造方法-CN201480030142.0有效
发明人：田尾幸树;广濑研太;慈幸范洋;越智元隆 -专利权人：株式会社钢臂功科研;株式会社神户制钢所
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制结合工序中发生破损的氧化物烧结体、和使用该氧化物烧结体的溅射靶、以及其制造方法。本发明的氧化物烧结体是将氧化铟、氧化镓和氧化锡烧结而得到的氧化物烧结体，氧化物烧结体的相对密度为90％以上、氧化物烧结体的平均晶粒直径为10μm以下，将铟、镓、锡的含量相对于氧化物烧结体中所含全部金属元素的比例(原子％)分别设为[In]、[Ga]、[Sn]时，满足30原子％≤[In]≤50原子％、20原子％≤[Ga]≤30原子％、25原子％≤[Sn]≤45原子％，并且InGaO₃相满足[InGaO₃]≥0.05。
氧化物烧结溅射及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201380067793.2在审
发明人：森田晋也;越智元隆;后藤裕史;钉宫敏洋;广濑研太;田尾博昭;高梨泰幸 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型(BCE型)的薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管TFT的氧化物半导体层对TFT制造时的源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。所述薄膜晶体管的特征在于，在基板上至少依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极、以及保护所述源-漏电极的保护膜，所述氧化物半导体层由Sn、选自In、Ga及Zn中的1种以上的元素、和O构成，在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源-漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚-氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚]求得的值为5％以下。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201380067811.7在审
发明人：森田晋也;越智元隆;后藤裕史;钉宫敏洋;广濑研太 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT，TFT的氧化物半导体层对源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。该TFT的特征在于，是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层；以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体，按照所述栅极绝缘膜、所述第2氧化物半导体层、所述第1氧化物半导体层的顺序形成，且在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚-第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5％以下。
薄膜晶体管及其制造方法

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