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[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN201180010336.0无效
发明人： 平野浩一;小松慎五;齐藤恭辉;池直树 -专利权人：松下电器产业株式会社;第一工业制药株式会社
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明利用简易的工艺来实现薄膜晶体管中的金属氧化物膜的形成。在具有栅电极、源电极、漏电极、沟道层及栅绝缘层的场效应晶体管的制造方法中，使用如下的含有金属盐的组合物来进行所述沟道层的形成，即，包含：金属盐、具有-C(COOH)＝C(COOH)-顺式结构的多元羧酸、有机溶剂、以及水，多元羧酸相对于金属盐的摩尔比为0.5以上4.0以下。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]柔性半导体装置的制造方法-CN200980100562.0有效
发明人： 平野浩一;中谷诚一;小川立夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在本发明中，提供用于制造柔性半导体装置的方法。本发明的制造方法，其特征在于，包括：(i)在树脂薄膜的上面形成绝缘膜的工序、(ii)在树脂薄膜的上面形成取出电极图形的工序、(iii)按照与取出电极图形接触的方式在绝缘膜上形成半导体层的工序、(iv)按照覆盖半导体层及取出电极图形的方式在树脂薄膜的上面形成密封树脂层的工序；利用印刷法，进行所述(i)～(iv)的至少一个形成工序。在所述制造方法中，能够在不使用真空工艺或光刻法等的情况下，利用简易的印刷工艺来形成各种层。
柔性半导体装置制造方法

[发明专利]挠性半导体装置及其制造方法、以及图像显示装置-CN201180004344.4无效
发明人：铃木武;中谷诚一;平野浩一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种挠性半导体装置及其制造方法、以及图像显示装置。本发明的制造方法包括：准备具有凹部的金属箔的工序(a)、在金属箔的凹部的底面形成栅极绝缘膜的工序(b)、将凹部用作围堰部件来隔着栅极绝缘膜在凹部的底面上形成半导体层的工序(c)、以及以与半导体层相连的方式形成源电极和漏电极的工序(d)。
半导体装置及其制造方法以及图像显示装置

[发明专利]柔性半导体装置及其制造方法以及图像显示装置-CN201180004351.4无效
发明人：铃木武;平野浩一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性半导体装置的制造方法。本发明的制造方法包括：准备金属箔的工序(A)；在金属箔形成包括成为栅极绝缘膜的部位在内的绝缘层的工序(B)；在绝缘层上形成支承基板的工序(C)；对金属箔的一部分进行蚀刻，而从金属箔形成源极电极及漏极电极的工序(D)；使用源极电极及漏极电极作为堤部构件，而在位于源极电极与漏极电极之间的间隙形成半导体层的工序(E)；以覆盖半导体层、源极电极及漏极电极的方式在绝缘层上形成树脂膜层的工序(F)。在工序(F)中，使树脂膜层的一部分向位于源极电极与漏极电极之间的间隙嵌合。
柔性半导体装置及其制造方法以及图像显示装置

[发明专利]柔性半导体装置及其制造方法-CN201180004076.6有效
发明人：一柳贵志;中谷诚一;平野浩一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-04-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种能够减小在多层配线间产生的寄生电容，并增大半导体元件等中的电容器部的容量的柔性半导体装置及其制造方法。该柔性半导体装置具备形成半导体元件的绝缘膜，在该绝缘膜的上表面和下表面分别具有上部配线图案层和下部配线图案层，半导体元件包括在绝缘膜的上表面形成的半导体层、按照与半导体层相接触的方式形成于绝缘膜的上表面的源电极和漏电极、按照与半导体层相对置的方式形成于绝缘膜的下表面的栅电极，在绝缘膜中，使与源电极、漏电极、上部配线图案层以及下部配线图案层相对置的绝缘膜的第1膜厚比栅电极和半导体层间的绝缘膜的第2膜厚厚。
柔性半导体装置及其制造方法

[发明专利]电子纸及其制造方法-CN201180002846.3有效
发明人： 平野浩一;中川昌己;中谷诚一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-04-14 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G02F1/167 文献下载
摘要：本发明提供能够以高品质容易地实现大面积化的电子纸及其制造方法。该电子纸通过将形成有第一电极的第一基板和形成有第二电极的第二基板对置设置，并使该第一基板和第二基板之间具有构成像素的多个单元空间而构成，第一基板由分别形成有第一电极的多个第一板片部件构成，在该第一板片部件上分别隔着隔壁而设置盖基板，从而构成具有分别被隔壁划分的多个单元空间而成的多个子板片结构体，第一电极在相邻的子板片结构体之间被连接。
电子及其制造方法

[发明专利]挠性半导体装置及其制造方法-CN201080007423.6无效
发明人：铃木武;保手浜健一;中谷诚一;平野浩一;小川立夫 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种挠性半导体装置。本发明的挠性半导体装置具有：支承层、形成于支承层之上的半导体结构部、和形成于半导体结构部之上的树脂膜而被构成。本发明的挠性半导体装置中，由激光的照射所形成的孔径部被形成于树脂膜上；在所述树脂膜的孔径部，形成有与半导体结构部的表面接触的导电构件。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]柔性半导体装置的制造方法-CN201080001895.0有效
发明人：一柳贵志;中谷诚一;平野浩一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-02-05 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性半导体装置的制造方法。该柔性半导体装置的制造方法包括：准备由第一金属层(10)、无机绝缘层(20)、半导体层(30)及第二金属层(40)叠层而成的叠层膜(80)的工序；蚀刻第二金属层(40)，形成由第二金属层(40)形成的源极电极(42s)和漏极电极(42d)的工序；将树脂层(50)压接在叠层膜(80)的形成有源极电极(42s)和漏极电极(42d)的面上，将源极电极(42s)和漏极电极(42d)埋设在树脂层(50)中的工序；以及蚀刻第一金属层(10)，形成由第一金属层(10)形成的栅极电极(10g)的工序。无机绝缘层(20g)起栅极绝缘膜的作用，半导体层(30)起沟道的作用。
柔性半导体装置制造方法

[发明专利]柔性半导体装置及其制造方法-CN200980100551.2有效
发明人： 平野浩一;中谷诚一;小川立夫;一柳贵志;铃木武 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造柔性半导体装置的方法，在该制造方法的特征在于，包括：(i)在金属箔的上面形成绝缘膜的工序、(ii)在金属箔的上面形成取出电极图形的工序、(iii)按照与取出电极图形接触的方式在绝缘膜上形成半导体层的工序、(iv)按照覆盖半导体层及取出电极图形的方式在金属箔的上面形成密封树脂层的工序、和(v)通过蚀刻金属箔形成电极的工序，将金属箔用作用于在上述(i)～(iv)形成的绝缘膜、取出电极图形、半导体层及密封树脂层的支撑体，并且在上述(v)中用作电极构成材料。在该制造方法中，能够将作为支撑体的金属箔有效用作TFT元件的电极，不需要最终剥离作为支撑体的金属箔，因此，能够通过简便的工艺来制作TFT元件，能够提高生产率。另外，使用金属箔作为支撑体，因此能够在绝缘膜及半导体层等的制作中积极地导入高温工艺，能够优选提高TFT特性。
柔性半导体装置及其制造方法

[发明专利]柔性半导体装置及其制造方法-CN200980102246.7有效
发明人：铃木武;保手浜健一;平野浩一;中谷诚一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性半导体装置。本发明的柔性半导体装置具有：金属层，其具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；金属氧化膜，其是构成金属层的金属的金属氧化膜，形成在金属层的表面区域；以及半导体层，其隔着金属氧化膜而形成在栅极电极之上。本发明的柔性半导体装置在金属层的表面区域局部形成未被金属氧化膜覆盖的非覆盖部位，经由非覆盖部位，源极电极和半导体层之间以及漏极电极和半导体层之间相互电连接。
柔性半导体装置及其制造方法

[发明专利]柔性半导体装置的制造方法及用于它的叠层膜-CN200980101094.9有效
发明人：一柳贵志;中谷诚一;平野浩一;山下嘉久;小松慎五 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性半导体装置的制造方法及用于它的叠层膜。该柔性半导体装置的制造方法包括：准备第一金属层(10)、无机绝缘层(20)、半导体层(30)及第二金属层(40)层叠而构成的叠层膜(80)的工序，对第一金属层(10)进行蚀刻，来形成栅极电极(12g)的工序，将树脂层(50)压接在叠层膜(80)中形成有栅极电极(12g)的面上，将栅极电极(12g)埋入并设置在树脂层(50)内的工序，以及对第二金属层(40)进行蚀刻，来形成源极电极(42s)和漏极电极(42d)的工序；无机绝缘层(20)中位于栅极电极(12g)上的部分具有栅极绝缘膜(22)的功能，无机绝缘层(20)上的半导体层(30)中位于源极电极(42s)与漏极电极(42d)之间的部分具有沟道(32)的功能。
柔性半导体装置制造方法用于叠层膜

[发明专利]挠性半导体装置的制造方法及挠性半导体装置-CN200880001319.9有效
发明人： 平野浩一;中谷诚一;小松慎五;山下嘉久;一柳贵志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-10-01 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种挠性半导体装置的制造方法及挠性半导体装置。准备由三层覆箔形成的叠层膜，该三层覆箔是第一金属层(23)、第二金属层(25)及夹在该第一金属层和第二金属层之间的无机绝缘膜(35)叠层而成的，蚀刻所述第二金属层的一部分形成栅电极(20g)后，再蚀刻所述第一金属层的一部分，在与该栅电极对应的部位形成源、漏电极(20s、20d)。然后，隔着无机绝缘膜(35)在所述栅电极上形成与源、漏电极(20s、20d)接触的半导体层(40)。在此，栅电极(20g)上的无机绝缘膜(35)作为栅极绝缘膜(30)发挥作用，所述无机绝缘膜上的位于源、漏电极(20s、20d)间的半导体层(40)作为沟道发挥作用。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体芯片、半导体安装模块、移动装置通信设备、半导体芯片的制造方法-CN200780030773.2有效
发明人： 平野浩一;小掠哲义;中谷诚一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-08-24 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供一种具有可有效抑制LSI的电压下降的电容器的半导体芯片。在半导体基板上，设置至少其表面是由铝电极形成的元件电极。对所述铝电极的表面进行粗面化。在所述铝电极上设置氧化膜。在所述氧化膜上设置导电膜。由所述铝电极、所述氧化膜、和所述导电膜形成电容器。
半导体芯片安装模块移动装置通信设备制造方法

[发明专利]功率模块及其制造方法-CN200810003047.8有效
发明人：山下嘉久;平野浩一;中谷诚一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-05-31 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种中间存在着导热性电绝缘构件(104)地把已电连到布线基板(103)上的发热部件(101)和散热器(105)连接起来的功率模块，其特征在于：上述导热性电绝缘构件(104)是含有热固化性树脂(A)、热可塑性树脂(B)、潜在性固化剂(C)和无机填充物(D)的固化组成物，上述导热性电绝缘构件在对于上述发热部件的形状和部件高度的不整齐划一相补性地变形后的状态下粘接到上述发热部件上，并借助于上述散热器(105)使由上述发热部件(101)发生的热散热。借助于此，提供使从电子部件发生的热均一地效率良好地进行散热，可以高密度装配的功率模块及其制造方法。
功率模块及其制造方法

[发明专利]倒装片安装体及倒装片安装方法-CN200680016698.X无效
发明人：白石司;中谷诚一;辛岛靖治;平野浩一;北江孝史;山下嘉久;一柳贵志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：倒装片安装体及该安装体的安装方法是：使衬垫等单元，介于具有多个连接端子的电路基板和具有与连接端子相对配置的多个电极端子的电子部件(半导体芯片)之间，以便使两者的间隔均匀；或者在具有两个以上的凸起部的板状体的内部，设置电子部件(半导体芯片)，使其隔着由焊料粉、树脂、对流添加剂构成的树脂组成物相对，对流添加剂沸腾后，使焊料粉移动，自我集合，形成焊料层，将连接端子和电极端子电连接。
倒装安装方法