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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]黑色金属碱土金属硅酸盐混合晶体荧光体和使用它的发光器件-CN200780011076.2有效
发明人：井上光宏;并木明生;石田真;野野川贵志;太田光一;平野敦雄;瓦尔特·特夫斯;贡杜拉·罗特;斯特凡·特夫斯 -专利权人：丰田合成株式会社;利泰克－LLL有限公司
申请日： 2007-03-26 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： C09K11/77 文献下载
摘要：基于黑色金属碱土金属混合硅酸盐的以单一成分或混合物的形式用作用于主要为可见光和/或紫外光的发光器件的光转换体。该荧光体具有作为激活剂的稀土元素。稀土元素是铕(Eu)。作为替代方案，该荧光体可具有由稀土元素以及Mn、Bi、Sn和Sb中的至少一种所形成的共激活剂。
黑色金属碱土金属硅酸盐混合晶体荧光使用发光器件

[发明专利]发光装置-CN200610142476.4有效
发明人：太田光一;平野敦雄;太田昭人;斯特凡·塔施;彼得·帕克勒;贡杜拉·罗特;瓦尔特·特夫斯;沃尔夫冈·肯普费尔特;德特勒夫·斯塔里克 -专利权人：丰田合成株式会社;楚达尼克光电公司;泰克公司;鲁彻斯特弗瑞克布瑞特根公司
申请日： 2001-12-28 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光装置，包括：包括氮化物半导体的发光元件，所述发光元件发出蓝光；和磷光体，所述磷光体可吸收部分由所述发光元件发出的所述蓝光并可发射与所述吸收的光具有不同波长的黄光，其中，从所述发光元件发射出的波长的半值宽度不大于40nm，从所述磷光体发射出的波长具有达110nm的半带宽，所述发光元件包括双异质结构，所述双异质结构包括夹在p－型覆层和n－型覆层之间的发光层，和所述p－型覆层或所述n－型覆层包括超晶格结构。
发光装置

[发明专利]发光二极管-CN200410081933.4无效
发明人： 平野敦雄;吉川幸雄;手岛圣贵;安川武正 -专利权人：丰田合成株式会社;株式会社光波
申请日： 2000-01-28 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种具有倒装芯片式的半导体发光元件的发光二极管，包括：一倒装芯片；和一由半导体基片制成的子座，在所述半导体基片内形成一过电压保护的二极管，并且在所述半导体基片上放置所述倒装芯片，其中电接触所述倒装芯片的一正电极和一负电极形成于所述子座上，所述正电极和所述负电极的至少一个具有引线焊接的焊盘，并且所述过电压保护的二极管形成于既不被所述倒装芯片覆盖也不被所述焊盘的任何一个部分覆盖的区域。本发明可将倒装芯片放置在一个引线框架上，使倒装芯片的中心轴线，与引线框架的抛物面的中心轴线重合。
发光二极管

[发明专利]发光装置-CN01820768.5有效
发明人：太田光一;平野敦雄;太田昭人;斯特凡·塔施;彼得·帕克勒;贡杜拉·罗特;瓦尔特·特夫斯;沃尔夫冈·肯普费尔特;德特勒夫·斯塔里克 -专利权人：丰田合成株式会社;楚达尼克光电公司;泰克公司;鲁彻斯特弗瑞克布瑞特根公司
申请日： 2001-12-28 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光装置，具有发光元件，所述发光元件由氮化物半导体和磷光体制成，所述磷光体吸收部分由发光元件发出的光并发出与所吸收的光具有不同波长的光，磷光体由通过铕活化的碱土金属硅酸盐荧光材料制成。
发光装置

[发明专利]发光二极管-CN03123081.4无效
发明人：高桥佑次;福本滋;平野敦雄;甚目邦博;小原邦彦;前田俊秀;北原博实;荒金克学;小屋贤一;山之内好信 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2003-04-30 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在发光二极管中，设有包含散射材料的光导引/散射层，直接接收从发光元件发出的光。光传导/散射层内的散射材料不规则反射和散射入射光。散射光传向具有荧光材料的透明的粘合剂形成的荧光发射层。从发光元件发出的具有高光密度的光，直接入射到荧光发射层的荧光材料的概率被减小，光能从整个荧光发射层发射。因此理想颜色的均匀的光从发光二极管中以高效率发射。
发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN00101674.1无效
发明人： 平野敦雄;吉川幸雄;手岛圣贵 -专利权人：丰田合成株式会社;株式会社光波
申请日： 2000-01-28 - 公布日： 2000-08-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管具有基本上为方形的倒装晶片,按照下述位置和姿势放置在方形的子座上。该位置和姿势通过将该倒装晶片的中心点和中心轴线重叠在子座的中心点和中心轴线上,接着再使该倒装晶片,围绕其中心点转动大约45°而得到。因此,在子座上形成多个三角形的暴露区域,倒装晶片的二个引线电极可作在该区域中。结果,可将倒装晶片放置在一个引线框架上,使倒装晶片的中心轴线,与引线框架的抛物面的中心轴线重合。
发光二极管

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