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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磺酸改性胶态二氧化硅-CN202310258465.6在审
发明人：坪田翔吾;芦高圭史;伊藤昌明;平野达彦;铃木章太 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种磺酸改性胶态二氧化硅。本发明提供能进一步改善酸性条件下的稳定性和清洗性的方案。本发明为一种磺酸改性胶态二氧化硅，其中，每1g颗粒的磺酸基量为1.5μmol以上且13.0μmol以下。
改性二氧化硅

[发明专利]研磨用组合物-CN201380057157.1无效
发明人：大西正悟;石田康登;平野达彦 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：提供一种研磨用组合物，其适用于具有金属布线层(14)的研磨对象物的研磨，可以维持高研磨速度且减少高度差缺陷。一种研磨用组合物，其用于具有金属布线层(14)的研磨对象物的研磨，该研磨用组合物包含：金属防腐剂、络合剂、表面活性剂、和水，使用前述研磨用组合物研磨前述研磨对象物后的研磨对象物表面的固体表面能为30mN/m以下。前述表面活性剂优选为阴离子性表面活性剂。
研磨组合

[发明专利]研磨用组合物和研磨方法-CN201280025872.2无效
发明人：玉田修一;平野达彦;井泽由裕;大西正吾 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有在水溶液中与氧化剂的共存下使pH降低的物质和pH缓冲剂的研磨用组合物。相对于100g该研磨用组合物刚添加31重量%的过氧化氢水溶液5.16g后的研磨用组合物的pH与添加过氧化氢后静置8天后的研磨用组合物的pH之差以绝对值计为0.5以下。本发明还公开了另一种含有在水溶液中与氧化剂的共存下使pH降低的物质和pH控制剂的研磨用组合物。与相对于100ml该研磨用组合物刚添加31重量%的过氧化氢水溶液5.16g后的研磨用组合物中的碱性物质的量相比，添加过氧化氢后静置8天后的研磨用组合物中的碱性物质的量增加0.1mM以上。
研磨组合方法

[发明专利]研磨用组合物及研磨方法-CN201180038885.9有效
发明人：玉田修一;平野达彦;梅田刚宏;角田和也;井泽由裕 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明的研磨用组合物含有水溶性聚合物、研磨促进剂及氧化剂。水溶性聚合物为具有150mgKOH/1g·固体以上的胺值的聚酰胺多胺聚合物。
研磨组合方法

[发明专利]研磨用组合物及研磨方法-CN201110041743.X有效
发明人： 平野达彦;玉田修一;梅田刚宏 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供可以在用于形成半导体装置的布线的研磨中合适地使用的研磨用组合物以及使用该研磨用组合物的研磨方法。本发明的研磨用组合物含有研磨促进剂、含有来自双氰胺等具有胍结构的聚合性化合物的结构单元的水溶性聚合物、和氧化剂。水溶性聚合物可以含有来自双氰胺的结构单元，和来自甲醛、二胺或多胺的结构单元。
研磨组合方法

[发明专利]抛光组合物-CN200710199425.X有效
发明人：松田刚;平野达彦;吴俊辉;河村笃纪;酒井谦儿 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α-氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。
抛光组合

[发明专利]抛光用组合物及抛光方法-CN200910165248.2有效
发明人：吴俊辉;河村笃纪;松田刚;平野达彦;酒井谦儿;堀和伸 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2005-03-22 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明的抛光用组合物，合适地使用在形成半导体器件的导体配线用的抛光上。该抛光用组合物含有：作为磨料的二氧化硅、选自多糖类及聚乙烯醇中的至少一种的抑制降低剂，作为螯合剂的α-氨基酸、防腐剂和氧化剂，抛光用组合物中的所述抑制降低剂的含量为0.01～5质量％，抛光用组合物中的所述防腐剂的含量为0.0001～0.02质量％。
抛光组合方法

[发明专利]研磨用组合物-CN200810189530.X有效
发明人： 平野达彦;水野博史;大和泰之;安井晃仁 -专利权人：福吉米股份有限公司
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及研磨用组合物。本发明提供研磨用组合物，其在制备布线结构体的研磨工序中可以兼顾抑制表面阶梯度的产生和实现高的研磨速度。研磨用组合物，其含有磨料、加工促进剂、用R-POE(式中、R表示具有支链结构的碳原子数为10～16的烷基，POE表示聚氧乙烯链)表示且HLB为7～12的非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、保护膜形成剂、氧化剂和水。
研磨组合

[发明专利]研磨用组合物-CN200810189523.X无效
发明人： 平野达彦;水野博史;梅田刚宏 -专利权人：福吉米股份有限公司
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及研磨用组合物。本发明提供研磨用组合物，其在制备布线结构体的研磨工序中可以兼顾抑制表面阶梯度的产生和实现高的研磨速度。研磨用组合物，其含有磨料、加工促进剂、表面缩穴抑制剂、和水而成。这里，上述磨料至少包含第一磨料和第二磨料，上述第二磨料的平均一次粒径D_L1相对于上述第一磨料的平均一次粒径D_S1的比例D_L1/D_S1为5＞D_L1/D_S1＞1，且上述第一磨料的缔合度为1.8以上且5以下，上述第二磨料的缔合度为2.5以下。
研磨组合

[发明专利]抛光组合物-CN200680031676.0有效
发明人： 平野达彦;浅野宏;堀和伸 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种抛光组合物，包含6元环骨架的三唑、水溶性聚合物、氧化剂和抛光粉。三唑的6元环骨架中具有疏水官能团。抛光组合物中三唑的含量为等于或小于3g/L。抛光组合物的pH值等于或大于7。所述抛光组合物适合在形成半导体器件线路的抛光中使用。
抛光组合

[发明专利]抛光组合物-CN200710199423.0有效
发明人：松田刚;平野达彦;吴俊辉;河村笃纪;酒井谦儿 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α－氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。
抛光组合

[发明专利]抛光组合物-CN200710194162.3无效
发明人：松田刚;平野达彦;吴俊辉;河村笃纪;酒井谦儿 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本发明的抛光组合物，用于形成半导体器件的配线的抛光，它含有特定的表面活性剂、氧化硅、选自羧酸及α－氨基酸中的至少一种、防腐蚀剂、氧化剂、水。使用该抛光组合物可抑制凹陷的发生。
抛光组合

[发明专利]研磨用组合物及研磨方法-CN200480028200.2有效
发明人：松田刚;平野达彦;吴俊辉;河村笃纪;酒井谦儿 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在为去除位于沟槽(13)外部的导体膜(15)部分而进行的化学机械研磨中，使用第1研磨用组合物。在为去除位于沟槽外部的导体膜部分的残留部分及位于沟槽外部的屏蔽膜部分而进行的化学机械研磨中，使用第2研磨用组合物。第1研磨用组合物含有特定的表面活性剂、硅氧化物、羧酸、防腐蚀剂、氧化剂和水。第2研磨用组合物含有胶体二氧化硅、防腐蚀剂、完全皂化型聚乙烯醇和水。
研磨组合方法

[发明专利]抛光用组合物及抛光方法-CN200510062406.3有效
发明人：吴俊辉;河村笃纪;松田刚;平野达彦;酒井谦儿;堀和伸 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2005-03-22 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明的抛光用组合物，合适地使用在形成半导体器件的导体配线用的抛光上。该抛光用组合物含有抑制抛光用组合物的抛光能力降低的抑制降低剂、磨料以及水。抑制降低剂是选自多糖类及聚乙烯醇中的至少一种。多糖类理想的是淀粉、支链淀粉、糖原、纤维素、果胶、半纤维素、茁霉多糖(プルラン)或艾鲁西南(エルシナン)。磨料是选自氧化铝及二氧化硅中的至少一种，理想的是选自气相二氧化硅、气相氧化铝及胶体二氧化硅中的至少一种。
抛光组合方法

[发明专利]抛光用组合物及其抛光方法-CN200510062405.9有效
发明人：吴俊辉;河村笃纪;松田刚;平野达彦;酒井谦儿;堀和伸 -专利权人：福吉米株式会社
申请日： 2005-03-22 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明的抛光用组合物具有表面阶差抑制剂、二氧化硅、酸、氧化剂以及水。表面阶差抑制剂，例如至少是从贮备多糖类以及细胞多糖类选择的一种。二氧化硅例如是胶体二氧化硅、气相二氧化硅或沉淀二氧化硅。酸例如是至少从硝酸、盐酸、硫酸、乳酸、醋酸、草酸、柠檬酸、苹果酸、琥珀酸、酪酸以及丙二酸中选择的一种。氧化剂例如是过氧化氢、过硫酸盐、过草酸盐、过盐酸盐、硝酸盐或氧化性金属盐。此抛光用组合物能够适用于形成半导体器件的配线用抛光上。
抛光组合及其方法

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