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[发明专利]ITO蚀刻液和蚀刻液的制备及使用方法-CN202211694990.4在审
发明人：杨志锋;何剑明;宋振;王晓君 -专利权人： 广州微纳芯材料科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23F11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO蚀刻液和蚀刻液的制备及使用方法，其中铜缓蚀剂包括改性的苯并咪唑类化合物，该铜缓蚀剂可应用于ITO蚀刻液。该ITO蚀刻液针对双层/多层金属基材，其在蚀刻ITO时，不攻击上层的铜或铜镍合金，能够有效控制蚀刻速率、侧蚀、不易腐蚀铜层。
ito 蚀刻制备使用方法

[发明专利]一种正性光刻厚胶组合物及正性光刻厚胶和MEMS受力元件-CN202211709653.8在审
发明人：黄顺礼;刘昱言;宋振 -专利权人： 广州微纳芯材料科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明公开了一种正性光刻厚胶组合物及正性光刻厚胶和MEMS受力元件，属于电子化学品技术领域。该正性光刻厚胶组合物包括第一酚醛树脂以及第二酚醛树脂；第一酚醛树脂为甲醛、二甲酚及甲基苯酚的缩聚物，第二酚醛树脂为甲醛和甲基苯酚的缩聚物，第一酚醛树脂和第二酚醛树脂的重均分子量分别为30000‑60000g/mol和5000‑7000g/mol，熔点为155‑185℃和140‑160℃，碱溶速率为80‑120埃/秒和250‑350埃/秒。该组合物抗蚀刻性能优异，分辨率高，灵敏度高，耐热性好。由上述正性光刻厚胶组合物制得的光刻厚胶可用于制造具有高深宽比、结构精细、侧壁陡峭、表面光滑的MEMS受力元件。
一种光刻组合 mems 元件